水热法制备ITO薄膜的研究

以铟锡氯化物为原料,采用水热法在玻璃基片上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、能谱分析(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)等手段对薄膜的相结构、化学组成及形貌进行了表征,研究了水热温度和时间等条件对ITO薄膜光吸收特性的影响.结果表明,水热法制备的ITO薄膜呈体心立方多晶结构且均匀、致密.薄膜在可见光区透射比可达98.2%,具备低成本大规模制备ITO薄膜的潜力.     

ITO薄膜的XPS和AES研究

分别用 ＸＰＳ和 ＡＥＳ分析了ＩＴＯ薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化和深度分布情况．研究表明,退火前后Ｓｎ和Ｉｎ处于各自相同的化学状态中．Ｏ以氧充足和氧缺乏两种化合状态存在,其结合能值分别为（５２９．９０±０．３０）ｅＶ和（５３１．４０±０．２０）ｅＶ．氧缺位状态主要分布在薄膜表层各元素在薄膜体内分布均匀而在膜基界面存在金属富集     

杂质分布对多晶硅薄膜电性能的影响

报道了多晶硅薄膜的制备方法及光生载流子在多晶硅晶界区域的收集，复合情况，并采用剖面分析方法研究了杂质的分布对多晶硅薄膜太阳电池电性能的影响。     

塑料基体低温沉积ITO薄膜的研究

综述了塑料基体低温沉积ITO薄膜国内外的最新研究现状,并指出了现在存在的问题,认为实现低温沉积、保证薄膜的光电性能和改善薄膜表面质量是3个关键技术.同时结合自己的研究工作,提出了相应的解决方法和建议.     

偏压对ITO薄膜生长模式和光电性能的影响

为明确溅射偏压对ITO薄膜性质的影响,用射频磁控溅射法于室温在玻璃衬底制备出ITO透明导电薄膜,研究了不同偏压下ITO薄膜的生长模式、光学和电学性能.结果表明:随着偏压的增加,薄膜沉积模式经历了沉积、沉积和扩散、表面脱附3种方式;AFM和SEM显示,偏压为100 V时,膜层表面光洁、均匀,粗糙度最小,均方根粗糙度为1.61 nm;XRD分析表明偏压会影响与薄膜的择优取向,偏压为100 V时,薄膜晶粒取向为(222)面;薄膜偏压为120 V时,薄膜的光电性能最佳,电阻率最低为2.59×10-4Ω.cm,可见光区的平均透过率在85%以上;偏压的大小使薄膜的吸收边发生了"蓝移"或"红移".     

退火对反应磁控溅射制备ITO薄膜性能影响

采用铟锡合金靶 (铟 锡 ,90 - 10 ) ,通过直流反应磁控溅射在玻璃基片上制备出ITO薄膜 ,并在大气环境下高温退火处理。研究了退火温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响。研究表明 ,随着退火温度升高薄膜的电学特性得到很大提高     

杂质分布对多晶硅薄膜电性能的影响

报道了多晶硅薄膜的制备方法及光生截流子在多晶硅晶界区域的收集、复合情况，并采用剖面分析方法研究了杂质的分布对多晶硅薄膜太阳电池电性能的影响。     

氧气含量对ITO薄膜电学性能及其稳定性的影响

调节磁控溅射工艺中氧气的含量,在玻璃基片上制备了ITO薄膜。研究氧气含量对ITO薄膜光学、电学性能的影响,以及在高温、高温高湿、碱性环境及经时的电学性能的稳定性。结果表明,氧气含量的增加会降低沉积速率;氧气含量对ITO薄膜在可见光区内的透光率影响较小,但会引起峰值透光率蓝移;对电学性能及其稳定性影响较大,氧气含量在1%(体积分数)以内时,电学性能呈先降低后升高的变化,在0.4%(体积分数)时具有较低的电阻率,且在各种环境中具有较高的稳定性;氧气含量高于1%(体积分数),电学性能及其稳定性变差。     

氮化处理对ITO薄膜光电特性影响

利用射频磁控溅射在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,分别采用两种方法对薄膜进行氮化处理,即:(1)利用氩气溅射在室温下制备薄膜,随后在氮气和氨气气氛下对薄膜进行热处理;(2)利用氩气/氮气共溅射成膜.利用X射线衍射、霍尔效应、UV-vis-NIR分光光度计等测试手段对薄膜样品进行表征,对比研究了两种氮化处理方法对ITO薄膜光电特性的影响.结果发现对于低温生长的薄膜,两种方法均能明显提高其在可见光区的透过率.氩气/氮气共溅射的方法会降低薄膜的结晶程度,降低载流子浓度,但使得其紫外/可见/近红外光谱发生明显红移;而热处理方法则能增加薄膜的结晶程度,提高其导电能力.     

