μc-SiC/poly-Si异质结太阳能电池制造中的一些技术分析

应用计算机数值模拟方法计算n＋（μc－SiC：H）／p（poly－Si）及n＋（μc－SiC∶H）／i（a－SiC∶H）／p（poly－Si）异质结太阳能电池中的电场强度分布，说明μc－SiC／poly－Si异质结电池制造中μc－SiC：H膜厚选择，进而对嵌入a-SiC∶H薄层的μc－SiC／poly－Si异质结太阳能电池设计进行分析，包括a－SiC∶H薄层N型掺杂效应，最后讨论μc－SiC／poly－Si太阳能电池稳定性。     

P-Ge_(0.05)Si_(0.95)/P-Si异质结的I-V特性和光响应

在P型（100）Si衬底上，采用MBE法生长一层厚约2．5μm的P-Ge0.05Si0.95，形成P-GeSi／P－Si异质结。测试了它的I一V特性，并用双肖特基二极管模型进行了分析，两者大体符合。测试还发现，在白光强度和爱光面积相同的情况下，P－Ge0.05Si0.95／P－Si异质结的光响应电流是SiPIN结构的7-8倍。     

Pb(Zr,Ti)O_3铁电场效应晶体管的制备及性能研究

采用PLD（PulsedLaserDeposition）工艺制备Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构．这种结构的铁电场效应晶体管（FFET）的电性能由I－V和C－V特性表征．Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构的C－V曲线表现为极化开关，对应500nmPZT，记忆窗口约3V．实验表明Au／PZT／SiO2／Si栅结构实现了铁电体场效应存储性能．     

大跨导n型Si／SiGe调制掺杂场效应晶体管

报道了第一支0．25um栅长n型Si/SiGe调制掺杂场效应晶体管的制作和器件特性结果，器件用于超高真空／化学汽相淀积（UHV／CVD）制作的器件，在300K（77K）下，应变Si沟道的迁移率和电子薄层载流子的深度为1500（9500）cm2/V.s和2．5×10^12(1.5*10^10)cm^-2，器件电流和跨导分别为325mA/mm和600mS/mm，这些值远优于Si MESFET，它们可与所获得的GaAs/Al-GaAs调制掺杂晶体管的结果相媲美。     

一种新的SOI制备技术:H~+离子注入、键合和分离

H＋离子注入Si片并经一定条件退火，可在Si片中形成埋层微空腔（microcavity）层，结合Si片键合技术，用智能剥离（Smart－cut）技术成功地制备了Unibond－SOI材料，并用扩展电阻（SRP）、卢瑟福背散射（RBS／C）和剖面透射电子显微镜（XTEM）等初步分析了其结构和电学性质．     

高开关比（I_（on）／I_（off））a－Si TFT

本文报道了采用倒置交错结构（Ｔａ／（Ｔａ２Ｏ５）ＳｉＮｘ／ｉｎ＋ａ－Ｓｉ／Ａ１）的ＴＥＴ矩阵研究结果．其关态电流（Ｉ_ｏｆｆ（－５Ｖ））在５—７×１０￣－１４Ａ（对Ｗ／Ｌ＝１０），开态电流Ｉ_ｏｎ（Ｚ０Ｖ）大于１０μＡ，Ｉ_ｏｎ／Ｉｏｆｆ在１０８量级，场效应迁移率可达０．７９ｃｍ２／Ｖ．ｓ．     

Triode PECVD氢稀释制备的nc-Si:H薄膜的新结果

采用三极管型等离子体增强化学汽相淀积（TriodePECVD）系统，适当选取硅烷（SiH4）和氢气（H2）流量比制备纳米硅（nc-Si：H）薄膜．保持栅极偏压为－100V，改变SiH4、H2流量比可以得到薄膜从非晶硅（a－Si：H）到nc－Si：H的结构转变，其氢气流量比例[H2]／（[H2]＋[SiH4]）的阈值为93．3％．随着流量比进一步增大，晶化比例从12％增大至50％，但晶粒尺寸基本保持不变，nc－Si晶粒的平均尺寸约2．5nm，这是不同于常规二极管PECVD、氢稀释制备的nc－Si：H薄膜的新结果，并从实验上验证了电导率和电子迁移率的渗流现象．     

