红外光学用的大直径锗单晶

用丘克拉斯基技术生长出的大直径(达200mm)、高光学质量的锗单晶,用生长后热处理方法可改进光的均匀性,并能减少光的损耗;如由折射率梯度和调制传递函数(MTF)的测量结果所示。除了MTF的多色处理以外,本文还提供一种用于干涉图分段组合的新方法。     

大直径单晶炉真空系统的设计

<正> 一、概述为了提高大规模集成电路的成品率,降低成本和提高劳动生产率,迫切需要发展大直径的硅单晶。国外半导体电路生产线上已广泛采用4英寸直径的硅片,国内近期内也逐步向3英寸硅片过渡,大直径单晶炉应运而生,同时设备亦相应大型化、自动化。     

大直径低位错密度InSb单晶研制

大直径低位错密度ＩｎＳｂ单晶研制叶真吉，陶世端，李忠良（昆明物理研究所昆明６５０２２３）本文介绍了采用国产低熔点化合物单晶炉，首次成功生长大直径低位错密度ＩｎＳｂ单晶。单晶参数为：尺寸：３５～４２ｍｍ晶体生长方向：＜１１１＞、＜２１１＞、＜１００＞杂...     

直径75mm砷化镓高压单晶炉

直径７５ｍｍ砷化镓高压单晶炉南京电子器件研究所于８０年代初曾研制了一台直径５０ｍｍ砷化镓单晶炉。该炉自投产以来，在科研生产中发挥了很大作用。为了满足微波器件和ＧａＡｓ集成电路对ＧａＡｓ材料性能提出的愈来愈高的要求，该所从１９９２年开始又研制新一代直径...     

TDR-70型单晶炉的研制

介绍了TDR - 70型单晶炉的性能参数及工作原理 ,结合拉制单晶的特殊工艺要求 ,分析了其主要结构及特点。     

TDL-Ta60型单晶炉的研制

介绍了TDL-Ta60型单晶炉的设计思路及工作原理,结合晶体生长的特殊工艺要求,分析了其主要结构及特点。     

大直径InP单晶生长研究

生长高质量、大直径的单晶是当前InP晶体生长的发展方向,减少孪晶的产生一直是InP单晶生长技术的研究重点.通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程中的几个重要因素包括加热器和保温系统、掺杂剂、坩埚和生长参数等的分析,设计了合适的热场系统和生长条件,有效地降低了孪晶产生的几率.在自己设计并制造的高压单晶炉内首先将In和P进行合成,然后采用后加热器加热、坩埚随动等技术重复生长了直径为100～142 mm的大直径InP单晶.讨论了关于避免孪晶产生的关键技术,所提到的条件都得到优化后,单晶率就会大幅上升.     

世界最长锗酸铋大单晶问世

中国科学院上海硅酸盐研究所中试生产一线近日成功制备出长度达600毫米的锗酸铋(BGO)大单晶。这是迄今为止国际上公开报道的最长BGO单晶(俄罗斯无机化学所曾报道的     

用VGF法生长6英寸锗单晶中籽晶熔接工艺研究

采用垂直梯度凝固(VGF)法生长单晶时,其温度梯度较低,生长速率较小,目前已成为生长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一.在VGF法生长单晶的过程中,籽晶的熔接工艺直接影响着单晶生长的成败.研究了拉速器速度、保温时间及石英棉用量对6英寸(1英寸=2.54 cm)锗单晶VGF生长中籽晶熔接的影响,并确定了最佳的籽晶熔接工艺.研究结果发现,当拉速器速度为3～4 mm/h、保温时间为75～100 min、石英棉用量为15～20 9时,实现了对籽晶熔接工艺的精准控制,熔接长度为12～22 mm,位错密度小于500 cm-2,有效地降低了生产成本,提高了生产效率和单晶率.     

