条形DH半导体激光器的自发发射因子

本文从理论上和实验上系统地研究了具有非自建增益波导的条形半导体激光器自发发射因子及其象散因子与波导尺寸、偏置电流和不同纵模等的关系.发现自发发射因子随电流变化并不是一常数,它在阈值电流附近有突变.采用自洽决定波导结构的方法得出增益波导的象散因子K只比折射率波导的K大几倍.指出从与实际不太符合的固定的复折射率分布模型出发是造成K大达两个量级的原因,并判明了目前尚有争论的两种象散因子表达式的正误.     

405nm半导体激光器

Photonic Products公司的Sanyo405nm半导激光器能提供20mW、45mW或者85mW的能量输出。DL-4146—101S能输出20mW的光学能量,阈值电流26mA,典型的工作电流为35mA,工作电压4．8V,监控输出电流0．2mA。DL-5146—101S型号提供45mW能量输出,阈值电流为35mA,典型工作电流70mA,工作电压5．2V,监控输出电流0．3mA。最后,85mW的DL-7146—101S激光器,阈值电流为45mA,典型工作电流110mA。工作电压5．4V,监控输出电流0．3mA。     

1940nm半导体激光器系统

长春新产业光电技术有限公司推出了1940nm半导体激光器,输出功率为1000mW,发散角〈3mrad,出光孔光斑5mm×8mm,功率稳定性好,波长稳定性高,可靠性高,经济实用,并具有输出功率可控功能;该波长的光纤耦合激光系统输出功率可达8W。     

高温CW半导体激光器的阈值电流

用载流子速率方程分析了高温CW半导体激光器(LD)阈值电流(I_(th))与温度(T)的关系.数值计算结果分别给出了与T有关的腔内损耗、双分子复合和俄歇过程以及载流子泄漏效应对I_(th)的贡献大小.     

半导体DH条型注入激光器中侧向载流子波导引起的本征自脉动

本文从理论上分析DH条型半导体注入激光器的侧向光场和载流子分布及其相互作用对瞬态过程的影响.首次较严格地实现了速率方程和场方程联立用数值法求瞬态解.计算结果表明,在载流子的折射率波导和扩散较大时,在一定的电流范围内条型激光器有可能出现以侧向束宽有持续的、明显的振荡为特征的“本征”自脉动.     

大功率GaInP/AlGaInP半导体激光器

制备了大功率实折射率GaInP/AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器.所用外延材料在15°偏角的GaAs衬底上由有机金属气相外延一次外延生长得到.制备的激光器具有双沟脊波导结构,条宽和腔长分别为3和900μm,前后端面分别蒸镀5%的增透膜和95%的高反膜.分析了室温连续激射时激光器的光电输出性能.阈值电流的典型值为32mA,光学灾变阈值为88mW,功率为80mW时的工作电流为110mA,斜率效率为1W/A,串联电阻为3Ω.基横模光输出功率可达60mW,60mW时的平行结和垂直结的远场发散角分别为10°和32°,激射波长为658.4nm.器件的内损耗为4.1cm-1,内量子效率达80%,透明电流密度为648A/cm2.     

515nm半导体泵浦固体激光器

新产业激光在研发1030nm激光器成功的基础上．近期继续发布一款新产品,MGL-F系列515nm半导体泵浦固体激光器,在室温条件下采用InGaAs端面抽运。实现Yb：YAG的1030nm波长的准三能级系统激光运转,经倍频晶体,获得了10mW的515nm倍频光输出。此波长激光器有望代替氩离子激光器（最强波长为514．5nm和488nm）。     

1996—1997半导体激光器市场

１９９６年世界各类激光器市场销售２８亿美元，其中二极管激光器销售额已超过非二极管激光器达１６亿美元，占５７％。１９９７年预期总销售总额为３３亿美元，增长１８％，其中二极管半导体激光器为１９亿美元，占总额的６３％，增长１９％。     

高功率14xxnm半导体激光器

高功率14xxnm半导体激光器是光纤Raman放大器的理想泵浦源,它能够提供大功率、宽带输出,而且其动态可调谐,频率稳定性好,成本低。本文详细介绍了高功率14xxnm半导体激光器的材料生长、器件结构和封装工艺,总结了AlGaInAs材料生长的难点和结构方面的改进措施,指出了带有锥形增益区的脊形波导结构是获取高功率、良好远场单模特性的有效途径。本文还报导了国内外高功率14xxnm半导体激光器的最新产品性能和研发状况,指出了国内进一步研制高功率14xxnm激光器的研究难点和重点。     

515nm半导体泵浦固体激光器

新产业激光在研发1030nm激光器成功的基础上,近期继续发布一款新产品,MGL—F系列515nm半导体泵浦固体激光器,在室温条件下采用InGaAs端面抽运,实现Yb：YAG的1030nm波长的准三能级系统激光运转,经倍频晶体,获得了10mW的515nm倍频光输出。此波长激光器有望代替氩离子激光器（最强波长为514．5nm和488nm）。     

