纳米SiC—Si3N4复合超细粉末的研制

用热化学气相反应法制备了纳米级ＳｉＣ－Ｓｉ３Ｎ４复合超细粉末，讨论了工艺参数对复合超细粉末颗粒度、组成、结构等的影响，并制备出颗粒呈球形、颗粒尺寸均匀、分散性好、最小颗粒尺寸为８９Ａ的纳米级ＳｉＣ－Ｓｉ３Ｎ４复合超细粉末。     

激光驱动气相反应制备纳米级Si3N4超细粉末

本文利用CW—CO_2激光驱动气相化学反应的方法,以SiN_4和NH_3作为原料气体合成了纳米级Si_3N_4超细粉末。本工艺过程的产率达95％。由化学分析表明产物的纯度为含Si_3N_493.75wt％,杂质主要是氧,其含量为1.86wt％,另外还存在总含量为500ppm的Ca、Mg等杂质。由X射线衍射和透射电子显微镜等的分析表明,产物的颗粒近似于球形、不团聚,粒径分布范围为10um～30nm,平均粒径为17um,而其结晶性状呈现非晶态结构。     

激光驱动气相反应制备纳米级SiC超细粉末

利用CWCO_2激光加热SiH_4和C_2H_4的混合气体,使之发生气相化学反应,从而得到纳米级的SiC超细粉,产率达97％。分析表明产物的纯度为含SiC95.38wt％,杂质主要是氧,其含量为1.32wt％,另外还存在总含量为300mg/mL的Ca、Mg等杂质。由XRD和TEM等的分析表明,产物的颗粒近似于球形,不团聚,粒径分布范围为10nm～25nm,而平均粒径为15nm,并且其结晶性状呈现非晶态结构。     

电场和气压对激光合成SiC超细粉末的影响

用ＴＥＡＣＯ２激光诱导四甲基硅烷（ＴＭＳ）的气相反应，生成了纯而均匀的ＳｉＣ超细粉末，粒径小于０．２μｍ。把反应物置于均匀外电场中，可以使引发化学反应时所需的激光功率密度阈值降低一倍。ＴＭＳ气压可达到４０ｋＰａ。讨论了气体分压比对反应速度、产率与产物成分的影响。     

纳米SiC－Si_3N_4复合超细粉末的研制

用热化学气相反应法制备了纳米级Ｓｉｃ－Ｓｉ＿３Ｎ＿４复合超细粉末，讨论了工艺参数对复合超细粉末颗粒度、组成、结构等的影响，并制备出颗粒呈球形、颗粒尺寸均匀、分散性好、最小颗粒尺寸为８９Ａ的纳米级ＳｉＣ－Ｓｉ＿３Ｎ＿４复合超细粉末。     

Si3N4—SiC系复合陶瓷的试制

1.前言随着现代化学工业的飞速发展多种防腐蚀材料相继脱颖而出,应用于化学工业设备。具有一定耐腐蚀性能的普通化工陶瓷,由于存在着气孔率高、机械强度低和热稳定性差等缺     

化学气相沉积制备SiC涂层——I.热力学研究

对化学气相沉积（ＣＶＤ）法制备ＳｉＣ的热力学进行了系统研究,考察了Ｈ２－ＭＴＳ,Ａｒ－ＳｉＯ－Ｃ,Ｈ２－ＳｉＯ－ＣｘＨｙ,Ｈ２－ＳｉＨ４－ＣｘＨｙ等体系,着重研究了温度、压力、载气量和初始反应气体浓度对沉积单相ＳｉＣ的影响,以ＣＶＤ相图的形式给出了计算结果,这些相图对ＣＶＤ法制备ＳｉＣ的实验具有指导作用．     

稻壳制备SiC晶须及其Si3N4陶瓷复合材料的应用

本文对稻壳合成ＳｉＣ晶须进行了研究，生产了三种ＳｉＣｗ，并进行了复合Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料的研究。     

高炉用Si3N4结合的SiC质耐火材料的氧化

通过称重方法和表面显微结构的观察,较系统地研究了高炉用Si_3N_4结合的SiC质耐火材料在空气、水蒸汽和不同CO/CO_2比的混合气相中的氧化过程,探讨了该材料的氧化动力学。本文针对高炉冷却设备漏水情况而设计的水蒸汽氧化及其模拟高炉冶炼环境而设计的不同CO/CO_2比混合气相中的氧化实验结果,为研究高炉用Si_3N_4结合的SiC质耐火材料的蚀损过程提供了一定的理论依据。     

Si3N4结合SiC窑具的研制及应用

本文根据试验确定了工艺路线,介绍了氯化烧成机理、原材料的选择及生产工艺对制品的影响,生产出的制品技术指标先进,性能优良。作为更新换代的新型窑具材料具有显著的经济效益和社会效益,有着广泛的使用价值。     

