NH_3－氮化N_2O~－生长氧化物的MOS特性

ＮＨ＿３－氮化Ｎ＿２Ｏ￣－生长氧化物的ＭＯＳ特性＝ＭＯＳｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＮＨ＿３ｎｉｔｒｉｄｅｄＮ＿２Ｏ￣－ｇｒｏｗｎｏｘｉｄｅｓ［刊，英］／Ｙｏｏｎ，Ｇ，Ｗ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃ－ｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅＬｅｔｔｅｒｓ．１９９３，１...     

耗尽态SIMOX MOS晶体管的低频噪声

耗尽态ＳＩＭＯＸＭＯＳ晶体管的低频噪声＝Ｌｏｗ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙｎｏｉｓｅｉｎｄｅｐｌｅｔｉｏｎ－ｍｏｄｅＳＩＭＯＸＭＯＳｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［刊．英］／Ｅｌｅｗａ，Ｔ．…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ．－１９９１．３８（２）．－３...     

一种10位20MS／s3v电源CMOsA／D转换器

一种１０位２０ＭＳ／ｓ３ｖ电源ＣＭＯｓＡ／Ｄ转换器＝Ａ１０ｈｉｔ２０ＭＳ／ｓ３ＶｓｕｐｐｌｙＣＭＯＳＡ／Ｄｃｏｎｖｅｒｔｅｒ［刊，英］／Ｉｔｏ，Ｍ…／／ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｌｒｃｕｌｔｓ，－１９９４，２９（１２）．－１５３１～１５３６...     

1.3μm high-power superluminescent diode

１．３μｍｈｉｇｈ－ｐｏｗｅｒｓｕｐｅｒｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔｄｉｏｄｅＬＩＵＭｉｎｇｄａ；ＳＨＩＪｉａｗｅｉ；ＭＡＤｏｎｇｇｅ；ＪＩＮＥｎｓｈｕｎ；ＬＩＳｈｕｗｅｎ（Ｄｅｐｔ．ｏｆＥｌｅｃ．Ｅｎｇ．，ＪｉｌｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｃｈａｎｇｃｈｕ...     

Er,O离子共注入GaAs的二次离子质谱的研究

在Ⅲ－Ⅴ族半导体ＧａＡｓ外延层上共注入Ｅｒ和Ｏ离子（ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ）．经面对面优化退火后，光致发光（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ－ＰＬ）谱中观测到对应Ｅｒ３＋第一激发态到基态４Ｉ１３／２－４Ｉ１５／２跃迁，其相对强度较单注入Ｅｒ的ＧａＡｓ（ＧａＡｓ：Ｅｒ）增强１０倍，且谱线变窄．从二次离子质谱（ＳｅｃｏｎｄａｒｙＩｏｎＭａｓＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ－ＳＩＭＳ）和卢瑟福背散射实验给出退火前后Ｅｒ在ＧａＡｓ：Ｅｒ样品中的剖面分布．ＳＩＭＳ测量分别给出Ｏ注入前后Ｅｒ和Ｏ在ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ中的深度剖面分布，分析表明Ｅｒ和Ｏ共注入后形成光学激活有效的发光中心．     

宽带应用的CCD分频器

宽带应用的ＣＣＤ分频器＝ＡＣＣＤｆｒｅ－ｑｕｅｎｃｙｐｒｅｓｃａｌｅｒｆｏｒｂｒｏａｄｂａｎｄａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ［刊，英］／ＣｏｌｂｅｔｈＲ．Ｅ．…ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒ－ｃｕｉｔｓ．－１９９３，２８（８）．－９２２～９３０本...     

重掺杂对硅锗基区带隙的影响

重掺杂对硅锗基区带隙的影响＝ＥｆｆｅｃｔｏｆｈｅａｖｙｄｏｐｉｎｇｏｎｂａｎｄｇａｐｉｎＳｉＧｅｂａｓｅｒｅｇｉｏｎｓ［刊，英］／Ｍａｎｎｉｎｇ，Ｂ．Ｍ．…Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ．－１９９３，１１（３）．－１１９０～１１９２根据实验器...     

用聚酰亚胺膜选择CVD－W在局部互连中的应用

用聚酰亚胺膜选择ＣＶＤ－Ｗ在局部互连中的应用＝ＵｓｅｏｆｓｅｌｅｃｔｉｖｅＣＶＤ－Ｗｗｉｔｈａｐｏｌｙ－ｉｍｉｄｅｍａｓｋｆｏｒｌｏｃａｌｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｓ［刊，英］／Ｃｏｌ－ｇａｎ，Ｅ．Ｇ．／／Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ，Ｓｏｃ，－１９９３...     

KNbO_3：Rb光折变晶体中的电子－空穴竞争

ＫＮｂＯ＿３：Ｒｂ光折变晶体中的电子－空穴竞争张治国ＤｉｎｇＹＥｉｃｈｌｅｒＨＪ（ＯｐｔｉｃａｌＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，ＴｅｃｈｎｉｃａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＢｅｒｌｉｎ，Ｓｉｒ．ｄｅｓ１７．Ｊｕｎｉ１３５，１０６２３Ｂｅｒｌｉｎ，Ｇｅｒｍａｎｙ）傅...     

重掺杂多晶硅－锗膜的电特性

重掺杂多晶硅－锗膜的电特性＝Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｈｅａｖｉｌｙｄｏｐｅｄｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎ－ｇｅｒｍａ－ｎｉｕｍｆｉｌｍｓ［刊．英］／Ｒｉｎｇ．Ｔ．Ｊ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅｃ－ｔｒｏｎＤｅｖ．...     

