EXAR推出T3及E3用戶網路介面ATM晶片

EXAR Corporation宣佈推出T3及E3用戶網絡介面(UNI)晶片,迎合非同步傳輸模式(ATM)交換器、存取設備及集線器。設計人員以這兩款晶片,推行用戶網絡介面及網路網點介面(NNI)。 XR-T7425 UNI專為T3應用而設(45.736MBPS),而XR-T7234 UNI則專為E3應用而設(34.368MBPS),兩款晶片均具備相同的接腳分佈,讓用戶因應其選用的晶片設計單一電路板。     

美商ATMEL推出新一代8 BIT RISC單晶片AVR系列

美商ATMEL公司日前推出新一代RISC單晶片AVR系列,AT90S1200、AT9022313、AT9024414。為目前世界上最快的8位元RISC,程式空間由1-8K、腳位由8-40PIN,程式記憶體採用FLASH MEMORY架構,可重覆燒錄,並具有ISP(IN-SYSTEM PROGRAMMABLE)線上燒錄功能,可直接在PC板上燒錄而不需燒錄器、SOCKET。     

对两类MCT红外探测器的剖析

用剖析法观察了两类光伏型红外碲镉汞(MCT)探测器晶片:一类其D~*在1×10~8～5.9×10~9cm Hz~(1/2)/W之间,λ。在8～13.8μm范围内;另一类是无P—N结特性的。观察结果表明:前一类晶片(以后简称为“有信号”的)相对辐照方向具有[111]取向;而后一类晶片(简称为“无信号”的)其取向是无规则的。本文从晶体中原子排布及缺陷(位错)的特点,初步讨论了晶片取向对探测器性能的影响。     

微型计算机名词解释

1.微处理器(μP)mieroprocessor计算机的逻辑处理功能中心为中央处理器(cpu)。一般包括计算机的运算部分和控制部分。μP则是由单片或多片大规模集成电路(LSI)构成的cpu,一般不包括存贮器。2.微型计算机(μC)microcomputerμC是以μP为中心,配以数据存贮器(RAM),程序存贮器(ROM)以及输入输出(I/O)接口及其辅助电路构成的程序存贮式计算机。μC的出现填补了小型机与计算器之间的空档,同时μC也覆盖了小型机的低档,由多μP并用还可以构成大型机。     

Motorola推出新數位視訊編碼晶片

Motorola推出一系列全新的數位視訊編碼晶片,把單一電源運作及支援Macrovision version 7標準等功能結合到單一顆積體電路上,可大幅簡化電視訊號轉換器(Set-top Box)的設計。     

"神舟3号"上生长Cd1-xZnxTe晶片Zn组分分布的显微荧光研究

用显微荧光(μ-PL)方法对在我国"神舟3号"上空间生长的CdznTe晶片中zn组分分布的研究.对晶片的单晶"壳"区及未完全熔化的"芯"区中的小结晶区域进行了逐点PL测量.对测得每一点的PL谱进行了拟合,得到测量点的禁带宽度参数Eg,其分布对应于CdznTe中zn的组分分布.测量结果给出了空间生长晶片zn组分布的变化趋势和统计规律.作为比较,测量并分析了一块采用相同方法在地面生长的CdznTe晶片.     

家电维修技术初级工考核复习题选登——电路基础和音响部分

<正> 一、是非判断题(正确打“√”,错误打“×”) 1.实际应用中,阻值相同的电阻可以相互替换。( ) 2.硅半导体二极管导通时,其正向电压降大约为0.7V。( ) 3.将二个容量为1μF的电容并接起来,则等效容量为0.5μF。( ) 4.电容器容量越大,其容抗值也越大。( ) 5.用万用表的不同挡测量同一只半导体二极管的正向电阻时,测得的值不同,低欧姆挡测得的值小。( ) 6.阻容耦合放大电路不能放大直流信号,直接耦合放大器只能放大直流信号。( ) 7.将两个容量为0.47μF的电容串接在一起,其等效容量     

