离子注入能量对深结扩散表面浓度的影响

采用离子注入对半导体器件的进行掺杂,能实现精确掺杂,在半导体器件制程过程中起着举足轻重的作用。文章主要探讨相同注入剂量,不同离子注入硼与磷的能量,对于深结扩散后表面浓度的影响,从而得到较理想的工艺注入能量,以便提升注入机设备效率及产品深结扩散后的浓度稳定性,并在深结扩散器件中得到有效的利用,取得较理想的效果。     

杂质穿透二氧化硅薄层的扩散——浅结低表面浓度扩散的有效方法

结型硅光电器件的短波光谱响应灵敏度不高的原因,除了硅表面对光的短波部分有很大的反射系数(可达百分之七十)外,主要是由于硅对光的短波有相当大的吸收系数(对于3800埃其a～10~(-5)厘米~(-1),以致短波光子所产生的光生载流子几乎都集中在表面很薄的一层半导体中.然而这些光生载流子往往由于表面和扩散层中复合的损失,使达到p-n结空间电荷区而成为寻电的载流子的数目就相当少了.因此,一般硅光电器件的光谱使用范围在5000～10000埃,峰值在9000埃左右.     

用旋涂砷硅膜作源的高表面浓度浅结砷扩散

采用液态的砷硅玻璃膜作掺杂源进行高浓度、结深小于1微米的砷向硅中的扩散。报导了源浓度、源厚度和扩散气氛对扩散结果的影响。在1000℃下得到的电活性砷表面浓度为1.7×10~(20)/厘米~3。这大约相当于总砷浓度的60%。扩散的砷层处于准平衡状态,因此,其电活性砷的总量可用热处理来改变。当掺杂剂浓度从5×10~(19)/厘米~3上升到其最大值(约为2×20~(20)/厘米~3)时,则砷的扩散系数增加50倍。D 随电子浓度约成线性地增加。报导的结果与最近描述的模型是一致的,即在低温处理下,砷是通过带负电的空位和砷丛聚而扩散的。     

兩套測量宇宙射线的电子仪器制成

宇宙射线的起源到底如何,是近代各国物理学家,天文学家以及其他许多有关科学家们还在不断讨探的一个难题。因此测量宇宙射线的工作,在科学上具有着极重大的意义。天津南开大学物理系电子物理教研组,最近试制成功两套测量宇宙射线的电子仪器——“十路微分甄别器”和“宇宙射线分析器“.这两套仪器共有三百七     

太克全新射頻量測現場工具具備業界最寬廣的數位信號量測能力

太克公司在日前正式發表了Signal Scout RFM151,這個數位服務與類比視訊傳輸現場工具最大特色之一就是在於:具有儀器界中最寬闊的射頻數位信號量測能力。這個攜帶式工具專為技術人員設計,用以佈     

多晶硅层中的硼扩散

用氮化硼和乙硼烷作扩散源,将硼扩散到5.5微米厚的多晶硅中。扩散深度与扩散时间的平方根成正比。多晶硅层中的硼扩散可用熟知的补余误差函数表示。硼源用乙硼烷时多晶硅中硼的扩散系数,比用氮化硼时要大,而且在实验范围内比单晶硅衬底中要大10～50倍。在1050℃用乙硼烷作硼源在单晶硅衬底中硼的扩散系数,用氮化硼和乙硼烷作硼源时在多晶硅中硼的扩散系数分别为:8.86×10~(-14),1.17×10~(-12)和1.95×10~(-12)厘米~2/秒。在以上情况中,硼的扩散系数的激活能分别为3.42,2.39和2.51电子伏。     

硅中硼扩散运动对氧化层错的影响

本文讨论了硼在硅中的扩散运动对氧化层错生长和收缩动力学的影响.一方面,硼的扩散运动降低氧化层错的激活能,使层错的生长速度增加;另一方面,却又抑制层错的产生和促使层错消失,使氧化层错的密度减小.在推填子扩散模型中,硼原子的扩散增强了过剩硅间隙原子的扩散,从而促进了层错的生长;而硼扩散引入的失配位错,在生长过程中抑制了某些层错的产生;在退火过程中又促使某些层错断裂和消失,从而降低了层错的密度.     

TiOx层在Pt/Ti电极中对Ti扩散的抑制作用

采用直流磁控溅射方法在SiO2/Si衬底上制备出Pt/Ti和Pt/TiOx底电极。用XRD分析其晶相结构,用AFM测量其晶粒尺寸和表面粗糙度。结果表明,用TiOx层代替金属Ti后,能有效地抑制在高温环境下Ti原子向Pt层扩散,使电极表面粗糙度减小(粗糙度为2.99 nm)。     

90nm技术中接触层Cu扩散缺陷分析与解决方案

在90 nm工艺时代,接触孔工艺问题对于提升90 nm产品的成品率具有重要意义.基于在90 nm工艺中接触孔四周存在的较为严重的Cu扩散问题,通过失效分析,确定引起Cu扩散问题的主要原因是由于光刻胶残留造成的.通过合理的设计,优化了光刻胶清洗流程,最终达到成品率提升的目的.     