Texas公司数据手册

Ｔｅｘａｓ公司数据手册（按索书号顺序排序）７３．８７２３７０７３．Ｅ２３ＡＢＴＡｄｖａｎｃｄｅＢｉＣＭＯＳＴｅｃｈｎｄｏ吕ｙＤａ！ａＢＯｏ幻：ＡＨｉｇｈ－ＰｅｒｂｒｍａｎｃｅＬｉｎｅｏｆ５－ｖａｎｄ３．３－ｖＰｒｏｄｕｃｏｓ．１９９２．１１６０Ｐ．Ａ...     

SOI MOSFET的跨导

ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的跨导＝Ｔｒａｎｔｃｏｎｄｕｃ－ｔａｎｃｅｏｆｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒＭＯＳＦＥＴ＇ｓ［刊，英］／Ｃｏｌｉｎｇｅ，Ｊ．Ｐ∥ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ．Ｌｅｔｔ．－１９８５．６（１１）．－５７３～５７４用背栅偏压作...     

在SIMOX结构中辐照诱生ESR有源缺陷

在ＳＩＭＯＸ结构中辐照诱生ＥＳＲ有源缺陷＝Ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ－ｉｎｄｕｃｅｄＥＳＲａｃｔｉｖｅｄｅｆｅｃｔｓｉｎＳＩＭＯＸｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［刊．英］／Ｓｔｅｓｍａｎ，Ａ．…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｎｕｃｌ．Ｓｃｉ．－１９９０．３７（６）．－２０...     

铝－CVD金钢石－硅结构的电特性

铝－ＣＶＤ金钢石－硅结构的电特性＝Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆａｌｏｕｍｉｎｕｍ－ＣＶＤｄｉａ－ｍｏｎｄ－ｓｉｌｉｃｏｎｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［刊．英］／Ａｌａｍ．Ｍ．···∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃＤｅｖ．１９９３．４０...     

Ce_xSi_（1－x）应变层的电和光带隙

Ｃｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）应变层的电和光带隙＝ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌａｎｄｏｐｔｉｃａｌｂａｎｄｇａｐｓｏｆＣｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）ｓｔｒａｉｎｅｄｌａｙｅｒｓ［刊，英］／Ｊａｉｎ，Ｓ．Ｃ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅｃ．Ｄｅｖ．－１９９３，４０（１２）...     

过采样△－Σ鉴频器

过采样△－Σ鉴频器＝Ａｎｏｖｅｒｓａｍｐｌｉｎｇｄｅｌｔａ－ｓｉｇｍａｆｒｅｑｕｅｎｃｙｄｉｓｃｒｉｍｉｎａｔｏｒ［刊，英］／Ｂｅａｒｄｓ，Ｒ．Ｄ．…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ·Ｃｉｒｃ．ａｎｄＳｙｓｔ．－Ⅱ：ＡｎａｌｏｇａｎｄＤｉｇｉｔａｌＳｉｇｎａｌＰ...     

适用于高速CML双极电路的精确解析传播延迟模型

适用于高速ＣＭＬ双极电路的精确解析传播延迟模型＝Ａｎａｃｃｕｒａｔｅａｎａｌｙｔｉｃａｌｐｒｏｐａｇａｔｉｏｎｄｅ－ｌａｙｍｏｄｅｌｆｏｒｈｉｇｈ－ｓｐｅｅｄＣＭＬｂｉｐｏｉａｒｃｉｒｃｕｉｔｓ［刊，英］／ｓｈａｒａ，Ｒ．Ｍ．…ＩＥＥＥＳｏｌｌｄ－Ｓ...     

用选择氧化物沉淀的7次掩模CMOS工艺

用选择氧化物沉淀的７次掩模ＣＭＯＳ工艺＝Ａ７－ｍａｓｋＣＭＯＳｐｒｏｃｅｓｓｗｉｔｈｓｅｌｅｃｔｉｖｅｏｘｉｄｅｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［刊，英］／Ｈｏｒｉｕｅｈｉ，Ｔ．…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ，１９９３．４０（８），－１４５５～～...     

一种10位流水线开关电流A／D转换器

一种１０位流水线开关电流Ａ／Ｄ转换器＝Ａ１０－ｂｉｔｐｉｐｅｌｉｎｅｄｓｗｉｔｃｈｅｄ－ｃｕｒｒｅｎｔＡ／Ｄｃｏｎｖｅｒｔ－ｅｒ［刊，英］／Ｍａｃｑ，Ｄ．∥ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒ－ｃｕｉｔｓ．－１９９４，２９（８）．－９６７～９７２...     

All Optical Wavelength Conversion from 1.3μm to 1.55μm Using Two-segment DFB Lasers

ＡｌＯｐｔｉｃａｌＷａｖｅｌｅｎｇｔｈＣｏｎｖｅｒｓｉｏｎｆｒｏｍ１．３μｍｔｏ１．５５μｍＵｓｉｎｇＴｗｏ－ｓｅｇｍｅｎｔＤＦＢＬａｓｅｒｓ①ＬＵＯＢｉｎ，ＬＵＨｏｎｇｃｈａｎｇ，ＣＨＥＮＪｉａｎｇｕｏ（ＳｏｕｔｈｗｅｓｔＪｉａｏｔｏｎｇＵｎｉｖｅ...