Sb2O3掺杂对ZnO压敏陶瓷晶界特性和电性能的影响

制备了掺有Sb2O3不同掺杂量ZnO压敏陶瓷样品,采用扫描电镜对样品进行显微结构分析,研究了Sb2O3掺杂浓度对ZnO压缩电阻显微结构和性能的影响,测量了样品的电性能,由样品C－V特性的测量计算出晶界参数,并由此讨论了陶瓷性能与晶界特性的相关性。研究发现,在ZnO压敏陶瓷样品中掺杂适量的Sb2O3可以提高ZnO压敏陶瓷样品的非线性性能,但当Sb2O3的摩尔分数超过0．088％时,电性能反而优化,这是因为Sb2O3掺杂浓度不同会引起晶界势垒高度、施主浓度与陷阱密度的变化,因此Sb2O3掺杂量要控制在适当的范围内。     

氧化锌阀片成型设备改进浅谈

介绍了对国产液压机的改造,使之适合于氧化锌阀片成型的经验。     

Nd2O3掺杂BaTiO3陶瓷的结构和电性能研究

研究了组份为Ｂａ１－ｘＮｄｘＴｉＯ３（ｘ＝０．００２－０．０４）陶瓷的结构和电性能，实验结果表明：当０．００２≤ｘ≤０．００４时，轻度Ｎｄ２Ｏ３掺杂的ＢａＴｉＯ３陶瓷呈半导体；而当０．０１２≤ｘ≤０．０４时呈绝缘性。ＢａＴｉＯ３陶瓷的室温电阻率ρｖ随Ｎｄ＾３＋含量的变化呈Ｕ型特曲线。组份为Ｂａ０．９９７０Ｎｄ０．００３０ＴｉＯ３的材料具有最低的ρｖ和最佳的ＰＴＣＲ效应，相应于最大的平均晶粒尺寸和最     

Co2O3的理化性能对ZnO压敏陶瓷电性能的影响

本文详细研究了氧化钴的理化性能对ＺｎＯ压敏陶瓷性能的影响。论述了Ｃｏ２Ｏ３的热特性对压敏陶瓷烧成工艺产生的影响及控制措施，从理论上探讨了氧化 中所含杂质Ｆｅ、Ｃｕ，Ｎａ等对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的不利作用。提出了控制的上限，并试制出一种用于氧化锌压敏陶瓷的性能优良的Ｃｏ２Ｏ３粉体。     

掺杂对低压ZnO压敏陶瓷材料显微结构及电性能的影响

探讨了多种金属氧化物对ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－ＴｉＯ２系材料的改性作用和对其显微结构的影响，为得到预定性能的材料提供了掺杂方面的实验依据。     

掺杂Fe2O3对氧化锌压敏陶瓷压敏特性的影响

本文研究了分别掺杂微量Fe2O3杂质对ZnO压敏陶瓷的压敏特性的影响。研究结果表明:随Fe2O3掺杂量的增加,ZnO压敏陶瓷的压敏电压V1 mA和非线性系数先下降,后升高,最小值出现在Fe2O3摩尔掺杂量为1.00%;并从理论上详细地探讨了产生这些影响的原因。     

SiO2掺杂对ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷微观结构及电性能的影响

采用传统固相法成功制备了不同SiO2掺杂量的ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷.研究了SiO2添加剂对ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷物相组成、微观形貌和电性能的影响规律及作用机理.XRD结果表明,ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷由ZnO主晶相和尖晶石相、富Bi相和含Si相等第二相组成.当SiO2含量增加时,ZnO晶粒尺寸逐渐减小,...     

烧结载量对Zn-Bi片式压敏电阻器电性能的影响

通过烧结工序中0402型低压产品装载量不同的试验，研究了它们对Zn-Bi系片式ZnO压敏电阻器电性能的影响。结果表明：当配方体系中Bi2O3摩尔分数为0．6％，装载量为10g时，产品的电性能最好，非线性系数大于30，漏电流小于5μA。     

球磨时间对ZnO压敏瓷电性能的影响

粉体是ZnO压敏瓷制备的起点,粉料的混合性直接影响其综合电性能。采用不同球磨球磨时间制备氧化锌压敏瓷粉体,通过扫描电镜和x射线衍射分析,探讨球磨时间对氧化锌压敏瓷电性能和微观组织的影响。研究结果表明,球磨5h制备的粉体烧结后综合电性能最好,其电位梯度为356V／mm;非线性系数为36．4,漏电流为1．38μA,致密度98．6％。     

高电位梯度氧化锌阀片的开发和应用

介绍了高电位梯度氧化锌阀片的制备原理和产品开发，并对目前几个主要生产MOA的公司在高电位梯度氧化锌阀片的应用现状作了概述。     

Fe_2O_3掺杂对ZnO-Pr_6O_(11)系压敏电阻材料电学性能的影响

通过烧结法制备了Fe2O3掺杂的ZnO–Pr6O11压敏电阻材料,研究了Fe2O3掺杂量对ZnO–Pr6O11系压敏电阻材料电学性能的影响。实验表明:当Fe2O3掺杂量小于0.005%(摩尔分数,下同)时,ZnO–Pr6O11系压敏电阻材料的非线性系数和压敏电压随Fe2O3掺杂量增大而逐渐提高。当Fe2O3掺杂量为0.005%时,压敏电压达到最大值571V/mm,非线性系数达到最大值26。当Fe2O3掺杂量大于0.005%时,非线性系数和压敏电压均急剧下降。过量Fe2O3使ZnO压敏电阻材料非线性下降的主要原因是:Fe元素偏析在晶界处,提供额外载流子降低了晶界电阻率,同时晶界处PrFeO3相的堆积会破坏晶界结构,从而影响压敏电阻材料的电学性能。     

