新型高速低功耗CMOS预放大锁存比较器

基于预放大锁存快速比较理论,提出了一种新型高速低功耗CMOS比较器的电路拓扑。采用典型的0.35μm/3.3 V硅CMOS工艺模型,用Cadence软件进行模拟仿真,比较器延迟时间为231 ps,比优化前降低了235 ps;其回馈噪声对输入信号和电阻串参考电压产生的毛刺峰值分别为6.35 mV和1.57 mV;电路功耗118.6μW。运用该结构的比较器具有快速过驱动恢复能力,大幅度提高了比较器的速度;能有效抑制其回馈噪声,功耗低,可用于高速低功耗A/D转换器模块的设计。     

低功耗高精度的电压比较器设计

设计了一款用于实现10位精度逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)的电压比较器,该比较器采用高速高精度比较器结构并进行了优化,在高速度、低功耗锁存器的基础上加预放大级以提高比较精度,加RS触发器优化处理比较器的输出信号。同时,采用失调校准技术消除失调,预放大级采用共源共栅结构抑制回程噪声,最终获得了高精度和较低的功耗。仿真结果表明:在Chartered 0.35μm 2P4MCMOS工艺下,时钟频率5 MHz,电源电压3.3 V,分辨率达0.1 mV,平均功耗约为0.45 mW,芯片测试结果表明比较器满足了SAR ADC的要求。     

高速CMOS预放大-锁存比较器设计

基于预放大-锁存理论，提出了一种带1级预放大器的高速CMOS锁存比较器电路拓扑结构；阐述了其传输延迟时间、回馈噪声和输入失调电压的改进方法。采用典型的0．35μm／3．3V硅CMOS工艺模型，通过Cadence进行模拟验证，得到其传输延迟时间380ps，失调电压6．8mV，回馈噪声对输入信号产生的毛刺峰峰值500μV，功耗612μw。该电路的失调电压和回馈噪声与带两级(或两级以上)CMOS预放大锁存比较器的指标相近，且明显优于锁存比较器。其功耗和传输延迟时间介于两种比较器之间．该电路可用于高速A／D转换器模块与IP核设计。     

一种高速高精度动态比较器

提出了一种应用于逐次逼近模数转换器的高速高精度比较器。该比较器由2级预放大器、1级锁存比较器以及缓冲电路构成。在前置预放大器中采用共源共栅结构、复位和箝位技术,提高了比较器的精度和速度,降低了功耗。在锁存比较器中引入额外的正反馈路径,提高了响应速度,降低了功耗。将锁存比较器输入对管与锁存结构隔离,降低了踢回噪声的影响,提高了比较器的精度。比较器基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺进行设计与仿真。仿真结果表明,在1.8 V电源电压、800 MHz时钟下,比较器的精度为50 μV,传输延迟为458 ps,功耗为432 μW,芯片面积仅为0.009 mm²。     

一种基于闩锁结构的高速电压比较器

文章结合高速A/D转换器的研究设计了一种新型高速、高精度集成闩锁比较器,针对提高集成闩锁型电压比较器的性能,讨论了比较器失效、速度-功耗优化、时钟反馈噪声等设计问题.该比较器有较高的输入电阻,对高频时钟的反馈噪声有较好的抑制性能,采用"电容中和技术"补偿预放大级带宽后更加适用于高速应用的需要.文中给出了详细的性能分析以及采用PSPICE仿真的模拟结果.     

一种高速低功耗迟滞CMOS比较器的分析与设计

文章分析设计了一种具有内部迟滞效应的高速低功耗CMOS比较器,该比较器采用前置放大级、正反馈级和输出驱动级级联的结构,实现了对增益、速度和功耗的优化.电路的内部迟滞效应有效的实现了对噪声信号的抑制.采用0.35μm CMOS工艺的仿真结果表明,该比较器在3.3V的供电电源下可达到100MHz的工作速度.在20MHz的采样速率下具有0.2mW的功耗.芯片测试结果表明各项性能指标均达到了设计要求.     

一种中速高精度模拟电压比较器的设计

设计一种中速高精度模拟电压比较器,该比较器采用3级前置放大器加锁存器和数字触发电路的多级结构,应用失调校准技术消除失调,应用共源共栅结构抑制回程噪声干扰;应用数字触发电路获得高性能数字输出信号,设计采用0.35μm 5 V CMOS工艺实现一个输入电压2.5 V、速度1 MS/s、精度12位的逐次逼近型A/D转换器.Hspice仿真结果表明:在5 V供电电压下,速度可达20 MHz,准确比较0.2 mV电压,有效校准20 mV输入失调,功耗约1 mW.     

一种应用于高速高精度模数转换器的比较器

提出了一种基于BiCMOS工艺的高速高精度时钟控制比较器.该比较器包含一级预放大器、动态锁存器及时钟控制反相器.预放大器采用正反馈放大技术保证了增益和速度,锁存器采用两个正反馈锁存器和额外的反馈环路提高了锁存的速度.基于3.3 V 0.35 μm BiMOS工艺进行了设计和仿真,结果表明该比较器可以应用于160 MS/s高精度流水线模数转换器.     

一种中速高精度模拟电压比较器的设计

设计一种中速高精度模拟电压比较器,该比较器采用3级前置放大器加锁存器和数字触发电路的多级结构,应用失调校准技术消除失调,应用共源共栅结构抑制回程噪声干扰;应用数字触发电路获得高性能数字输出信号,设计采用0．35μm5VCMOS工艺实现一个输入电压2．5V、速度1MS／s、精度12位的逐次逼近型MD转换器。Hspice仿真结果表明：在5V供电电压下,速度可达20MHz,准确比较0．2mV电压,有效校准20mV输入失调,功耗约1mW。     

一种高精度动态CMOS比较器的设计与研制

比较器的设计对于A／D、D／A转换器的精度至关重要。为满足14位高分辨率A／D转换器的需要，设计了一种高精度动态CMOS比较器，采用二级差分比较和一级动态正反馈latch结构实现了高比较精度。预增益和Latch级的应用降低了功耗。设计中充分考虑了工艺离散性和使用环境温度与电源变化的影响，保证了成品率和电路在变化工作环境下性能指标的实现。仿真结果表明，设计的高速动态比较器LSB（Least Significant Bit）为±0．15mV，输入动态范围为VSS-VDD（VSS为地电压，VDD为电源电压），相应于14位比较精度。功耗6．28mW，工作频率3．6MHz。电路用0．6μm双层金属、双层多晶硅CMOS工艺实现。