扩散pn结扩散p区中平均少子扩散长度的测定

本文分析了用表面光压(SPV)法测量扩散pn结扩散p区中平均少子扩散长度的可行性,给出了有效少子扩散长度L_0与结深x_i、扩散区及衬底少子扩散长度L_1、L_2的关系曲线;提供了一种确定扩散区少子扩散长度的方法。     

层合板激光弯折区过渡层元素扩散及材料性能

分别对厚度为1.0,1.5,2.0mm的不锈钢-碳钢层合板进行激光弯曲试验。采用金相显微镜、电子探针和扫描电镜能谱仪对激光弯折区的元素扩散现象进行分析;采用纳米压痕试验测得过渡层附近的纳米硬度及弹性模量分布,对过渡层处纳米硬度、弹性模量和屈服强度的变化进行了分析。结果表明,弯折区过渡层处元素沿板厚方向连续稳定扩散,Fe、Ni、Cr元素扩散范围相近,1.0,1.5,2.0mm厚层合板的过渡层厚度分别增加了2.5,3.5,3.0μm。元素扩散促进了过渡层的冶金结合,保证了层合板过渡层的材料性能。     

在不同的推进气氛中硼与磷对二氧化硅层的穿通扩散

据研究发现,当采用掺杂多晶硅作为扩散源时,硼与磷会扩散到热生长二氧化硅层中去,这种扩散的快慢与推进气氛有关,在氢气中扩散最快。根据双边界扩散模型,我们计算出了扩散系数。硼在二氧化硅中的扩散系数比磷大约要大两个数量级。这点对于硅栅工艺来说非常重要。在 P 沟硅栅晶体管中.由于硼从掺杂多晶硅栅电极扩散到栅氧化层中去,从而会引起晶体管性能的不稳定。     

InSb中镉的扩散

引言在资料所报道的多数研究工作中,将锌或镉受主扩散入n型衬底,是InSb形成pn结的最常用方法。近期研究表明,以反向电流小作主要标准时,扩散Cd的衬底与扩散Zn的衬底相比,前者制成的二极管电性能较好。所报导的方法通常采用不同的Zn或Cd扩散源,例如锌元素、镉锌或镉铟合金,在单一温度的密闭安瓿中进行扩散。     

基于双树复数小波降噪的扩散张量估计

本文引入了一个从扩散加权图像序列中估计扩散张量的新过程。此过程的第一个步骤是对扩散加权图像降噪,降噪的算法基于双树复数小波变换和双变量收缩规则;第二个步骤对降噪后的扩散加权图像使用最小二乘法估计扩散张量。我们在模拟二阶张量场和真实DT-MRI数据集上进行了实验,与扩散张量估计后的平滑方法相比,先对扩散加权图像降噪能够得到更加精确的张量场估计。估计的扩散张量场的客观结果及主观评价可以说明,本文提出的估计过程可以很好地改进最终的扩散场的质量。     

空位对Cu/Sn焊点中Cu3Sn层元素扩散的影响

为了探究温度和空位浓度对Cu3 Sn层中各元素扩散行为的影响,基于分子动力学方法,使用LAMMPS软件模拟了Cu3 Sn层上空位浓度以及温度对各元素扩散系数的影响.结果表明,Cu3 Sn层各元素的扩散系数均随温度的升高而增大.与不含空位相比,当Cu3 Sn层中存在10％空位时,原子运动更加剧烈,扩散系数增大.进一步研究...     

关于B~+注入层退火增强扩散的探讨

本文通过对实验现象的综合和分析,建立了B~+注入层的退火增强扩散模型,认为是空位、填隙原子和替位原子的多元扩散过程。据此从理论上证明了充分退火以后的电活性浓度分布是一种深的高斯分布。为了对模型进行验证,采用微分电导法、对不同注入条件的样品进行了分布测量。还采用与四探针测量相结合的CP4和阳极氧化腐蚀、最后用椭偏测厚仪进行测厚的方法,对不同注入条件的样品进行了结深测量。将测量结果和理论分析进行了比较和讨论。结果发现:模型对实验现象可以比较成功地解释;而用所给出的分析表达式、直接计算常用条件下充分退火以后的电活性浓度分布,方法比较准确和简单;可供设计和研制离子注入器件时参考。     

具有扩散挡层的n—GaAs欧姆接触

常规的ｎ－ＧａＡｓ ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ欧姆接触存在不少缺陷。本文提出在ＡｕＧｅＮｉ接触层与Ａｕ覆盖层之间加入扩散阻挡层ＷＮ。结果表明，新结构的金属化不仅降低了比接触电阻，而且具有良好的表面形貌；更重要的是，ＷＮ膜的引入有效地阻挡了接触层与Ａｕ覆盖层中各种元素原子之间的相互扩散，提高了接触的可靠性。     

硅中横向扩散的研究

考虑了同制造一定类型的场效应晶体管有关的扩散方程的若干解,并且用图表给出了结果。首先,对于杂质的恒定阶跃函数源考虑了二维解,同时为了进行横向扩散的设计计算,以方便的形式给出了计算的结果。然后讨论自无限源扩散的若干情况,即阶跃函数源通过一个窄掩蔽窗口的扩散,在氧化物的窄条下面的扩散,在小的掩膜下面自小的瞬时源和自瞬时源阶跃函数的扩散。讨论了对两阶扩散过程扩展这个工作的困难。     

用C—V法测试Cd在InSb中扩散层的杂质浓度及其分布

在光伏型红外探测器的生产中,扩散层的杂质浓度及其分布是十分重要的。及时了解杂质浓度及其分布,将有助于获得最佳性能的器件。本文研究了 C-V 法测试 Cd 在 InSb 中扩散层的杂质浓度及其分布,为浅结杂质分布的确定提供了一个新的方法。     

单层圆筒线圈电感量的计算方法

在发射机的设计与调试中,经常需要计算或测量单层圆筒线圈的电感量。这里介绍日本岛山鹤雄著“无线发射机的设计与调整”一书中所用的计算方法。经我们多年实践表明,该方法既简便又准确。