TDR-ZY40C型中压单晶炉的研制

介绍了TDR-ZY40C型单晶炉的设计思路及工作原理,结合拉制单晶的特殊工艺要求,分析了其主要结构及特点。     

Φ6.5mm×8.9mm半导体锗单晶圆片电阻率的测定

利用四探针技术对Φ6.5mm×8.9mm的半导体锗单晶圆片的电阻率进行测定,并采用了A、B、C等三种选点方案,结果表明:方案B用少量的测试点就能测定和计算出锗单晶的电阻率和不均匀性,它不仅反映出材料的真实性和保证其可靠性,而且简化了试验程序.     

一次性层压的多层板一PALAP基板

概述了应用热可塑性树脂和一次性多层层压的多层板ALAP基板的制造工艺。该工艺包括(1)采用高尺寸精度的单面覆铜箔热可塑性树脂片;(2)形成图形以后激光钻孔:(3)填充金属胶;(4)叠层和位置重合以后一次性层压。通过层压时的金属烧结和扩散接合,实现了层间连接和多层粘结。PALAP基板适用于利用热可塑树脂特性的高频制品或者利用堆积导通孔的多针封装,可以缩短交货期和实现材料再循环。     

氯化钾单晶光纤的研制

本文利用直接成型法（DFG）研制氯化钾等单晶模和多模光纤。光纤内径φ分别为10μm 、150μm和300μm,长度L为30～100cm,研究了单晶光纤生长条件,讨论了光纤缺陷的原因。     

掺Si补偿Cu高阻n-GaAs单晶

用水平布里奇曼法(HB法)研制掺Si补偿Cu的n-GaAs高阻单晶.既要提高多晶背景纯度,减少总杂质含量(包括减少掺Cu量和掺Si量,单晶中Cu的质量分数要≤2.00×10-5,Si的质量分数要≤1.00×10-6),又要采用熔体Cu,Si双掺的方法生长单晶,将单晶切片,并划成圆片,然后分组放入炉内在确定温度下和一定时间内进行退火.研制中发现Cu主要集中在晶体表面,导致同一晶片的上部呈p型高阻,而中下部呈n型低阻,退火可使Cu在晶片中均匀分布.     

半绝缘InP长单晶的生长

通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个关键因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率.在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为50mm,长190mm和直径80～100mm,长150mm的半绝缘InP单晶.     

ZnO单晶薄膜光电响应特性

对采用MOCVD方法沉积的ZnO单晶薄膜的欧姆接触特性、光电特性进行了研究,并对比研究了射频溅射沉积SiO2抗反射膜对ZnO薄膜I-V、光电特性的影响.实验结果表明,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO形成了良好的欧姆接触,溅射沉积SiO2在ZnO表面引入了载流子陷阱,影响I-V特性,延长了光响应下降时间.ZnO单晶薄膜光电导也具有时间退化现象.     

ZnO单晶薄膜光电响应特性

对采用MOCVD方法沉积的ZnO单晶薄膜的欧姆接触特性、光电特性进行了研究,并对比研究了射频溅射沉积SiO2抗反射膜对ZnO薄膜I-V、光电特性的影响.实验结果表明,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO形成了良好的欧姆接触,溅射沉积SiO2在ZnO表面引入了载流子陷阱,影响I-V特性,延长了光响应下降时间.ZnO单晶薄膜光电导也具有时间退化现象.     

单点金刚石切削InSb单晶的研究

InSb红外焦平面探测器一直在中波波段占据重要地位。随着科技的发展,迫切需要针对InSb单晶的精密加工方法。采用单点金刚石切削(Single Point Diamond Turning,SPDT)精密机床对InSb晶体进行减薄工艺开发。在机床加工工艺中,可变参数有主轴转速、单次去除量和进给速度等。通过正交试验,确定了单点金刚石切削InSb晶体的最佳工艺参数。对于切削后的InSb晶体,结合双晶衍射测试,其切削损伤低于3 μm。InSb红外器件流片证实单点金刚石切削InSb晶体工艺能满足用户的使用要求,获得较好的结果。