双频激光与原子相互作用产生的光电子谱

本文提出一种双频激光与原子相互作用的简单模型,并对由该模型产生的光电子谱进行了计算,分析了光电子峰的结构。     

有限长激光脉冲在部分离化等离子体中的传播

为了研究有限长激光脉冲在部分离化等离子体中的传播特性,采用变分法推导出有限长激光脉冲在部分离化等离子体中的参量演化方程,分析了尾波场、相对论自聚焦和部分离化非线性极化强度的影响因素;通过分析焦斑半径和脉冲宽度满足的耦合方程,讨论了横向和纵向尾波场影响下的激光脉冲传播特性。结果表明,由于焦斑半径和脉冲宽度的耦合,激光脉冲在部分离化等离子体中传播必须满足一定条件;在部分离化等离子体中,考虑激光传播时脉冲宽度的变化是有必要的;对给定强度的激光脉冲,等离子体密度不变时,随着电离程度增大,尾波场会进一步增强激光脉冲的自聚焦,其中纵向尾波场比横向尾波场对激光脉冲的自聚焦作用更明显。这一结果对有限长激光脉冲电离诱导自注入及尾波场加速电子的方案具有理论指导意义。     

同步辐射光电子能谱研究室温下Na对InP（100）表面氮化反应的影响

利用同步辐射光电子能谱研究了室温下Ｎａ吸附下于Ｐ型ＩｎＰ（１００）表面对其氮化反应的影响．通过Ｐ２ｐ、Ｉｎ４ｄ芯能级谱的变化，对Ｎａ／ＩｎＰ（１００）表面的氮化反应的研究表明，碱金属Ｎａ的吸附对ＩｎＰ（１００）无明显的催化氮化作用，即使采用Ｎ２／Ｎａ／Ｎ２／Ｎａ／Ｎ２／Ｎａ／ＩｎＰ（１００）的类多层结构，在室温下也只有极少量的氨化物形成，而无明显的催化氮化反应发生．碱金属吸附层对Ⅲ－Ⅴ族半导体氮化反应的催化机制不同于碱金属对于元素半导体的催化反应机制，碱金属对元素半导体的催化氮化反应，吸附的碱金属与元素半     

X射线衍射、X射线光电子能谱对PtSi薄膜形成机理的研究

促使物相尽可能地向Pt2Si和PtSi 转化,是PtSi薄膜工艺研究中的重要工作。文中通过用X射线衍射（ XRD）、X射线光电子能谱（XPS）微观分析手段对PtSi薄膜形成物相分步观察,研究了长时间变温退火、真空退火以及真空和保护气体（N2和H2）退火等工艺条件对溅射PtSi薄膜物相形成的影响。结果表明,氢气气氛退火能提高薄膜质量;真空退火可以减少氧元素对成膜的影响。     

开放系统相位涨落对布居差和激光性质的影响

本文在考虑驱动场相位涨落时开放的简单三级系统的定态行为。结果表明，驱动场相位涨落将导致有限线宽。增益和被探测场耦合的两个能级间布居差将随线宽的增加而改变，并在有限线宽下发生从无粒子数反转激光到有粒子数反转激光的改变。     

双模纠缠相干场与原子多光子相互作用系统的原子布居数演化

利用全量子理论并结合数值计算的方法,研究两个二能级原子与双模纠缠相干场相互作用系统的原子布居数演化性质.讨论了跃迁光子数、初始平均光子数、光场纠缠程度及双原子问偶极相互作用对原子布居数演化特性的影响.     

K对InP（100）表面催化氧化反应的同步辐射光电子能谱研究

利用同步辐射光电子能谱研究了Ｋ对Ｐ型ＩｎＰ（１００）表面的催化氧化反应过程．对于Ｏ２／Ｋ／ＩｎＰ（１００）体系的Ｐ２ｐ、Ｉｎ４ｄ和价带光电子能谱研究可知，在氧吸附的过程中，Ｏ和Ｐ、Ｉｎ之间发生了化学反应，Ｏ更易于与Ｋ在吸附过程中与ＩｎＰ（１００）衬底之间的界面反应形成的Ｋ－Ｐ化合物中的Ｐ健合．碱金属Ｋ的存在并不直接和Ｏ发生作用，而是起到一种催化剂的作用，增加了电荷向氧传输的能力．使得Ｏ２的分解和吸附变得更加容易．在Ｉｎ４ｄ芯能谱中，Ｉｎ－Ｏ之间的反应并不是很明显，而在价带谱中则可以明显地看到Ｉｎ－Ｏ之间反     

用四能级系统研究相干布居囚禁态

为了了解双色激光对相干布居囚禁(CPT)原子频标和CPT磁场计等设备制备CPT态的特性,开展了用双色相干光对充有缓冲气体的样品泡中热运动87Rb原子制备CPT态的研究.将所有与激光无直接作用的态归结为一个"leaky trap"能态,用一个简化的四能级系统数学模型通过求解光学布洛赫(Bloch)方程对制备CPT态的特性开展了理论研究,重点讨论了热碰撞对于制备CPT态的原子能态的Λ构型中两基态的消相干效应.研究结果表明,热碰撞程度决定系综制备出CPT态的比例,这一消相干机制还造成系综的最大相干度偏离双色光两光强相等处.给出一个简化表达式,用来粗略估计CPT频标和CPT磁场计中消相干碰撞以及激光光强对相干程度的影响.     

