聚合物电致发光材料及器件

聚合物电致发光器件由于其卓越的性能,在近年来取得了飞速发展,成为科研领域的又一热点。阐述了聚合物ＥＬＤ的工作原理,器件结构、聚合物材料的种类及分子结构,综述了影响器件发光效率和寿命的因素和解决办法,介绍了聚合物电致发光材料及器件的发展现状和目前存在的问题,并对其今后的发展趋势和应用前景进行了展望。     

Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶在光电器件方面的应用研究进展

Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶与聚合物的复合物在光电器件领域的应用近年来成为国内外研究的热点。综述了近几年来半导体纳米晶/共轭聚合物在有机/无机复合电致发光器件和太阳能电池方面的应用进展情况，着重强调了其发展历程，并对其存在的问题进行了分析，展望了其发展前景。     

高分子电致发光材料及器件的研究进展

高分子电致发光材料由于其卓越的性能,近年来取得了飞速发展。本文阐述了有机高分子电致发光材料的工作原理、种类及器件发展现状,并对今后的发展趋势和应用前景进行了展望。     

白光聚合物电致发光器件及其材料的研究进展

白光聚合物电致发光器件具有低能耗、低驱动电压、绿色环保以及可制备柔性屏等诸多优异特性,被业界公认为是21世纪最具潜质和最具发展前景的高技术领域之一。此外,白光聚合物电致发光器件可通过湿法加工技术(如旋涂、丝网印刷、喷墨打印)来制作,因而其制作成本低,在显示和照明领域有着广阔的应用前景,受到人们广泛的关注。从器件和材料两个方面开展论述,简单介绍了白光聚合物电致发光的最新研究进展,并分析了实现白光聚合物电致发光器件商用化所需解决的问题。     

有机电致发光器件的研究进展

有机电致发光器件(OELD)具有驱动电压低,功耗小,亮度高,响应速度快等优点,由其制作有机发光显示器件已被视为下一代最理想的显示技术.在简要介绍OELD器件结构、发光机理和制备工艺的基础上系统阐述了有机发光材料、OELD显示器件及驱动技术的研究进展,最后展望了该领域目前存在的问题及可能的解决方向.     

稀土离子注入的硅材料MOS结构高效率电致发光器件

本文介绍了在稀土离子Re(Re=Er、Eu、Tb、Ce和Gd)注入的SiO2金属-氧化物-硅(MOS)结构高效率电致发光器件的研究进展情况。通过将不同的稀土离子注入到SiO2薄膜,相继获得了发射光谱峰值分别位于红外(1.54μm)、可见光(618 nm5、43 nm、440 nm)至紫外(316 nm)光谱范围的MOS结构电致发光器件,并系统研究了SiO2:Re薄膜中稀土离子的电致发光特性。在SiO2:Re有效发光层的厚度为50 nm,掺杂浓度为1-3%的条件下,稀土Er、Tb和Gd离子注入掺杂的硅材料MOS结构电致发光器件在红外、绿光和紫外的量子效率分别达到14%、16%和5%,接近了商品化III-V族半导体发光二极管的水平。     

有机薄膜电致发光器件的结构

有机薄膜电致发光现象及其广阔的应用前景，激发了人们的研究兴趣。本文介绍了器件结构的研究现状。     

有机电致发光器件的电极修饰

有机电致发光器件的电极修饰可以提高器件的发光效率、寿命和稳定性.综述了有机电致发光器件电极的修饰方法及其作用,实验证明:电极修饰是提高有机电致发光器件性能的有效手段.电极修饰包括阴极修饰和阳极修饰,但由于器件的效率、性能多半受限于阴极,故阴极修饰比阳极修饰更为重要.通过对各种修饰方法的比较,提出应把各种电极修饰的方法进行优化组合以最有效地提高器件的性能.     

聚合物主体材料在磷光有机电致发光器件中的研究进展

综述了近几年用于磷光有机电致发光器件的聚合物主体材料的研究进展,着重介绍了聚咔唑类主体材料、聚芴类主体材料、聚苯乙烯类主体材料和聚间苯基类主体材料的结构单元的设计与修饰以及磷光器件性能的研究进展。同时,还展望了磷光聚合物主体材料的发展前景,提出了今后磷光聚合物主体材料的发展方向。     

宽禁带半导体氧化镓晶体和器件研究进展

β-Ga2O3作为新型宽禁带半导体材料,近年来受到了人们的广泛关注。β-Ga2O3禁带宽度可达4. 7 e V,相比于第三代半导体SiC和Ga N,具有禁带宽度更大、击穿场强更高、Baliga品质因子更大、吸收截止边更短、生长成本更低的优点,有望成为高压、大功率、低损耗功率器件和深紫外光电子器件的优选材料。此外,β-Ga2O3单晶可以通过熔体法生长,材料制备成本相对较低,有利于大规模应用。重点介绍了β-Ga2O3单晶的生长及工艺优化,然后对晶体加工、性能表征、光电探测及功率器件应用等方面进行了讨论,并展望了β-Ga2O3晶体未来的发展方向。     

ZnO半导体薄膜的研究进展

介绍了制备氧化锌薄膜的几种主要方法,包括磁控溅射法、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法、激光脉冲沉积法等;分析了氧化锌薄膜作为代替透明导电膜(ITO膜)的可行性及这方面的研究进展;阐述了氧化锌薄膜作为一种新的场发射阴极材料应用于平板显示或作为场发射电子源的研究进展,同时综述了其作为发光器件的众多优势.     

封装有机硅材料在LED电子器件中的应用进展

主要从有机硅改性环氧树脂材料、有机硅树脂封装材料和改性有机硅封装材料三个方面综述了近几年有机硅材料在LED封装中的应用及其进展.对LED电子器件的高透光率、高折光率、高导热率、耐黄变等方面与有机硅材料化学结构进行对比分析,总结其优缺点,提出有机硅材料在LED封装应用中出现了折射率低、粘度低等问题,解决这些问题可能是今后这一课题的研究重点.     

UV photoreflectance for wide band gap nitride characterization

The optical properties of hetero-polarization GaN/AlGaN (12% Al and 16.5% Al) are studied by photoluminescence (PL), photoreflectance (PR) and photoluminescence excitation (PLE) at low temperature. This material system is known to exhibit very strong internal electric fields and we show that PR spectroscopy is one of the best techniques to get a quantitative measurement of such fields, as it is a direct all-optical measurement. Electric field strength derived from FKO is approximately 120 kV/cm in AlGaN (12% Al) and 850 kV/cm in a 4.2 nm GaN QW. These values are in good agreement with other indirect determinations realized on the same samples by PL and PLE spectroscopy, but which involve computer simulations that need an accurate knowledge of geometrical and composition parameters of the samples.     

纳米半导体电极及有机-无机电致变色器件

对无机和有机电致变色材料及其在电致变色器件中的应用做了详尽地分析.重点介绍了近年来广泛研究的一种变色子修饰半导体电极的复合型电致变色器件.通过对这种有机-无机复合电致变色器件结构的剖析,分析了变色机理,展望了这种变色器件的发展动向.