等离子处理对金属化薄膜阻透性能的影响

本文简要介绍了等离子处理技术的基本原理和作用，并且通过比较金属化薄膜经等离子处理与未经等离子处理阻透性能的差异，阐述了等离子处理与金属化薄膜阻透性能的关系。     

真空和射频溅射对ITO膜性能的影响

为进一步探求磁控溅射的机理,本文通过用直流和射频两种磁控溅射沉积ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜的方法,由沉积的ＴＩＯ膜的特性来揭示不同溅射的机制。     

磁控溅射制备ITO薄膜光电性能的研究

采用直流磁控溅射方法在玻璃基底上制备了ITO薄膜.分别用分光光度计和四探针仪测试了所制备ITO薄膜在可见光区域内的透过率和电阻率,研究了溅射气压、氧氩流量比和溅射功率三个工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响.研究结果表明,制备ITO薄膜的最佳工艺参数为:溅射气压0.6 Pa,氧氩流量比1:40,溅射功率108 W.采用此工艺参数制备的ITO薄膜在可见光区平均透过率为81.18％,薄膜电阻率为8.9197×10-3Ω·cm.     

溅射及RTA处理对ITO薄膜特性的影响

采用RF-磁控溅射生长铟锡氧化物薄膜(ITO),研究了生长条件、快速热退火(RTA)温度对薄膜的晶化情况、透过率、电导率以及表面形貌的影响.结果表明:改变In2-x3 (Snx4 ·e)O3制备过程中的氧含量使Sn4 ·e对电子束缚能力发生变化,过高的氧分压使费米能级EF降低,功函数Ws增大,氧气流量为2 ml/min、退火温度为450℃时薄膜电阻率最低为2.5×10-4 Ω·cm,透过率达88%以上.     

太阳能硅薄膜电池的研究进展

阐述了太阳能电池发电原理和硅系太阳能薄膜电池（单晶硅、多晶硅和非晶硅）的结构、基本原理和特点。介绍了硅系太阳能薄膜电池的发展现状,同时对其优缺点进行了比较,并分析了硅系太阳能薄膜电池的发展前景。     

ITO薄膜的半导化机理、用途和制备方法

综述了ITO薄膜的半导化机理、应用和制备工艺。ITO薄膜的半导化机制是高价Sn~(4+)替代部分In~(3+)和氧缺位。ITO薄膜主要用于光电器件中,例如用于液晶显示。综述了磁控溅射、CVD、喷雾热分解和溶胶-凝胶四种制膜工艺。     

射频磁控溅射室温下制备ITO薄膜的光学性能研究

靶材为铟锡氧化物(In2O3:SnO2=1:1),用射频磁控溅射法在低温下制备了光电性能优良的ITO薄膜.质量流量计调节Ar气压强为0.2～3.0Pa,氧流量为0～10sccm,并详细探讨了溅射时氩气压强和氧流量变化对ITO薄膜光学性能的影响.结果表明:溅射Ar气压强为0.8Pa,氧流量为2.4sccm时,薄膜的折射率最低n=1.97,较接近增透膜的光学匹配.薄膜厚度为241.5nm时,薄膜的最大透过率为89.4%(包括玻璃基体),方阻为75.9Ω/□,电导率为8.8×10-4Ω·cm.     

三洋电机首次公开有机薄膜太阳能电池

三洋电机首次公开了该公司有机薄膜太阳能电池的开发情况。此次开发的是在P型半导体中采用DBP（tetraphenyldibenzoperiflanthene）、在n型半导体中采用C60（富勒烯）的有机薄膜太阳能电池。面积为0．033cm^2时,转换效率为3．6％。此前采用低分子有机薄膜的太阳能电池,大多在P型半导体中采用CuPc（铜酞菁）。此次三洋电机采用CuPc,虽然试制出了面积为0．026cm^2的有机薄膜太阳能电池,但转换效率仅有1．4％。     

衬底温度对ITO和ITO:Zr薄膜性能的影响

利用双靶共溅法在玻璃衬底上沉积了Zr掺杂ITO薄膜,对比研究了在不同衬底温度下ITO和ITOZr薄膜性能的变化.XRD和AFM分析表明,ITOZr比ITO薄膜具有更好的晶化程度和较低的表面粗糙度,Zr的掺入促进薄膜晶化的同时导致了(222)晶面向(400)晶面取向的转变.室温下Zr的掺杂显著改善了薄膜的光电性能,方阻由260.12 Ω降为91.65Ω,光学透过率也有所上升.随着温度的上升,方阻可达到10 Ω,薄膜也表现出明显的"B-M"效应,通过直接跃迁的模型得出ITOZr比ITO薄膜具有更宽的光学禁带.共溅法制备的ITOZr薄膜比传统的ITO薄膜展现了更好的综合性能.