Fe2O3在ZnO压敏陶瓷中的作用

研究了Fe_2O_3对ZnO压敏陶瓷电性能的影响。试验表明,Fe_2O_3添加的摩尔含量小于0.1％能提高ZnO压敏陶瓷的非线性和压敏电压;但当其添加量大于0.1℃时,非线性急剧下降;Fe_2O_3添加量大于1％时,压敏电压下降。通过X射线衍射等微观分析,认为过量Fe_2O_3使ZnO压敏陶瓷非线性下降的原因主要是由于Fe_2O_3与ZnO在晶界处形成了具有低电阻率(ρ=10~2Ω·cm)的尖晶石相ZnFe_2O_4     

磁化水配料对TiO2压敏陶瓷电性能和微观结构的影响

研究了使用磁化水配料对TiO2压敏陶瓷电性能和微观结构的影响。电性能测量及SEM和XRD微观结构分析结果表明：磁化水配料制备的TiO2压敏电阻具有较低的压敏电压和较高的非线性指数α。材料的主晶相为金红石相，由Ce,Si,Ti组成的Perrierite第二相均匀分布在晶界区域。因此，采用磁化水配料可以改善材料的工艺性能和陶瓷烧结体的微观结构，从而提高元件的电性能。     

烧结温度对低压ZnO压敏陶瓷显微结构及电性能的影响

利用ＸＲＤ，ＳＥＭ等技术，研究了ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－ＴｉＯ３系低压压敏电阻材料的相民及显微组织，并对不同烧结温度下的电性能进行了研究。结果表明，在１１５０－１２００℃范围内，可通过改变烧结温度调材料的压敏电压值，而材料的非线性系数ａ变化不大。     

ZnO片式压敏电阻厚膜中Cr_2O_3含量的优化(英文)

研究三氧化二铬(Cr2O3)对氧化锌(ZnO)片式压敏电阻厚膜物相结构、微观结构和电性能的影响。X衍射分析表明:Cr2O3降低Bi4Ti3O12相的分解温度,并最终影响陶瓷厚膜的致密度、晶粒尺寸及电性能。当烧结温度为880℃时,Cr2O3摩尔(下同)掺量为0.3%的陶瓷厚膜能够得到良好性能:体积密度ρv=5.52g/cm3,晶界势垒Φb=0.116eV,非线性系数α=24.8。研究烧结温度与片式压敏电阻微观结构和电性能的关系,Cr2O3掺量为0.3%的片式压敏电阻在880℃烧结时,能够获得最佳电性能:压敏电压V1mA=25V,α=23.6,漏电流Il=2.8μA。该片式压敏电阻的低烧结温度和高非线性在工业生产中具有很大优势。     

高能球磨对Pr_6O_(11)和Y_2O_3掺杂ZnO压敏电阻微观结构和电学性能的影响

利用高能球磨法制备Pr6O11、Y2O3掺杂ZnO压敏电阻,并对球磨时间对微观结构、物相组成及电学性能的影响进行了研究和分析。高能球磨有利于微观组织的均匀化和晶粒的细化,从而提高了电学性能。当球磨时间从0到10 h时,烧结后的ZnO晶粒尺寸变化从8.7到4.0μm,坯体烧结密度变化从5.40到5.62 g/cm3。最佳的制备工艺为球磨时间为7.5 h,烧结温度为1100℃,其对应的电学性能分别为:电位梯度(V1mA)是542 V/mm,漏电流(IL)是2.88μA,非线性系数(α)是47。     

纳米氧化铋粉体的制备及对ZnO压敏电阻性能的影响

采用直流电弧等离子法可以制备出包含有a和β相,尺寸约为70 nm的纳米氧化铋粉体,收率可达30％。利用制备的纳米氧化铋粉体替代微米级材料制备氧化锌压敏陶瓷后,研究了其对器件电学性能和陶瓷微观结构的影响。实验发现:纳米氧化铋使用量为1.6％摩尔分数时其压敏电压梯度和通流值分别为185 V/mm和4 700 A/cm2,而达到相同值所需微米氧化铋用量则分别为1.9％和1.85％。可见,如采用纳米氧化铋替代微米氧化铋可以减少用量10％～20％,而达到相同的电性能。     

TiO2掺杂对ZnO压敏电阻低压化过程的影响

近年来，加入晶粒助长剂TiO2以实现低压化的低压ZnO压敏电阻发展迅速。实验所用配方为掺杂TiO2的98.3％ZnO-0.7％Bi2O3-1.0％TiO2(摩尔分数)和相应无TiO2掺杂的配方，在900～1200℃下烧结制备样品。给出了相分析、半定量分析及电性能测试结果。发现TiO2可以有效促进ZnO晶粒长大，降低压敏电压梯度。1100℃下，TiO2掺杂试样的平均晶粒尺寸为56.4μm，远大于无TiO2掺杂的31.8μm。大部分TiO2首先与Bi2O3反应生成Bi4(TiO4)3液相，这大大促进了ZnO晶粒生长。高于1000℃时Bi4(TiO4)3分解，分解出的TiO2与ZnO发生反应，生成Zn2TiO4尖晶石相，晶粒生长受阻，直至停止。