用于激射波长可控的CaAs／AlGaAs量子阱激光二极管的大面积均匀OMVPE生长

在垂直旋转圆形ＯＭＶＰＥ外延炉里压力减小到０．２ａｔｍ下生长的ＧａＡｓ和ＡｌＧａＡｓ的特性非常均匀。衬底旋转５００ｒ／ｍｉｎ，厚外延层均匀性是±１％。而３～１０ｎｍ厚的量子阱，其厚度的均匀性是±２％。铝组分的变化系数是１．８×１０－３或者更小。对于含有单量子阱有源层的宽面积ＧＲＩＮ－ＳＣＨ二极管激光器，其阈值电流密度和微分量子效率非常均匀。激光器的激射波长可以通过调整有源层厚度和组分精确控制。１７５个器件分布在１６ｃｍ２的片子上，片子包含一个１０ｎｍ厚的Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ａｓ有源层，激射波长，总的变化为３．０ｎｍ。从９个其它外延片上取出的所有供试验的管子，其波长范围是从８０３．５到８０７．４ｎｍ。     

世界波长最短的激光二极管

东芝公司已研制成一种可见光激光二极管,型号为 TOLD9410(S),该管是世界上的波长最短(650nm)的激光二极管。东芝公司声称该激光二极管发出的光看起来比当前市场上销售的前沿激光二极管发出的光亮4倍。该激光二极管发出的光亮度足以替代 He-Ne 激光器,它能辨别出过去只能由 He-Ne 激     

激光二极管的温度稳定

半导体激光器与气体和固体激光器相比有一系列的优点。其中包括体积小，能够在注入电流上进行直接宽带调制、效率高。主要缺点是工作点的温度与发射波长有着密切的相关性。     

表面耦合调谐红光激光二极管波长

采用逆向的表面耦合调谐技术（ＳＭＣ）,奥地利及德国的研究人员已实现了水平腔红色ＧａＩｎＰ／ＡＩＧａＩｎＰ激光二极管的单纵模表面输出．科学家们同时通过氟化氢 （ＨＦ）刻蚀改变表面波导的光学厚度获得了调谐激光波长的能力．另外,如果法布里－珀罗镜是被刻蚀的而非切分的,ＳＭＣ技术就可监控和调谐晶片上的激光器组的发射波长,从而提供了一个产生多波长的激光二极管阵列的相当直接的方式． 据研究者称,ＳＭＣ原理是建立在激光模式与横向电偏振表面模式之间的耦合机制基础上的,后一种模式存在于激光二极管顶部的半透明金属／绝…     

制造光激射器反射镜的新技术

反射镜工艺方面的进展,使得贝尔实验室已经制出了具有椟近100%反射率的反射镜。这个技术包括一个有效地消除光从反射镜表面散射的方法,即在一个反射镜的坯上镀以多层光学透明的介质层。反射率几近于100%,以致损失部份还不能测量。     

注入式半导体激光二极管的波长调谐及应用

主要论述半导体激光二极管的波长调谐的原理，分析技术难点及应用前景。     

LD条宽对激射波长影响的研究

报道了LD激射波长会随条宽发生明显变化.对有相同外延生长结构和制作工艺、不同条宽的960 nm LD的激射波长进行研究发现,条宽为130、100、75和50 μm的器件的激射波长依次变短.进一步分析认为,这是因为条宽变窄导致器件阈值电流密度、阈值载流子密度变大造成的.根据GaAs材料在不同注入载流子密度下的增益谱及器件条宽变化对阈值载流子密度的影响,可以对实验现象进行合理的解释,从而在器件研制中可通过改变条宽对器件的激射波长在一定范围内进行调节.     

注入式半导体激光二极管的波长调谐及应用

主要论述半导体激光二极管的波长调谐的原理,分析技术难点及应用前景。     

光纤通信用的稳定单模激光二极管

高斯—沟道村底平面型激光器呈现出稳定的基横模和单纵模的CW工作。而且,实现了激光器与锥形单模光纤耦合,其耦合效率为35%。     

外腔半导体激光器激射波长温度稳定性的研究

在考虑了光纤光栅(FG)的相位分布之后,根据光纤光栅外腔半导体激光器(FGESL)所满足的阈值条件,从理论上研究了前端面反射率对光纤光栅长外腔半导体激光器(LECFGSL)激射波长温度稳定性的影响.数值模拟的结果表明:随着温度的变化,LECFGSL的激射波长围绕光栅布拉格反射波长上下波动,激光器前端面反射率对激射波长波动幅度有较大的影响,当前端面反射率＜10-4时,激射波长与光栅布拉格反射波长基本一致,其温度稳定性较好.     

激射波长为820nm的大功率分布反馈激光器

通过将二级光栅直接刻在脊形波导AlGaInAs/AlGaAs DFB激光器的无铝光波导层上,实现了波长约为820nm,单面功率为30mW的单纵模激光器.由于采用无铝光栅,保证了二次外延质量,从而得到较好的器件性能.激光器的阈值电流为57mA,斜率效率约为0.32mW/mA.     

发射紫光的激光二极管保持频率稳定

随着基于砷化镓的紫光半导体激光器寿命的增长和越来越广泛的使用,这种激光器也成为了一项发展项目,科学家们打算让其适应传统上由其它激光器所扮演的角色。例如:一台能够从稳频线中心以某种稳定方式解调的稳频     

自由运转的掺镱光纤激光器激射波长的研究

为了更好地设计掺镱光纤激光器,提出了一种用于确定自由运转的掺镱光纤激光器激射波长的计算模型。利用此模型可以同时分析激射波长与光纤长度、腔的损耗、掺杂浓度、工作温度等系统参数的关系,从而有助于合理设计光纤激光器,得到所需的出射波长,并且有助于设计可调谐的光纤激光器。在推导中引入了一种确定掺杂光纤的发射、吸收截面随温度变化的近似处理方法,用此方法只需要常温下掺杂光纤的截面数据就能进行温度相关的分析。通过与已知实验结果的对比,验证了此模型的适用性。     

基于半导体光放大器临界激射状态的同相波长转换

基于半导体光放大器处于放大和激射之间的临界状态,实现了同相波长转换,转换后光信号与泵浦光信号有相同的比特系列.运用放大器中存在的自发辐射光子诱发的受激辐射和入射信号光子诱发的受激辐射之间的竞争很好地解释了实验结果.结果表明,此种波长转换结构简单、输出消光比不退化.     

基于半导体光放大器临界激射状态的同相波长转换

基于半导体光放大器处于放大和激射之间的临界状态 ,实现了同相波长转换 ,转换后光信号与泵浦光信号有相同的比特系列 .运用放大器中存在的自发辐射光子诱发的受激辐射和入射信号光子诱发的受激辐射之间的竞争很好地解释了实验结果 .结果表明 ,此种波长转换结构简单、输出消光比不退化