SiC晶须对Si3N4陶瓷基复合材料机械强度的影响

制备了含10vol％,20vol％及30vol％SiC晶须的Si_3N_4基复合材料,对其室温及高温机械强度的测试研究表明,SiC晶须对基体的高温机械性能有明显的增强作用。含20vol％SiC晶须的复合材料1200℃下强度达780MPa,比基体材料提高50％。通过SEM和TEM研究,讨论了SiC晶须增强的原因。     

高炉用优质Si_3N_4结合SiC砖的生产

将SiC砂及Si粉合理搭配 ,通入纯度为99 .99%、H2 O含量小于 50× 1 0 - 6的氮气氮化烧成 ,通过一系列成熟而严格的工艺控制 ,其氮化率可达 89% ,产品的体积密度为 2 .69g·cm- 3,耐压强度达到 2 0 4MPa ,高温抗折强度达到 61 .8MPa。     

高频等离子体化学气相淀积制备氮化硅超细粒子

利用高频等离子本化学气相淀积方法以四氯化硅及氨为原料，合成了粒度小、粒径分布均匀、氮含量为３６．３％的无定形氮化硅粉末，研究了放置环境，合成及热处理环境，进料位置，ＮＨ３与ＳｉＣｌ４配比等不同的工艺条件对产物氮化硅氮含量的影响。推究了高温下四氯化硅与氨反应合成氮化硅的过程机理。     

碳热还原法合成Si3N4的研究

研究了碳热还原法合成Ｓ３Ｎ４粉末中原料配比、Ｎ２流量，反应压力、反应莳晶种等因素对氮化的影响，获得了较佳的工艺参数，研制出氮含量大于３７％，平均粒径小于１．５μｍ的α－Ｓｉ３Ｎ４粉末。     

X射线衍射研究球磨Si3N4粉末的特征

Ｓｉ３Ｎ４粉末在行星球磨机中以酒精为研磨液进行湿磨，直至１９５小时。采用Ｘ射线粉末衍射研究了Ｓｉ３Ｎ４粉末晶块尺寸值和晶烃量与研磨时间的关系，晶块尺寸值与晶格畸变量的分离基于两项宽化效应对布拉格角的依赖不同。结果表明：在最初５０小时的左磨中，晶块细化很快，超过１７０小时后，晶块不再减小；经１９５小时球磨，粉末晶块尺寸值从未磨样的０．２３μｍ减少到０．０７４μｍ；经计算得未磨样最小位错密度为ρＤ＝５     

Si3N4陶瓷气氛压力烧结（GPS）技术

本文论述了气氛压力烧结技术产生的技术前景，ＧＰＳ烧结的原理和优越性，介绍了ＧＰＳ烧结工艺的技术关键以及在材料制备中的实际应用。     

利用表面形成Si_2N_2O层提高Si_3N_4陶瓷材料抗氧化性能

根据对Ｓｉ－Ｎ－Ｏ系统相图的分析，首次在Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料表面形成Ｓｉ２Ｎ２Ｏ抗氧化层。其方法是利用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ在Ｓｉ３Ｎ４陶瓷的表面涂上一层ＳｉＯ２（其中含有１０％的Ａｉ２Ｏ３）涂层后，在Ｎ２气氛中，并有Ｓｉ３Ｎ４粉末和ＳｉＯ２粉末存在的条件下，于１２７３～１６７３Ｋ的温度下进行热处理。用ＸＲＤ和ＸＰＳ分析验证了Ｓｉ２Ｎ２Ｏ（和／或Ｏ’－Ｓｉａｌｏｎ）层的存在。由于形成了Ｓｉ２Ｎ２Ｏ（和／或Ｏ’－Ｓｉａｌｏｎ）层，Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料在１５７３Ｋ的温度下氧化１００ｈ后，氧化增量从原来的０．４２ｍｇ／ｃｍ２降低到０．２４ｍｇ／ｃｍ２。     

铁精粉还原炉用Si_3N_4（Sialon）/SiC材料在H_2O—H_2—N_2气氛中热力学计算分析

根据热力学原理对Si—C—N—H—O五元系统进行了平衡状态下的相稳定性计算,绘制了在1 073 K和1 223 K下的SiC、Si_3N_4、Si_2N_2O和SiO_24个稳定相的稳定性与N_2分压和H_2O分压的关系图,即优势区域图,分析了其凝聚相的稳定区域。同时结合SEM显微结构分析氢气还原炉中Si_3N_4/SiC和Sialon/SiC制品抗H_2O—H_2—N_2气氛的侵蚀性能。