新型Al金属化系统微波器件EB结的可靠性研究

对具有Ａｌ－Ｓｉ－Ｐｄ／ＴｉＮ／Ｔｉ／ＰｔＳｉ／Ｓｉ（样品Ａ）和Ａｌ－Ｓｉ－Ｐｄ／Ｔｉ／ＰｔＳｉ／Ｓｉ（样品Ｂ）两种新型金属化结构的微波管的ＥＢ结在不同温度、相同电流条件下进行了加速寿命试验，得到其中值寿命（ＭＴＦ）相差近一倍，激活能分别为０．９２和０．７９ｅＶ，并给出了在温度和电流应力下ＥＢ结反向击穿特性的变化规律     

红外区熔再结晶SOI GE_XSi_(1-X)合金沟道P-MOSFET的研究

在红外区熔再结晶SOI材料上用MBE的方法形成Si／GexSi1－x／Si量子阱结构．在此基础上，采用常规的P－MOS工艺制造出了SOIGexSi1-x合金沟道P－MOSFET．为避免GexSi1-x合金材料发生蜕化，MBE以后除快速热退火（RTA）以外的所有工艺温度都不超过800℃．直流特性的测量结果表明，与普通Si沟道器件相比，GexSi1-x合金沟道器件的沟道载流子迁移率有所提高．而且，这种器件在性能的进一步提高方面存在着相当大的潜力．     

(ZnSe)_n/(Ge_2)_n(110)超晶格的电子结构和光学性质

用线性Muffin－Tin轨道（LMTO）能带计算方法对匹配超晶格（Znse）n／（Ge2）n（n=2－5）系统进行超元胞自洽计算。在此基础上，用冻结势方法计算该超晶格系统的价带带阶（bandoff－set）；用四面体方法计算了该系统的联合态密度，由此计算了该系统的光学介电函数应部ε2（ω）。计算结果表明，该超晶格系统的价带带阶约为1．44eV。（Znse）n／（Ge）n（110）超晶格的光吸收峰结合了体材料Znse和Ge光吸收峰的特点。     

飞行时间质谱法研究Si（CH3）4分子的多光子解离和电离过程

采用超声分子束技术,以飞行时间（TOF）质谱仪,于410－371nm内,在不同能量的激光作用下,着重检测了气相Si(CH3)4分子在15个波长点处的多光子电离（MPI）TOF质谱分布。根据实验结果,讨论了Si(CH3)4可能的MPI机理,得到了Si^ 主要来自于母体分子及中性碎片的多光子解离－硅原子的共振电离、Si(CH3)n^ (n=1,2,3）主要来自于中性碎片Si(CH3)n(n=1,2,3）的自电离、而Si(CH3)4^ 则来自于母体分子的（3＋1）电离的结论。     

新型AI金属化系统微波器件EB结的可靠性研究

对具有Ａｌ－Ｓｉ－Ｐｄ／ＴｉＮ／Ｔｉ／ＰｔＳｉ／Ｓｉ（样品Ａ）和Ａｌ－Ｓｉ－Ｐｄ／Ｔｉ／ＰｔＳｉ／Ｓｉ两种新型金属化结构的微波管的ＥＢ结在不同温度、相同电流条件下进行加速寿命试验，得到其中值寿命相差近一倍，激活能分别为０．９２和０．７９ｅＶ，并给出了在温度和电流力下ＥＢ结反向击穿特性的变化规律。     

高稳定性数控恒流器件

介绍一种数控恒流器件。它具有Ｄ／Ａ转换功能,采用模块结构,最大输出电流ＩＯ可达２Ａ。样管的ＩＯ变化范围０～２Ａ;电流温度系数为（０．１～２．０）×１０－５℃－１;电流稳定度为（０．１～１．０）×１０－４Ｖ－１;起始电压低于０．５Ｖ;体积小、功率损耗低。     

