化合物半导体及单晶材料

2003年度市场动向：据日本新功能化合物半导体恳谈会(JAMS-CS)统计，日本2003年度(2003年4月～2004年3月)化合物半导体材料市场的年产值比上年增加4％，为518亿日元，内需增长6％，出口增长1％。出口比例仍然较高，为43％，上年为44％。     

日本2004年上半年度化合物半导体材料出厂情况

据日本新功能化合物半导体恳谈会统计，日本2004年上半年度(4—9月)化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)出厂金额为281亿日元，比上年同期(250亿日元)增长12％。其中GaAs增长约20％，InP增长8％，GaP与上年相同。下半年度由于库存调整增长率将会下降，但预计全年整体将比上年增长。     

化合物半导体及晶体材料

一．2004年度市场动向 据日本新功能化合物半导体恳谈会（JAMS-CS）统计，日本2004年度（2004年4月-2005年3月）化合物半导体材料的出货额比2003年度减少1％，为510亿日元。其中，内需为283亿日元，同比减少4％，出口为227亿日元，同比增长2％。仍然保持44％的较高的出口比例。     

镓

作为镓主要用途的GaAs、GaP等化合物半导体市场，2001年受泡沫经济的影响大幅下跌。但进入2002年以后，GaAs、GaP系LED对镓的需求变得旺盛，镓市场规模恢复到1999年的水平。2002年世界镓的需求为176t，上年增长26％。其中，日本的需求为129．7t，比上年增长35％     

化合物半导体及结晶材料

一．2005年度市场动向 据日本新功能化合物半导体恳谈会（JAMS-CS）统计，日本2005年度（2005年4）-2006年3月）化合物半导体材料的出货额比2004年度减少7％，为473亿日元。其中，内需为239亿日元，同比减少15％，出口为233亿日元，同比增长3％。出121比例增加到49％。     

化合物半导体及结晶材料

一．2007年度市场动向 据日本新功能化合物半导体恳谈会（JAMS-CS）统计，日本2007年度（2007年4月-2008年3月）化合物半导体材料的出货额与2006年度基本持平，为511亿日元。其中内需为246亿日元，同比增加7％，出口为265亿日元，同比减少5％，出口比例为52％。     

GaAs、GaP、InP化合物半导体及结晶材料

一、2008年度市场动向 据日本新功能化合物半导体恳谈会（JAMS-CS）统计，日本2006年度（2006年4月～2007年3月）化合物半导体材料的出货额比2005年度增加8％（内需减少4％，出口增加20％），达509亿日元。出口比例增加至55％。     

日本2005年半导体用单晶硅供需情况及2006年预测

据日本新金属协会硅分会统计，日本2005年半导体用单晶硅产量为6257t，比2004年增长3．8％。需求为7155t，同比增加6％。其中日本国内需求为3387t，同比增长3．1％：出口为3768t，同比增长8．7％。2005年日本半导体硅材料（包括多晶硅、单晶硅、硅片）出口额总计为26亿美元，同比增长14％。预计2006年单晶硅产量为6700t，     

日本金属钨钼需求预测

据日本钨铝工业协会预测，2004年日本金属钨、铝制品除半导体和电子领域外，在液晶显示器和炉用零部件相关领域，需求也将持续旺盛。2004年钨铝需求合计可达317亿日元(包括粉末)，比上年增长15％。特别是铝制品，从2003年下半年开始增长显著，预计2004年可达历史最高的601t(不包括粉末)，比上年增加25％。钨制品比铝制品增长略低，预计为535t，比上年增长l2％。     

日本2006年上半年度化合物半导体材料发货情况

据日本新功能化合物半导体恳谈会统计，日本2006年上半年度（4曲月）化合物半导体材料发货金额为263亿日元，比上年同期（234亿日元）增加12％。GaAs系、GaP系和InP系均有所增加。下半年度，因季节因素，在电子器件、LD、LED方面的需求有所缓和。但预计2006年度整体将有两位数增长。     

铟

2003年的供求：日本的供求2003年日本需求铟419t，比上年增长18％。需求的8成以上(360t)用于透明电极ITO(铟一锡氧化物)，这方面的需求比上年增长20％。在供应上，国内(同和矿业、日矿金属)生产70t，比上年增长17％，进口264t，增长89％，废料再生160t，增长1％，供应合计494t，比上年增长38％。推测供过于求75t。但实际上，估计在ITO溅射靶材厂家及供应商手里还有库存。     

