玻璃-莫来石陶瓷复合材料基板的研究

以低介电常数的玻璃粉末和莫来石粉末为原料,制备了玻璃–莫来石陶瓷复合材料基板。研究了烧结温度和莫来石含量对复合材料的介电性能和抗弯强度的影响。结果表明,当莫来石质量分数为50%时,玻璃–陶瓷复合材料经1 000℃、2 h的烧结后,其相对介电常数er为4.6、介质损耗tgd 为0.008、抗弯强度s 为90 MPa。另外,该复合材料在200~600℃之间的热膨胀系数约为4.0×106℃1,与Si、GaAs等半导体材料的热膨胀系数相近,可望作为优质封装材料应用。     

低温共烧玻璃陶瓷基板材料的研究

在多层互连基板中，基板材料的介电常数直接影响器件信号的传输速度。本文研究了低温共烧多层基板中玻璃陶瓷材料的填充介质及玻璃介质与基板介电常数以及烧结温度等性能的关系。     

以氮化铝陶瓷为基板的倒装式封装工艺研究

详细比较了氮化铝的各各上金属化工艺。分别研究化学镀镍与激光诱导淀积实现金属化的方法。测量表明,两种方法制备的金属层与氮化铝的粘附力均大于１０ＭＰａ。同时对这身份钟方法的特点与适用范围进行概述。     

封装基板技术介绍与我国封装基板产业分析

文章介绍了封装基板的技术概况与我国封装基板的整体市场状况。     

封装基板

订单增加载板供货商今年营运逐季上扬；日月光接获奇梦达基板材料订单；芯片尺寸覆晶封装登场引爆商机；南电新增覆晶基板七百万颗月产能生产线；Actel CEO预言FPGA市场将在2008年强劲增长；英特尔基板单转向台湾地区[编者按]     

金属/BAS微晶玻璃复合基板的制备与性能研究

制备了与0Cr18Ni9不锈钢热膨胀相匹配的Ba-Al-Si系微晶玻璃,利用流延法将玻璃制成生瓷带。在不锈钢板表面生瓷带经温压烧结后形成金属/微晶玻璃复合基板。电气性能测试结果,介质层厚度>73.5μm时,击穿电压>1.28kV,泄漏电流<0.05mA;微晶玻璃膨胀系数为10×10–6/℃。     

低介电常数陶瓷复合基板材料

复合陶瓷材料具有较低的介电常数，可与Ｃｕ、Ａｇ导体共烧得到多层基板。这种基板适合于ＬＳＩ高速、高集成度的要求。本文介绍了复合陶瓷基板材料的特征及降低介电常数的措施。     

BeO陶瓷基片表面平整化改性工艺研究

采用在BeO陶瓷基片表面被覆玻璃釉的方法实现基片表面的平整化改性,并利用台阶测试仪、扫描电子显微镜(SEM)等手段研究不同烧结制度对被釉基片表面粗糙度的影响。实验结果表明,相较于抛光处理的BeO陶瓷基片的轮廓平均偏差和算数均方根偏差值分别为62.8nm和141.9nm,被釉平整化改性的BeO陶瓷基片的参数值可分别降至18.2nm和24.9nm,可实现高效率、低成本的BeO陶瓷基片平整化改性。     

低熔、低介玻璃粉末的初步研究

通过玻璃组成与性能关系的设计研究,以及玻璃／钙长石／莫来石复合设计,研究了合适的玻璃相种类对复合材料的介电性能等的影响。通过比较其综合性能,初步确定出性能优良的低熔、低介玻璃粉末。     

基于复合基板微波电路设计的小型化TR组件

以HFSS软件对采用复合基板设计的C波段TR组件微波电路进行设计及仿真试验,结果显示其具备优良的电特性。制作完成后的产品体积较同行业内产品缩小了30.6%,此设计实现了组件小型化,为工程应用提供了理论支撑,提高了TR组件在收发系统中的使用效率。     

半导体用陶瓷绝缘基板成型方法研究

陶瓷材料是半导体器件,特别是大功率半导体器件绝缘基板的重要材料体系。随着半导体器件向大功率化、高频化的不断发展,对陶瓷绝缘基片的导热性和力学性能都提出了更高的要求。成型是陶瓷基板的制备过程的关键环节,也是陶瓷基板制备的难点。本文介绍了流延成型、凝胶注模成型和新型3D打印成型等几种基板成型方法,分析了不同成型方法的特点、优势及技术难点。介绍了了近年来国内外陶瓷基板成型的研究现状,并对其未来发展及应用进行了展望。     

氮化铝-铝复合封装基板的制备

采用磁控溅射法在阳极氧化预处理过的铝板上沉积氮化铝薄膜,制备氮化铝-铝复合基板。制备的氮化铝为非晶态,抗电强度超过700 V/μm,阳极氧化铝抗电强度达75 V/μm。当阳极氧化铝膜厚约10μm、氮化铝膜约1μm时,制备的复合封装基板击穿电压超过1350 V,绝缘电阻率1.7×106 MΩ·cm,氮化铝与铝板的结合强度超过8 MPa;阳极氧化铝膜作为缓冲层有效缓解了氮化铝与铝热膨胀系数失配的问题,在260℃热冲击下,铝板未发生形变,氮化铝膜未破裂,电学性能无明显变化。氮化铝与阳极氧化膜的可见光高透性保持了镜面抛光金属铝的高反射率,当该复合基板应用于LED芯片COB封装时,有助于提高封装光效。     

AlN多层基板的研制

MCM技术推动了现代微电子技术迅猛发展,已广泛应用于各种通讯系统的收发组件之中。AIN基板作为MCM技术多层基板主流之一,由于其高热导率、与硅片匹配的热膨胀系数、高介电常数、兼容各种芯片组装工艺的优点,在各个领域均获得了广泛的应用。文章结合一个微波组件AIN基板的研制,阐述了在AIN基板研制过程中解决的工艺难点,如粉料配制、流延、层压、烧结等,对研制的AIN基板进行了物理性能与电性能测试,结果表明AIN基板完全可以满足大功率毫米波／微波组件的实用化要求。     

射频CO2激光陶瓷基板划片机

介绍了RFCO2 激光器及其对陶瓷基板划片的特点。分析了RFCO2 激光陶瓷基板划片的机理 ;给出了整机总体设计方案。对导光系统的激光束进行了模拟 ,给出了导光系统的光路图及聚焦镜焦平面处的光斑尺寸及能量分布图。整机性能指标达到国外进口机的水平