固体C_（70）／P型Si接触的电学性质

我们制成固体Ｃ７０／ｐ型Ｓｉ单晶半导体异质结电流电压（Ｊ－Ｖ）测量表明该结具有强整流作用，当偏压为±２Ｖ时，其整流比大于１０４倍电流温度（Ｊ－Ｔ－１）测量表明结的正向电流与温度的倒数呈指数关系，从中可得接触势垒的有效高度为０．２７ｅＶ．     

Total Dose Radiation-Hard 0.8μm SOI CMOS Transistors and ASIC

介绍了采用全剂量SIMOX SOI材料制备的0．8μm SOI CMOS器件的抗总剂量辐射特性，该特性用器件的阈值电压、漏电流和专用集成电路的静态电流与高达500krad（Si）的总剂量的关系来表征．实验结果表明pMOS器件在关态下1Mrad（Si）辐射后最大阈值电压漂移小于320mV，nMOS器件在开态下1Mrad（Si）辐射后最大阈值电压漂移小于120mV，器件在总剂量1Mrad（Si）辐射后没有观察到明显漏电，在总剂量500krad（Si）辐射下专用集成电路的静态电流小于5pA．     

Si基有机异质结势垒特性的研究

在电阻率为０．２Ω．ｃｍ的ｐ－Ｓｉ衬底上沉积了厚度为２０ｎｍ的有机半导体材料四甲酸二酐（ＰＴＣＤＡ）薄膜,由此形成有机／无机异质结。从它们的能带结构出发,通过实验测试分析了这种有机／无机半导体异质结（ＯＩＨＪ）的电容－电压及电流－电压特性。     

1999年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(2)

135 GaAs MMIC中基于Si3 N4的电容器的TDDB模型（A TDDB Model of Si3N4 Based Capacitors inGaAs MMICs）-1999 International ReliabilityPhysics Symposium pp．128－137． 首先研究了金属－绝缘体－金属电容器 （MIMCAP）中氮化物电流传导与温度的关系。确定了氮化物的固有击穿特性，经过适当修改后应用到TDDB理论上。然后预计了MIMCAP和产品基片的可靠性。通过电容器的上升电压击穿测量和产品基片的长期老化实验对TDDB模型进行校准。并讨论了有任意温度和电压记录的产品基片的预计方法。 136 BICMOS过程中闩锁…     

金属/绝缘层/硅(MIS)隧道二极管的发光机理

金属／绝缘层／硅（ＭＩＳ）隧道发光二极管的发光机理可以归结为表面等离极化激元（ＳＰＰ）与界面粗糙度的耦合．电流－电压特性曲线中６．５Ｖ附近的一个负阻和发射光谱中４７５ｎｍ的峰显示,在硅／二氧化硅界面激发起了与之相应的等离子体振荡．     

二氧化锡/多孔硅/硅光伏特性研究

测量了二氧化锡（SnO2）／多孔硅（PS）／硅（Si）的光电压谱，分析表明：在SnO2／PS／Si材料中存在着两个异质结；当样品吸附还原性气体时，其光电压明显下降。当样品在1％液化石油气的氛围时（相对于空气），光电压减少了16．4％-27．5％；在1％CO氛围时，减少了8．1％-19．4％；在1％H2氛围时，减少了12．1％-14．9％，因此SnO2／PS／Si可作为一种新的敏感元件。文中还对测量结果进行了讨论分析。     

火控文摘

167美海军陆战队优先发展夜视瞄准系统国际航空．－1994，（3）．－45～46168军用航空电子系统的进展推动了高速总线的研究／／国际航空，－1994，（3）．－55～57169吸取海湾战争教训美国加强战场识别技术研究／／国防科技简报．－1994，（5），－1～2170热成像系统的军事应用与市场情况／／兵器情报．－1993，（106），－2～5171美国空军机载光电系统研制和采购计划／／兵器快报．－1993，（115）．－2～15172军用光电侦察装备的发展／／应用光学．－1993，14（6）．－1～5173军用计算机技术发展的新特点／／抗恶劣环境计算机．－1994，8…