SIPEX推出WAN整合多重傳輸模式單晶片

SP504是單一晶片提供8 physical串列介面標準在WAN連結上,SP504主要使用了低耗電BICMOS製程技術,且合併SIPEX所擁有chargepump技術,提供單—5V操作。SP504包括7個驅動器和7個接收器可被組態成或被軟體在任何時間變化成不同的Interface mode。SP504適用於DTE-DCE應用,在V.35上SP504每V.35 driver僅需一外加電阻。     

利用KD~*P晶体的电光效应测量微小双折射程差

利用KD~*P晶体的一次电光效应对晶片由双折射引起的光程差做连续补偿,一般将待测晶片的双折射程差补偿到Kλ/2,K=0、±1、±2…,λ为光源波长。由KD~*P晶体上所加电压V_2与由V_2产生的双折射程差δKD~*P的线性数值关系,求出对待测晶片所补偿的双折射程差,从而求出待测晶片的双折射程差δX。采用本实验装置,可以标定1/4波片以及双折射程差小于λ的晶片,精度在±10A之内。     

NS推出CMOS高速乙太網路實體層及收發器解決方案 為可再生晶圓設計方法編定發展進度 提昇顧客技術整合度及設計自己專属產品

身为高速乙太網路晶片解決方案市場領導者的美國國家半導體公司,今日全球同步宣佈推出一款可支援10BASE-T、100BASE-TX與FX乙太網路協定的先進型單晶片實體層及收發器元件。該款型號為DP83843的PHYTER晶片採用可再生的品圓方     

Cd1—xZnxTe晶片室温显微光致发光平面扫描谱

主要介绍用微米级空间分辨率的显微光致发光(μ-PL)平面扫描谱对CdZnTe(CZT)晶片表面亚微米层特性进行的研究。     

Design Note 122 雙整流器(Regulator)電源Pemtium處理器或昇級式CPU

很多Pentium等級為主的主機板製造南都希望能找到一個省錢的方案,來供應Pentium P54C及下一代昇級CPU的供電問題。目前的CPU使用了一個單一的電源供應,供給微處理器核心及I/O在所供應的最高頻率下,該供電需要3.5V±100mV(VRE規格)。對低頻率的CPU來說,3.3V±5％這個電壓是很適合的。但最近英代爾重新規定3.3V CPU在3.5V之下的操作標準。這使得電壓變成單一的3.5V了。I/O環及晶片組必須和CPU核心使用一樣的電壓,不是3.3就是3.5V。     

微计算机发展动向评述

一、μP(微处理机)/μC(微计算机)的发展μP/μC是在高级台式机的基础上发展而来的,但是,它与台式机却有着本质的差异,它是存贮程序式计算机,在结构与功能上更接近小型机.μP/μC的出现是LSI技术与计算技术相结合而发展的范例,它的出现不仅填补了台式机与小型机之间的空档,而且为整个计算机体系带来深刻的影响.     

用DLTS法研究碲镉汞的深能级

用深能级瞬态谱(DLTS)方法研究了高镉组份碲镉汞混晶(Hg_(1-x)Cd_xTe,0.55≤x≤0.84)的深能级。实验所用碲镉汞晶体用固态再结晶法制备,晶片未经定向,实验用器件在单晶粒上制作以避免晶粒间界的影响。材料未经有意掺杂,生长出来的晶体为P型,为获得N型晶片,可     

抛光压力对PS/CeO2纳米复合磨粒抛光性能的影响

以采用改进无皂乳液聚合法制备的纳米尺寸聚苯乙烯(PS)微球为内核,采用原位化学沉淀法制备了不同壳层厚度的PS/CeO2核/壳包覆结构复合微球。将所制备的复合颗粒用于二氧化硅介质层的化学机械抛光,用原子力显微镜测定晶片的微观形貌和粗糙度。电镜结果表明:复合颗粒呈规则球形,其PS内核尺寸约为72 nm,CeO2壳厚为5~20 nm。抛光结果显示:在本实验范围内,抛光速率随抛光压力的增加而增大,而过低(2.4 psi,1 psi=6 895 Pa)或过高(6.1 psi)的抛光压力均使晶片表面产生划痕。当抛光压力适中(4.5 psi)时,经复合磨料(壳厚约为13 nm)抛光后的晶片表面无明显划痕,在5μm×5μm范围内表面均方根粗糙度为0.265 nm,抛光速率达98.7 nm/min。     