消息动态

日本数码相机２００１年１－９月生产销售状况２００１年１—９月，日本共生产数码相机１０９４万台，产值为３７９６亿日元，较２０００年同期分别增长５８．５％、２８．７％。期间，共销售数码相机１０３７万台，销售额为３７５９亿日元，较上年同期分别增长５２％、３１．５％。其中，日本国内销售３２８万台，销售额１２３５亿日元，较上年同期分别增长８２．５％、４８．４％。销售的主要机种是２００～３００万像素的数码相机。这期间，日本共出口数码相机６８５万台，出口额为２５２３亿日元，较上年同期分别增长４０．７％、２４．…     

日本2010年上半年度化合物半导体材料出货情况

据日本新功能化合物半导体恳谈会统计，由于高辉度LED、绿色LED、光通讯用器件等方面需求恢复，日本2010年上半年度（4-9月）化合物半导体材料的出货金额比2009年同期增长33％，为222亿日元。GaAs、GaP和InP三种主要结晶材料同比均有所增长。     

日本2004年半导体硅供需情况及2005年预测

2004年，日本对半导体硅的需求为6751t，比2003年增长31％，达到历史最高水平。据WSTS(世界半导体市场统计)统计，2004年世界半导体市场销售额为2130亿美元，比2003年增长28％。WSTS预测，2005年世界半导体产业将比2004年增长1％，单晶产量及销售量将分别比2004年增长5％。2004年，日本半导体用多晶硅产量为6135t，     

日本半导体硅市场

2003年日本半导体硅单晶产量为4875t，比上年增加13％。需求为5162t，比上年增加16％。需求的增长得益于世界半导体市场从2003年2月开始的复苏和之后的顺利增长，增长率为17．4％。其中，起主要拉动作用的是半导体器件中的闪存、动态随机存取存储器、电荷耦合器、CMOS传感器，以及最终产品中的个人电脑关联产品、手机、液晶和等离子薄型显示器、数码相机、DVD录像机等数码家电。     

铟

日本2005年供求概况 日本2005年铟消费量633．7t，比上年增长17％，见表1。约占消费量近8成的透明电极ITO（铟-锡氧化物，下同）用504t，比上年增长17％，其它用／29．7t，增长15％。其它用途包括低熔点合金（钎焊、接点材料）、键合材料保险丝、齿科用合金、化合物半导体、电池材料。由于上述用途的使用量历来很少，所以对铟市场的影响力不大。但由于包括透明电极在内的溅射靶材需求的增加，使键合材料的使用量有增加的趋势，因而使其它用途的消费增加。     

1996年度日本气体设备市场综述

１　空分设备１１　低温空分设备１９９６年共销售低温空分设备５４台，比上年增长５０％，增幅较大。在５４台设备中，有２５台出口。ＫｏｂｅＳｔｅｅｌ在１９９６年向朝鲜钢厂出口了３套５００００ｍ３／ｈ的氧设备和１套１００００ｍ３／ｈ的液氧设备。随着电子贸易的全球化，半导体工业用出口设备有所增加。１９９６年，Ｔｅｉｓａｎ出口了１０套设备，其中有６套设备用于半导体工业。日本国内自用的低温空分设备共２９台，其中包括电子工业用的１７台Ｎ２发生器。１２　Ｏ２　ＰＳＡ１９９６年，共销售大型Ｏ２　ＰＳＡ设备（＞３…     

日本2008年半导体用硅材料供需预测

日本新金属协会硅分会预测,2008年日本半导体用高纯单晶硅需求为10100t,比2007年增加8％。该预测基于半导体产业的稳定增长和300mm硅片的快速发展。其中,日本国内需求4250t,比2007年增加2％。出口5850t,同比增加13％,出口占总需求的58％。     

钽

据TIC(Tantalum &;amp; Niobium International Study Center)推测，2003年钽制品供应量1899t(以五氧化二钽计，下同)，比上年增长7％。另据《新金属协会钽分会》。统计，日本国内的钽需求也在顺利地增长，到达542t，增长20％。     

铌

2002年世界铌市场，．需求3．3万t(以纯五氧化二铌计)，比2001年减少6％。原因是北美、欧洲用于低合金钢、IF钢的铌减少。日本市场消费铌6830t，同比增长16％。2003年世界钢铁方面的铌铁需求有望增加。日本国内2002年需求高纯氧化铌137t（以金属铌计)，比2001年增长37％。