A 16 bit/spl times/16 bit pipelined multiplier macrocell

A 16 bit/spl times/16 bit pipelined multiplier implemented in a two-layer metal 1.5 /spl mu/m CMOS/BULK technology has been developed. The design is based on the well-known modified Booth algorithm and is capable of operating at a 25 MHz clock rate. The multiplier is designed to be used as a macrofunction within larger chip designs. A structured design approach has been utilized so that reconfiguration of the basic array can be performed. The multiplier macrocell measures 1.7 mm/spl times/1.7 mm.     

Intel16位单片机的特殊串行通讯方式

80C196MC/MD单片机是196系列单片机中功能最强大的单片机之一，它所独有的WFG（波形发生器）功能使其在电机变频控制中倍受青睐。文中介绍了80C196MC/MD中事件处理阵列（EPA）和外设事务服务器（PTS）的结构、功能和使用方法，以及如何利用EPA和PTS实现串行通讯的技巧和设计思路。     

用于16通道16位D/A转换器的全芯片ESD保护电路

ESD保护电路是保证集成电路可靠性的重要电路之一。具有较大芯片面积和较多电源域的集成电路给全芯片ESD保护电路的设计带来挑战。基于0.6 μm CMOS工艺,设计了一种全芯片ESD保护电路,应用于5个电源域的16通道16位D/A转换器中。该D/A转换器的抗ESD能力大于2 000 V,芯片尺寸为9 mm × 9 mm。     

基于串行A／D、D／A转换器的模拟量输入输出通道的设计

文章介绍了一种采用12位串行转换芯片AD7893、DAC8512的模拟量输入输出通道,并已成功地应用于废水在线检测仪中。实践表明,采用串行式A/D、D/A转换器不但减少了系统体积,简化了系统设计,而且提高了稳定性和可靠性。     

A 16 ns 2K/spl times/8 bit full CMOS SRAM

A high-speed 2K/spl times/8 bit full CMOS SRAM fabricated with a platinum silicide gate electrode and single-level aluminum technology is described. A typical address access time of 16 ns, which is comparable to the 16-kb bipolar SRAMs, was achieved. Typical active and standby power dissipations are 150 mW and 25 nW, respectively. The platinum silicide word line reduces the total address access time by 25%. A compact cell layout design, as well as a 1.5-/spl mu/m device feature size, also gives fast access time. The properly controlled bit line swing voltage provides reliable and fast readout operation. The chip size of the SRAM is 2.7/spl times/3.5 mm.     

带有输入、输出滤波器的前置放大器

叙述了一种带有输入、输出滤波器的前置放大器的设计。在该滤波放大组件的设计中,主要解决了低插损、高隔离、小型化同轴滤波器和高增益、低噪声、温度性能稳定的放大器的优化设计,理论计算与实验结果相符合。主要研制结果:f_0=1 575.42MHz,G>39dB,NF<1.6dB,△f_(3dB)<30MHz,f_(30dB)<100MHz,f_(50dB)<200MHz。     

基于FPGA的多模式显示驱动电路设计

为了适应输入、输出显示信号的多样化，扩大显示屏的实用性，本文提出了一种基于FPGA的多模式显示驱动电路设计方案。利用FPGA对输入信号进行转换，同时嵌入自行设计的I^2C总线模块，实现了兼容接收VGA、DVI和多种电视信号，并可以支持多种显示屏的显示。     

一种电流跟踪补偿的输入输出全摆幅运算放大器

介绍了一种工作在2.5V电压下、具有全摆幅输入与输出功能的两级CMOS运算放大器。通过一种简单有效的电流跟踪电路实现了输入跨导恒定的要求，这样使得频率补偿变得容易实现；为了降低功耗，输入级工作在弱反型区：输出级采用带有前馈控制电路的AB类输出电路，实现了输出信号的轨至轨。电路具有结构简单、功耗低、面积小、性能高等优点。     

BC7280/818位/16位LED数码管显示及64键键盘控制芯片的特点和应用

BC7280/81是比高公司推出的8位/16位LED数码管显示及键盘接口专用控制芯片，可用于控制16位数码管或128只独立的LED。文中介绍了BC7280/81的主要特点，引脚功能，主要参数及接口时序，给出了它的典型应用电路和汇编语言程序。     

基于JESD204B协议高速并行8 bit/10 bit解码电路设计

提出了一种高速低延时8 bit/10 bit解码电路结构,采用四路并行通道同时处理输入数据,每一路具有K码检测、输入数据查错功能,能够在输入四路10 bit数据后的一个时钟周期内正确完成解码.所设计的解码电路通过搭建的通用验证方法学系统完成系统级功能验证,并基于65 nm工艺库进行综合、布局和布线,解码电路的面积为1 449 μm2.后仿真结果显示,解码电路的最高工作频率达415 MHz,四路可支持最高16.6 Gibit/s的串行数据传输速率,满足JESD204B协议标准推荐的最高传输速率12.5 Gibit/s的要求.将该解码电路用于支持JESD204B协议的高速数模转换器电路中,经测试,其传输速率最高达10.5 Gibit/s.     

一种采用共栅频率补偿的轨到轨输入/输出放大器

提出了一种采用共栅频率补偿的轨到轨输入/输出放大器,与传统的Miller补偿相比,该放大器不仅可以消除相平面右边的低频零点,减少频率补偿所需要的电容,还可获得较高的单位增益带宽.所提出的放大器通过CSMC 0.6μm CMOS数模混合工艺进行了仿真设计和流片测试:当供电电压为5V,偏置电流为20μA,负载电容为10pF时,其功耗为1.34mW,单位增益带宽为25MHz;当该放大器作为缓冲器,供电电压为3V,负载电容为150pF,输入2.66 Vpp10kHz正弦信号时,总谐波失真THD为-51.6dB.     