蓝宝石光纤法布里-珀罗高温传感的实验研究

进行了基于蓝宝石光纤及晶片的光纤法布里- 珀罗(F-P)高温传感器研究。理论仿真分析了传感器温度传感灵敏度及干涉光谱信号质量 随蓝宝石晶片厚度 变化趋势。结果表明,在信噪比(SNR)为30〖J P ＋2〗dB、晶片厚为75μm时,可避免干涉光谱信号波峰干涉级次跳 变问题, 同时获得3.114nm/℃(1080℃)的温度传感 灵敏度。建立了高温传感器系统,并基于干涉光谱相位分析算法 进行解调,实现了130～1080℃测温范围,测 温误差小于±2.45℃, 1080℃下温度传感灵敏度测试值为2. 973nm/℃,与理论温度传感灵敏度基本吻合。     

旺宏電子推出單晶片高速網路卡控制器—MX98725

旺宏電子於日前正式推出具有先進省電管理功能(ACPI)的單晶片高速網路卡控制器MX98725,配合其已獲得微軟(Microsoft)公司最新PC97規範認證的驅動程式,以及符合WinHEC PC98的最新規範和綠色電腦的世界趨勢,將是協助國内網路卡製造廠商提昇國際競爭力的最佳利器。     

用MBE制作ZnSe电流限制区的隐埋顶层平面条型(BCP)GaAlAs激光器

我们已经研制成功一种新型结构的GaAlAs可见光激光器,叫做隐埋顶层平面条型(BCP)激光器。这种激光器是用分子束外延(MBE),在复盖层上生长了一层外延ZnSe半绝缘层,并在其上留下一笮条区作为电流限制。图1是GaAlAs BCP激光器的结构示意图。其制作程序如下:在具有1.5μm深槽n型GaAs衬底上用一般的LPE生长了GaAlAs/GaAs DH结之后,第四层(P-GaAs,顶层)是通过SiO_2掩膜腐蚀成3—5μm的条宽的台面。然后,在用MBE晶片上外延一层与顶层同样厚的ZnSe半绝缘层。这种工艺能够在P型GaAlAs复盖层上生长出镜面的ZnSe     

InSb晶片化学抛光研究

机械抛光会给InSb晶片表面造成一定程度的机械损伤,增加表面的粗糙度,从而影响器件的性能.化学抛光可以有效地去除表面划痕,改善晶片的表面形貌,降低粗糙度.用低浓度的澳一甲醇溶液对机械抛光后的InSb晶片进行了化学抛光,并对化学抛光前后的InSb晶片进行了表面形貌、总厚度偏差(TTV),粗糙度、表面组分和杂质对比分析.实验结果表明,用低浓度的溴-甲醇溶液对InSb晶片进行化学抛光,腐蚀速率平稳且容易控制,能有效去除表面划痕,从而得到光滑、平坦的表面.晶片表面的粗糙度为6.443nm,TTV为3.4μm,In/Sb原子比接近1.与传统的腐蚀液CP4-A,CP4-B相比,用低浓度的溴-甲醇溶液对InSb晶片进行化学抛光,可以获得更低的表面粗糙度和TTV,且In/Sb的原子比更接近于1.     

SIS进入网路市场新作100M Ethernet Controller问市

矽统科技除了PC核心晶片(Computing)及2D/3D显示晶片(Consumer)外,最近亦加入网路晶片(Communication)产品,藉以上述产品,表示矽统科技以强而有力的R/D研发实力(3C Technologiesfrom SIS)正式进入网路晶片组市场。