高功率793 nm半导体激光器

针对掺铥光纤激光器泵浦源的需求,研制了波长为793 nm的高功率半导体激光芯片和尾纤耦合模块。激光器外延采用了非对称大光腔的波导结构,降低了模式损耗,波导采用无铝的GaInP材料,结合真空解理钝化工艺提高了腔面损伤阈值。通过外延结构和腔面镀膜的优化,研制的激光器单管输出功率达到12 W@11A,在输出功率8 W时通过了300 h老化测试。采用7只单管制备了尾纤耦合模块,耦合至100 μm NA.0.22光纤中,输出功率为40 W@7A,电-光效率为49.5%@40 W。     

515nm半导体泵浦固体激光器

新产业激光在研发1030nm激光器成功的基础上,近期继续发布一款新产品,MGL-F系列515nm半导体泵浦固体激光器．在室温条件下采用InGaAs端面抽运,实现Yb：YAG的1030nm波长的准三能级系统激光运转,经倍频晶体,获得了10mW的515tim倍频光输出。此波长激光器有望代替氩离子激光器（最强波长为514．5nm和488nm）。     

515nm半导体泵浦固体激光器

新产业激光在研发1030nm激光器成功的基础上,近期继续发布一款新产品,MGL-F系列515nm半导体泵浦固体激光器,在室温条件下采用InGaAs端面抽运。实现Yb：YAG的1030nm波长的准三能级系统激光运转,经倍频晶体,获得了10mW的515nm倍频光输出。此波长激光器有望代替氩离子激光器（最强波长为514．5nm和488nm）。     

大功率GaInP/AlGaInP半导体激光器

制备了大功率实折射率GaInP/AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器.所用外延材料在15°偏角的GaAs衬底上由有机金属气相外延一次外延生长得到.制备的激光器具有双沟脊波导结构,条宽和腔长分别为3和900μm,前后端面分别蒸镀5%的增透膜和95%的高反膜.分析了室温连续激射时激光器的光电输出性能.阈值电流的典型值为32mA,光学灾变阈值为88mW,功率为80mW时的工作电流为110mA,斜率效率为1W/A,串联电阻为3Ω.基横模光输出功率可达60mW,60mW时的平行结和垂直结的远场发散角分别为10°和32°,激射波长为658.4nm.器件的内损耗为4.1cm-1,内量子效率达80%,透明电流密度为648A/cm2.     

808 nm半导体激光器的温度特性

用波长漂移法测试了808 nm半导体激光器额定功率分别为1 W,2 W,3W的器件在不同的输出功率下的热阻,得到额定功率为1 W的器件在输出功率为1 W时的热阻最小为4.28 K/W,额定功率为2 W的器件在输出功率为2 W时的热阻最小为5.45 K/W,额定功率为3 W的器件在输出功率为3 W时的热阻最小为5.5 K/W。并对额定功率为3 W的器件在不同的占空比下进行了测试,0.5%占空比脉冲条件下温升相当于持续条件下温升的19.6%。并用ANSYS模拟了器件温度随时间的变化,得出脉冲的特点是1 ms温升就能达到稳态的50%,0.1 s就能达到稳态的95%以上。     

GS—DFB半导体激光器的优化设计

对ＧＳ－ＤＦＢ半导体激光器的参数进行了优化设计。采用脉冲峰值功率、脉宽、谱宽、脉宽谱宽积以及峰值功率与脉宽谱宽积之比等参数来综合描述激光器输出脉冲特性，研究了这些参数随偏置电流、调制电流等外部参数的变化，并找出了相应的优化值。     

半导体DH条形激光器的瞬态稳定性与稳态稳定性的关系

从实验上研究了GaAs-Al_xGa_(1-x)AsDH条形激光器的稳态束腰、束宽和激光功率随电流变化的规律与瞬态自脉动的关系。随着稳态注入电流的变化,激光器的垂直束腰位置都在镜面上,其束宽不变;不管水平束腰位置是否有变化,水平束腰宽有明显变化时,其瞬态往往出现自脉动,而出现自脉动的电流范围往往在光功率特性的A、B扭折之间。     

高可靠性大功率808 nm半导体激光器

研制了一款基于AlGaInAs/AlGaAs应变补偿量子阱大光腔结构的808 nm半导体激光器.采用金属有机物化学气相沉积方法外延生长,在超高真空环境下进行圆片解理,然后原位沉积钝化膜,最后在镀膜机内沉积增透膜和高反膜,避免了激光器腔面在空气中解理容易使其被空气中的氧和碳等杂质污染.对封装好的半导体激光器进行了电光特性测试.测试结果表明,器件的波导宽190 μm、腔长4 mm,25℃时的阈值电流为1.5A,12 A直流驱动下的输出功率达到12.47W,最高电光转换效率为61.3％,腔面没有出现灾变性光学烧毁.器件的快轴发散角为28°,慢轴发散角为8°.器件在45℃、14A的驱动电流下工作8000 h没有失效,并由此推算器件在25 ℃、12A的恒流驱动下,寿命大于100000 h.