非对称量子点中强耦合磁极化子的性质

采用线性组合算符和幺正变换方法研究了非对称量子点中强耦合磁极化子的性质。导出了非对称量子点中强耦合磁极化子的振动频率和基态结合能随量子点的横向和纵向有效受限长度、磁场的回旋频率和电子-声子耦合强度的变化关系。数值计算结果表明:非对称量子点中强耦合磁极化子的振动频率和基态结合能随量子点的横向和纵向有效受限长度的减小而迅速增大,表现出奇特的量子尺寸效应。振动频率和基态结合能随回旋频率的增加而增大,随电子-声子耦合强度的增加而增大。     

The energy-level and vibrational frequency properties of a polaron weak-coupled in a quantum well with asymmetrical Gaussian confinement potential

The vibrational frequency(VF), the ground state(GS) energy and the GS binding energy of the weak electron-phonon coupling polaron in a quantum well(QW) with asymmetrical Gaussian confinement potential are calculated. First we introduce the linear combination operator to express the momentum and coordinates in the Hamilton and then operate the system Hamilton using unitary transformation. The results indicate the relations of the quantities(the VF, the absolute value of GS energy and the GS binding energy) and the parameters(the QW barrier height and the range of Gaussian confinement potential in the growth direction of the QW).     

三角量子阱中磁极化子的性质

采用LLP变分方法研究了三角量子阱中磁极华子的性质。在不同的电子-声子耦合情况下,获得了基态能量、基态结合能和电子数密度、磁回旋频率之间的关系。通过数值计算表明：基态能量随电子数密度和磁回旋频率的增加而增加,基态结合能随电子数密度和磁回旋频率的增加而减小。     

非对称量子点中杂质束缚极化子性质

采用线性组合算符和幺正变换方法,研究磁场对非对称量子点中弱耦合杂质束缚极化子性质的影响。导出了非对称量子点中弱耦合杂质束缚磁极化子振动频率和基态结合能随量子点的横向和纵向受限强度、磁场的回旋共振频率、库仑束缚势和电子-声子耦合强度的变化关系。数值计算结果表明:非对称量子点中弱耦合杂质束缚磁极化子振动频率和基态结合能随量子点的横向和纵向受限强度的增大而迅速增大,表现出奇特的量子尺寸效应。     

温度对于量子线强耦合极化子振动频率的影响

采用线性组合算符和幺正变换法计算了量子线中强耦合极化子的振动频率、基态能量、基态自陷能随温度、电子-声子耦合强度以及受限长度的变化。我们发现振动频率、基态能量、基态自陷能都是温度及耦合强度的函数,且随着温度的增加而增大;受限长度也随温度及耦合强度的增加而增大,但是当温度增大到一定值时,随着温度的增加耦合强度在减小。     

强耦合表面磁极化子的基态能量和有效质量

采用Landau-Pekar变分理论研究强耦合表面磁极化子的性质。分别计算了强耦合表面磁极化子的基态能量和有效质量，并讨化了表面磁极化子的基态能量，振动频率和有效质量随磁场的变化关系。对KCL晶体进行了数值计算，结果表明，强耦合表面磁极化子的振动频率和有效质量随磁场的增加而增加，基态能量随磁场的增加而减少。     

磁场和库仑场对量子点中强耦合束缚极化子性质的影响

采用线性组合算符和幺正变换方法研究了磁场和库仑场对半导体量子点中强耦合极化子性质的影响.导出了强耦合束缚磁极化子的振动频率和基态能量与量子点的有效受限长度、库仑束缚势、磁场的回旋共振频率和电子-声子耦合强度的变化关系.数值计算结果表明:强耦合束缚磁极化子的振动频率和基态能量随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大,随磁场的回旋共振频率的增加而增大.基态能量随电子-声子耦合强度和库仑束缚势的增加而减少.     

柱型量子点中弱耦合磁极化子的激发态性质

应用线性组合算符和幺正变换研究了在量子阱和抛物势作用下的柱型量子点中弱耦合磁极化子的性质. 对AgBr量子点的数值计算表明：量子点中磁极化子的基态能量、激发态能量以及激发能均随特征频率、回旋共振频率的提高而增大；随柱高的减小而增加，且柱高愈小，增加速度愈快；激发态能量随温度的升高而增加. 这些结论说明，由于量子点的受限和磁场的增大以及温度的升高使量子点的极化加强.     

