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利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中分别以850℃,900℃,950℃和1 000℃等温度及常压下通氨气进行氨化,反应生长GaN薄膜.利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN向棒状和线状形态生长. 相似文献
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采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,然后氮化反应组装GaN晶体膜,并研究氮化时间对薄膜晶体质量的影响。测试结果表明:采用两步法生长得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,扩镓硅层有效的抑制了硅衬底的氮化和弛豫了GaN与Si衬底的热失配。同时显示:在相同的氮化温度下,晶粒尺寸随氮化时间的增加而增大,薄膜的晶化程度相应的得到提高。 相似文献
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采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积Ga2O3/Cr膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上成功合成了六方纤锌矿GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对合成GaN纳米材料的影响.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)、傅里叶红外吸收(FTIR)光谱来检测样品的形态,结构和成分,并且讨论了GaN纳米结构的生长机理.研究结果表明,在Cr催化合成GaN纳米结构的过程中,氨化温度对其有重要影响,最佳温度是950℃. 相似文献
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氨化温度对氨化Ga2O3/Al膜制备GaN纳米结构材料的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积了Ga2O3/Al膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上获得了GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对生成GaN纳米结构材料的影响.对样品进行了傅立叶红外吸收(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)以及高分辨电镜(HRTEM)测试,分析了不同温度对GaN样品的结构、组分和形貌等特性的影响.结果表明,用该方法在950℃的氨化温度下得到了大量的六方GaN纳米棒. 相似文献
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为了制备高质量的GaN纳米结构,采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/TiO2薄膜,然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应,成功制备出GaN纳米线.采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品进行分析.研究结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线,纳米线的直径在100~400nm,纳米线的长度在3~10μm. 相似文献
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《Materials Letters》2006,60(9-10):1229-1232
Radial-aligned GaN nanorods were synthesized by ammoniating Ga2O3 films on Mg layer deposited on Si(111) substrates. The products were characterized by X-Ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), Fourier transformed infrared spectra (FTIR) and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The SEM images indicated that the products consisted of radial-aligned GaN nanorods. The XRD and the selective area electron diffraction (SAED) patterns showed that nanorods were hexagonal GaN single crystals. 相似文献
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《Materials Letters》2007,61(19-20):4103-4106
Needle-shaped GaN nanowires have been synthesized on Si (111) substrate through ammoniating Ga2O3/MgO films under flowing ammonia atmosphere at the temperature of 950 °C. The as-synthesized GaN nanowires were characterized by X-ray diffraction (XRD), Fourier transformed infrared (FTIR) spectroscopy, scanning electron microscope (SEM) and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The results demonstrate that these nanowires are hexagonal GaN and possess a smooth surface with an average diameter about 200 nm and a length ranging from 5 μm to 15 μm. In addition, the diameters of these nanowires diminish gradually. The growth mechanism of crystalline GaN nanowires is discussed briefly. 相似文献
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采用射频磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/ Nb薄膜,然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化制备GaN纳米线.用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)详细分析了GaN纳米线的结构和形貌.结果表明:采用此方法得到的GaN纳米线为六方纤锌矿结构,其纳米线的直径大约在50~100nm之间,纳米线的长约几个微米.室温下以325nm波长的光激发样品表面,只显示出一个位于364.4nm的很强的紫外发光峰.最后,简单讨论了GaN纳米线的生长机制. 相似文献