HgCdTe光导探测器阵列

为前视红外系统发展了200元光导阵列。制作这种阵列时,要严格控制晶体生长过程中的热流,掺铟控制裁流子浓度。由50元的片子拼接而成。77K 时这个阵列的探测率均匀,D~*平均值(12微米,1000,1)为3.2×10~(10)厘米·赫~(1/2)瓦~(-1)(视场50°)。     

HgCdTe光导探测器的优化设计

利用牛顿迭代法,在一维理论的基础上,计算机模拟优化设计了工作在8～14μm波段HgCdTe光导探测器的各项参数。结果表明,器件厚度取6μm,长度取100～150μm,环氧树脂胶粘层<3μm,净掺杂浓度取1.4×10~(15)cm~(-3),表面复合速度取500cm/s,电场强度取10V/cm为佳。该法亦可使用于其他光导探测器的优化设计中。     

新型长波长InP基谐振腔增强型光探测器

介绍了一种新型长波长InP基谐振腔增强型(RCE)光探测器。通过V(FeCl3):V(H2O)溶液对InGaAs牺牲层的选择性湿法腐蚀,制备出具有InP/空气隙的高反射率分布布拉格反射镜(DBR),并将该选择性湿法腐蚀技术成功地应用到长波长InP基谐振腔增强型光探测器的制备中去,从而彻底解决了InP/InGaAsP高反射率分布布拉格反射镜难以外延生长的问题。所制备出的谐振腔增强型光探测器,其台面面积为50μm×50μm,底部反射镜为1.5对的InP/空气隙分布布拉格反射镜,顶部反射镜靠InGaAsP与空气的界面反射来实现。测试结果表明,该谐振腔增强型光探测器在波长1.510μm处获得了约59％的峰值量子效率,在3V反偏压下暗电流为2nA,3dB响应带宽达到8GHz。     

高性能InP基谐振腔增强型长波长光探测器

介绍了目前实现高性能InP基谐振腔型(RCE)长波长光探测器的几种方案。采用InP 空气隙DBR结构、正入射光、响应波长为1550nm的高灵敏度、高速InP基长波长RCE光探测器,在1510nm波长处获得了59%的量子效率,在器件台面面积仍很大的情况下(50μm×50μm),获得了8GHz的3dB响应带宽。     

微波偏压亚毫米波GaAs光导探测器

对两种亚毫米波GaAs探测器进行了研究;对直流偏压及微波偏压GaAs光导探测器进行了比较和评价。微波偏压所呈现的主要特点是带宽比直流器件宽。     

微波偏压光电导调幅光探测器

本文介绍一种具有光电导材料的微波谐振腔。根据腔体耦合系数及互作用参数(包括光电导体参数和入射光信号振幅),推导了由腔体所反射的功率变化。文中讨论了由于光电导体响应所产生的腔体耦合和高频向上转移的效应。提出的实验证据与分析结果十分一致。     

HgCdTe光导探测器的磁阻特性

测量了３个ＨｇＣｄＴｅ光导器件和一块液相外延生长ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料的磁阻．用两种载流子模型的约化电导张量（ＲＣＴ）过程对实验数据进行了分析，拟合结果与实验值符合得很好．     

HgCdTe光导探测器的失效分析

利用剥层分析技术对已知失效的ＨｇＣｄＴｅ光导探测器进行逆向分析，研究了器件制造过程中主要工艺引入的缺陷以及形貌，寻找器件失效原因，并分析了工艺损伤与器件电性能的关系。     

HgCdTe光导探测器的低频噪声

Hg_0.73Cd_0.27Te光电导探测器的低频噪声频谱呈1/f关系,测得不同样品的S_v/V~2值随偏置电场变化而变化,说明陷阱效应引起载流子数起伏是主要的低频噪声源,只有表面状态较为理想的样品的S_v/V~2值才接近Hooge关系的计算值,迁移率起伏上升为主要的1/f噪声源.Hooge关系可以作为区分陷阱效应和迁移率起伏两类噪声源的判別标准.     

InSb光导探测器量子效率研究

在对InSb光导探测器量子效率理论分析的基础上,提出两种可有效提高量子效率的方法及其实现方法,并给出相关的应用结果。     

InP/GaAs异质外延及异变InGaAs光探测器制备

借助超薄低温InP缓冲层,在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层,在InP外延层中插入了15周期In0.93Ga0.07P/InP应变层超晶格(SLS),进一步阻断了失配位错穿透到晶体表面,提高了外延层的晶体质量,这样2.5 μm厚InP外延层的双晶X射线衍射(DCXRD)ω扫描半高全宽(FWHM)值降低至219 arcsec,该InP外延层的室温光荧光(PL)谱线宽度仅为42 meV.在此基础上,只利用超薄低温InP缓冲层技术就在半绝缘GaAs衬底上成功地制备出了长波长异变In0.53Ga0.47As PIN光电探测器,器件的台面面积为50 μm×50 μm,In0.53Ga0.47As吸收层厚度为300 nm,在3 V反偏压下器件的3 dB带宽达到了6 GHz,在1 550 nm波长处器件的响应度达到了0.12 A/W,对应的外量子效率为9.6%.     

20元长波HgCdTe光导探测器列阵

本文报道了利用单片工艺和特殊的镶嵌技术,获得了20元HgCdTe光导探测器列阵,并给出探测器列阵性能以及工艺中所需注意的问题。     

短波红外InGaAs／InP光伏探测器系列的研制

采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层,研制了波长扩展的InGaAs/InP光伏探测器系列,其室温下的截止波长分别约为1.9μm,2.2μm.和2.5μm.对此探测器系列在较宽温度范围内的性能进行了细致表征,结果表明在室温下其R0A乘积分别为765,10.3和12.7Ωcm2,比室温降低100K时其暗电流和R0A可改善约3个量级.瞬态特性测量表明此探测器系列适合高速工作,实测响应速度已达数十ps量级.     

昆明物理研究所HgCdTe光导探测器的现状及发展

“七五”,“八五”期间,昆明物理研究所成功地研制和发展了ＨｇＣｄＴｅＳＰＲＩＴＥ探测器组件和多元短线列光导ＨｇＣｄＴｅ探测器组件,本文简要报道这两种探测器组件的现状和今后的发展。     

光学浸没型双色HgCdTe光导探测器

本文利用光学浸没原理以及叠层双色探测器工作原理,研制出浸没型3μm～5μm,8μm～12μm双色HgCdTe光导探测器.3μm～5μm探测器峰值探测率可达10~(11)cmHz~(1/2)/W;8μm～14μm探测器峰值探测率达7.0×10~(10)cmHz~(1/2)W.峰值响应率可达10~3V/W.     

体晶ZnO光导探测器制备与测试

在体单晶ZnO的Zn面和O面通过直流溅射金属薄膜,并采用剥离电极成型方法制备梳妆电极,从而制备出体晶ZnO紫外光导探测器.对Pt/ZnO/Pt的伏安特性测试研究表明,金属Pt和ZnO形成很好的欧姆接触,而Zn面的器件电阻明显低于O面的器件电阻.对制成的紫外探测器的光电性能测试表明,器件制备极性面的选择,测试的调制频率、偏置电压对器件的性能有较大影响,最终器件的电流响应率达到14.6A/W.     

InGaAs／InP光电探测器

InGaAs光电探测器被广泛地应用于光纤通讯领域,由于其特有的优点,国外已应用于空间遥感领域。本文简要介绍了InGaAs／InP的物理特性、PIN光电探测器结构和主要性能指标,讨论了研制InGaAs／InP空间遥感用光电探测器的意义。