量子线中强耦合束缚磁极化子的电场效应

采用线性组合算符和幺正变换相结合方法研究了电场和温度对抛物量子线中强耦合束缚磁极化子性质的影响。计算了在电场和温度影响下抛物量子线中强耦合束缚磁极化子的基态能量、平均声子数和振动频率。数值计算结果表明：量子线中强耦合束缚磁极化子的基态能量随约束强度、回旋共振频率和电场强度的增强而增大,随耦合强度的增大和温度的上升而减小;平均声子数随回旋共振频率、约束强度和温度的增大而增加;振动频率随回旋共振频率的增大而增大,同时也随约束强度的增大而增大。     

库仑场对量子线中极化子激发态性质的影响

采用Huybrenchts线性组合算符和LLP变换方法,研究了库仑场对抛物量子线中弱耦合极化子激发态性质的影响,计算了束缚极化子的基态能量、第一内部激发态能量、激发能量和振动频率.讨论了这些量对约束强度和库仑束缚势的依赖关系.数值计算结果表明:抛物量子线中弱耦合束缚极化子的第一内部激发态能量、激发能量和振动频率都随约束...     

非对称量子点中强耦合束缚极化子的性质

采用线性组合算符和幺正变换方法研究库仑场对非对称量子点中强耦合极化子性质的影响。导出了非对称量子点中强耦合束缚极化子的振动频率、基态能量和基态结合能随量子点的横向和纵向有效受限长度,库仑束缚势和电子-声子耦合强度的变化关系。数值计算结果表明:非对称量子点中强耦合束缚极化子的振动频率、基态能量和基态结合能随量子点的横向和纵向有效受限长度的减小而迅速增大,表现出新奇的量子点的量子尺寸效应。基态能量随库仑束缚势和电子-声子耦合强度的增加而减小,振动频率和基态结合能随电子-声子耦合强度和库仑束缚势的增加而增大。     

自旋对半导体量子点中强耦合磁极化子性质的影响

在考虑电子自旋的情况下,应用么正变换和线性组合算符法研究了半导体量子点中强耦合磁极化子振动频率、基态能和基态结合能的性质.数值计算结果表明:电子自旋使磁极化子基态结合能分裂为二Eb(1/2)和Eb(-1/2),其间距与外磁场B成线性关系.当回旋共振频率小于和大于10倍声子振动频率时,Eb(1/2)随B的增大分别缓慢和迅速减小.当回旋共振频率小于和大于20倍声子振动频率时,Eb(-1/2)随B的增大分别迅速和缓慢增大.当回旋共振频率为440倍声子振动频率时,Eb(-1/2)取最大值为44倍声子能量.之后Eb(-1/2)随B的增大逐渐减小.随着磁场的加强,电子自旋影响增大.当回旋共振频率超过声子振动频率的5.97和820倍时,电子自旋能量已分别大于电子所受束缚势和电子与LO声手之间的诱生势.     

电场对半导体GaAs量子阱中束缚磁极化子性质的影响

研究了在外加电场作用下无限深GaAs半导体量子阱中束缚磁极化子的性质,采用线性组合算符及幺正变换方法导出了量子阱中弱耦合束缚磁极化子的基态能量与阱宽、电场强度、磁感应强度、库仑束缚势的变化关系,同时讨论了振动频率和库仑束缚势、外场之间的变化关系.数值计算结果表明:基态能量的绝对值将随电场强度和库仑束缚势的增加而增加,随磁感应强度和阱宽的增加而减小.当阱宽较小时,量子尺寸效应较为明显.     

电场对半导体GaAs量子阱中束缚磁极化子性质的影响

研究了在外加电场作用下无限深GaAs半导体量子阱中束缚磁极化子的性质,采用线性组合算符及幺正变换方法导出了量子阱中弱耦合束缚磁极化子的基态能量与阱宽、电场强度、磁感应强度、库仑束缚势的变化关系,同时讨论了振动频率和库仑束缚势、外场之间的变化关系.数值计算结果表明:基态能量的绝对值将随电场强度和库仑束缚势的增加而增加,随磁感应强度和阱宽的增加而减小.当阱宽较小时,量子尺寸效应较为明显.     