一种恒跨导轨对轨输入/输出CMOS运算放大器

设计了一种CMOS恒跨导轨对轨输入/输出运算放大器,输入级采用负反馈技术控制尾电流,能自调整gm并使之保持恒定;输出级采用前向偏置AB类输出结构,实现轨对轨输出的同时减小了静态功耗。整个电路在5 V电源电压下,电压增益达到136 dB(1 MΩ电阻和1 pF电容并联负载),单位增益带宽为9.7 MHz,相位裕度62.4°。     

基于PC/104总线的多功能扩展模块设计

工业控制系统中进行控制的PC/104总线计算机往往需要以多种方式的通信,多种功能的数据处理。论文介绍了按照PC/104标准开发带有4个串行口(2个9线RS-232、2个RS-485/442)和1个A/D数据转换及8路数字量输入输出的多功能、通用型扩展模块的方法,设计中所有的控制逻辑都由一块FPGA来实现,A/D转换后的数据也由FPGA中所设计的FIFO来进行缓冲。     

8 bit 800 Msps高速采样保持电路的设计

为适应目前无线通信领域对高速A/D转换器的要求,采用在Cadence Spectre环境下进行仿真验证的方法,对高速A/D前端采样保持电路进行了研究.提出的高速采样保持电路(SH)采用SiGe BiCMOS工艺设计,该工艺提供了0.35 μm的CMOS和46 GHz TT的SiGe HBT.基于BiCMOS开关射极跟随器(SEF)的SH,旨在比二极管桥SH消耗更少的电流和面积.在SH核心,电源电压3.3 V,功耗44 mW.在相干采样模式下,时钟频率为800 MHz时,其无杂波动态范围(SFDR)为-52.8 dB,总谐波失真(THD)为-50.4 dB,满足8 bit精度要求.结果显示设计的电路可以用于中精度、高速A/D转换器.     

A Hi-CMOSII 8K/spl times/8 bit static RAM

A Hi-CMOSII static RAM with 8K word by 8 bit organization has been developed. The RAM is fabricated using double polysilicon technology and p- and n-channel transistors having a typical gate polysilicon length of 2 /spl mu/m. The device was realized using low-power high-speed-oriented circuit design and a new redundancy circuit that utilizes laser diffusion programmable devices. The new RAM has an address access time of 65 ns, operating power dissipation of 200 mW, and standby dissipation of 10 /spl mu/W.     

16位串行模数转换器MAX1132的特性及应用

MAX1132是美国MAXIM公司生产的16位串行模数转换器，文章介绍了MAX1132的工作原理、接口特点及使用方法，给出了它在数据采集系统中的硬件电路和软件程序。     

带输入缓冲电路的12位200兆流水线模数转换器

在12 bit 200 M采样率的模数转换电路(ADC)中实现了片内CMOS输入缓冲电路,输入缓冲电路采用源极跟随器电路构架。通过分析源极跟随器的非线性特点,在输入缓冲电路中加入高通滤波电路、复制电容电路等方式,有效提高了输入缓冲电路的线性度。将该输入缓冲电路用于无数字校准的12 bit 200 M采样率的流水线型模数转换电路(ADC)中,用台积电0.18μm CMOS工艺条件下流片验证,当采样时钟为200 MHz、输入信号频率为10 MHz、振幅为1.4 V_(pp)时其失真噪声比(SNDR)为63.5 dB,无杂散动态范围(SFDR)为78.6 dBc,ADC总体功耗为500 mW。     

八位串行输入锁定驱动器MIC5841/MIC5842及其应用

MIC5841/5842是MICREL公司采用BiCMOS工艺技术生产的可驱动多种外围功率应用系统的完整8位串行输入驱动器集成电路。它内含8-bitCMOS移位寄存器、CMOS控制电路、8个CMOS数据锁存器和8个双极型电流阻断式复合晶体管输出驱动器 ,可用于驱动照明灯以及继电器、螺线管和其它感性负载。文中介绍了它的主要特点、引脚排列、内部结构和主要参数,同时给出了MIC5841/MIC5842的典型应用电路     

一种四通道16位250 MS/s A/D转换器

采用0.18μm CMOS工艺设计了一种四通道16位250 MS/s A/D转换器(ADC)。该转换器采用时间交织与流水线结合的结构,内部包含基准、时钟和数字校准等单元。芯片测试结果表明,开启数字校准后,动态指标SNR、SFDR分别达到73 dBFS和90 dBFS,通道功耗为0.25 W,优值(FoM)为0.25 pJ/(conv·step)。     

用于12位250 MS/s电荷域ADC的2.5位子级电路

提出了一种用于12位250 MS/s电荷域流水线模数转换器(ADC)的2.5位子级电路。采用增强型电荷传输电路,实现电荷传输和余量电荷计算,省去了传统流水线ADC中的高性能运放,大幅降低了ADC的功耗。该2.5位子级电路被应用于一种12位250 MS/s电荷域流水线ADC中,并采用0.18 μm CMOS工艺实现。测试结果表明,在250 MS/s采样率、20.1 MHz输入频率下,该ADC的SNR为65.3 dBFS。