离焦量对飞秒激光制孔影响的研究

为探究飞秒激光制孔工艺规律,采用脉冲宽度235 fs,重复频率100 kHz的飞秒激光在1.5 mm厚304不锈钢上开展不同离焦量下的制孔试验.首先记录不同离焦量下制孔时间,然后在影像测量仪下测量不同离焦量下微孔入口、出口孔径并计算对应锥度,最后在金相显微镜和扫描电镜下对孔壁进行金相观察及元素分布线扫描.试验结果表明:...     

电离光电子的干涉效应与空间角分布

基于光电子角分布成像光谱技术的基本原理,讨论了单光子共振三光子电离方法获得的光电子成像图,同时也分析了光电子角分布的物理含义.着重研究了多通道电离过程中光电子的干涉作用对成像光谱的影响;分析了光电子空间角分布以及光电成像光谱与原子能态信息的关系.     

355nm激光作用下Si(CH3)4分子的MPI质谱研究

在 35 5nm的激光作用下 ,利用扩散分子束技术和四极质谱装置相结合研究了气相Si(CH3 ) 4分子多光子电离 (MPI)质谱分布。测量了Si(CH3 ) + 4,Si(CH3 ) + 3 ,Si(CH3 ) + 2 ,Si(CH3 ) + 及Si+ 离子的激光光强指数 ,检测了这 5种碎片离子的信号强度占总信号强度的分支比随光强的变化关系。据此 ,讨论了该分子MPI过程可能经历的通道 ,得到了Si+ 主要来自于母体分子的多光子解离—硅原子的电离 ,Si(CH3 ) + n(n =1,2 ,3)主要来自于中性碎片Si(CH3 ) n(n =1,2 ,3)的自电离 ,Si(CH3 ) + 4来自于母体分子的 (3+1)电离的结论     

自旋对强耦合表面磁极化子自陷能的影响

应用么正变换和线性组合算符法研究了半无限极性晶体中强耦合表面磁极化子的振动频率λ0和自陷能Etr的性质。讨论了电子自旋和磁场对它们的影响。对RbCI晶体给出的数值计算结果表明：λ0随磁场B的增加而增加;当ms＝－1／2时,Etr随B的增加而增加;当ms=1/2时,Etr随B的增加而减少;电子自旋能与自陷能之比P随B的增加而增加。     

激光能量补偿系统设计

灯泵激光器在环境温度不同的情况下输出能量不同,在同一温度下,激光器工作的前几秒输出的能量变化较大.为保证激光器输出能量稳定,提出了一种灯泵激光器能量补偿系统的设计方法.该系统能够保证激光器在设定温度范围内以及整个工作周期内能量稳定,并且能够屏蔽激光电源预燃信号的干扰.采用该系统对某激光器的试验中,在-40～+60℃环境...     

强光场的偏振特性对电子能量的影响

在具体给出准静肪理论中描述强激光场中原子电离产生的电子的有质动有和乘余能量的基础上,讨论了激光场的偏振特性对所产生的电子能量的影响,并提出适合偏振度的椭圆偏振光,朋可能更有利于基于光场感生电离电子碰撞机制的Ｘ射线激光的实验。     

磁场中极性晶体膜内电子—表面声子强耦合对磁极化子自陷能的影响

本文采用线性组合算符法和变分法,研究了磁场中极性晶体膜内电子与表面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合系统的基态能量,得到了磁极化子自陷能随膜厚和磁场强度变化的规律,计算了不同支声子与电子相互作用对磁极化子自陷能的贡献以及随磁场的变化。     

激光诱导Al等离子体发射光谱分析

激光诱导等离子体技术长期以来都是研究激光与物质相互作用的重要课题。研究并设计了激光诱导等离子体实验系统,应用Nd:YAG激光器诱导Al样品产生等离子体,获得了不同能量下的Al等离子体发射光谱,分析了Al样品中所含元素种类以及谱线强度与激光能量之间的变化关系。实验结果表明,Al样品中含有Fe、Mg元素,随着激光能量的增大,谱线强度明显增大。     

激光偏振参量对电离电子能量的影响

以准静态隧道电离理论为基础 ,计算并讨论了不同激光偏振参量对基于光场感生电离电子碰撞机制的系统的电离电子能量的影响 ,结果表明 ,随着偏振参量值的减小 ,在电离时刻的峰值处 ,电离电子的剩余能量反而变大     

脉冲激光作用下碘掺杂的AgBr-T颗粒中光电子衰减特性

利用微弱信号的微波吸收相敏检测技术，在短脉冲激光作用下，测量了在不同碘化物掺杂方式和掺杂量下的AgBr-T颗粒中自由光电子和浅束缚光电子随时间的衰减曲线，根据测得的衰减曲线得到了不同条件下的自由光电子寿命(FLT)、自由光电子衰减时间(FDT)及浅束缚光电子衰减时间(SDT)值，通过比较这些值分析了碘化物在AgBr-T颗粒中的作用和碘化物对AgBr-T颗粒的感光性能的影响。详细分析了碘含量小于、大于以及等于3％的吸收信号和色散信号曲线，讨论了曲线上各个区的影响因素。     

钾原子的能量积聚诱导电离和双光子共振三光子电离

用染料激光激发钾蒸气 ,发现了钾原子的两种电离机制和三个电离通道 :能量积聚诱导的电离 ,4S 6S和4S 4D双光子共振三光子电离。对前两个电离通道 ,分别研究了电离谱与钾蒸气温度和激光强度的关系 ,发现了钾原子的辐射囚禁效应和钾原子电离的非线性现象 ,并给出了定性解释