量子棒中强耦合氢化杂质束缚磁极化子基态性质的磁场和温度依赖性

Magnetic field and temperature dependence of the properties of the ground state of the strong-coupling bound magnetopolaron in quantum rods(QRs) with hydrogenic impurity is studied by means of the Huybrechts-Lee -Low-Pines transformation method and the quantum statistical theory.The expressions for the ground-state energy and the mean number of phonons of the magnetopolaron are derived.Results of the numerical calculations show that the bound state of the magnetopolaron cannot be formed when the value of the aspect ratio of the QR,the dielectric constant ratio,the electron-phonon coupling strength or the temperature parameter is small.The larger the deviation of the value of aspect ratio e’from 1 is,the more it is unfavorable to the stability of the ground state of the magnetopolaron.When the magnetopolaron is in the bound state,the absolute value of its ground-state energy and its mean number of phonons increase with an increase of the dielectric constant ratio and confinement strength of QRs,but decrease with an increase in the cyclotron frequency of the external magnetic field and the temperature. The absolute value of the ground-state energy and the mean number of phonons of the magnetopolaron decrease with decreasing e’when e’<1,but decrease with increasing e’when e’>1.They get the maximum value at e’=1.     

在磁场作用下氮化物抛物量子阱中杂质态能量

采用变分法研究了在外磁场作用下GaN／AlxGa1-xN无限抛物量子阱（PQW）中类氢杂质态能级,给出不同磁场下杂质态基态能、结合能随阱宽的变化关系以及能量随磁场强度变化的函数关系。数值结果表明：外磁场对类氢杂质能量和结合能均有明显的影响,杂质态能量随磁场的增强而显著增大,并且随阱宽的增大而增大;GaN／Al0.3Ga0.7 N PQW对杂质态的束缚程度比GaAs／Al0.3Ga0.7As PQW强。     

自旋对晶体内强耦合磁极化子基态能量和有效质量的影响

本文采用线性组合算符法研究极性晶体内强耦合磁极化子的特性,讨论了电子自旋对极性晶体内强耦合极化子基态能量和有效质量的影响。对ＣｓＩ晶体所作的数值计算结果表明,电子自旋取不同方向时,强耦有化子的基态能量随磁场的增加而增加或减少,电子自旋对强耦合磁极化子基态能量的影响随磁场的增加而增大。     

Binding energies of shallow impurities in asymmetric strained wurtzite AlxGa1-xN/ GaN/Aly Ga1-yN quantum wells

The ground state binding energies of hydrogenic impurities in strained wurtzite AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-y>N quantum wells are calculated numerically by a variational method. The de-pendence of the binding energy on well width, impurity location and Al concentrations of the left and right barriers is discussed, including the effect of the built-in electric field induced by spontaneous and piezoelectric polarizations. The results show that the change in binding energy with well width is more sensitive to the impurity position and barrier heights than the barrier widths, especially in asymmetric well structures where the barrier widths and/or barrier heights differ. The binding energy as a function of the impurity position in symmetric and asymmetric structures behaves like a map of the spatial distribution of the ground state wave function of the electron. It is also found that the influence on the binding energy from the Al concentration of the left barrier is more obvious than that of the right barrier.     

Electro-magnetic weak coupling optical polaron and temperature effect in quantum dot

We investigate the influence of the electric field and magnetic fields on the ground state energy of a polaron in a spherical semiconductor quantum dot (QD) using the modified Lee Low Pines (LLP) method.The numerical results show the increase of the ground state energy with the increase of the electric field and the electron-phonon coupling constant, and the decrease with the magnetic field and the longitudinal confinement length.It is also seen that the temperature is an increasing function of the cyclotron frequency and the coupling constant whereas it decreases with the electric field strength.The modulation of the electric field, the magnetic field and the confinement length leads to the control of decoherence in the system.     

在外电场作用下有限抛物量子阱中类氢杂质态结合能

采用变分方法研究GaAs/AlxGa1-xAs有限抛物量子阱中类氢杂质态能量和结合能随外电场和阱宽的变化关系.在计算中考虑了电子有效带质量和介电常数随空间坐标(或合金组分)的变化因素.结果表明,外电场对类氢杂质态能量和结合能均有明显的影响,并且这些影响随着阱宽的增大而增大.电子有效带质量和介电常数随空间坐标的变化效应使得类氢杂质态基态能量减小,结合能增大,此效应随着阱宽的增大明显变小.