数字晶体管f_T测试误差分析

特征频率fT是数字晶体管的一项重要参数。文章叙述了普通晶体管特征频率fT的测试原理,并从模拟数字晶体管的等效电路着手,通过理论推导,深入分析了fT产生测试误差甚至无法测量的原因。指出基极串联电阻的接入破坏了基极注入信号必须是恒流的测试条件;基极-发射极并联电阻的接入对测试信号起到了分流作用。在这两方面共同作用下,经被测管放大后的集电极信号减小,导致增益下降,必然会产生很大的测试误差。同时文中进行了一系列的试验,与分析结果相符合,并分别给出了串联电阻和并联电阻对fT影响程度的具体数据及曲线图,可为数字晶体管的生产厂商和使用单位的有关人员提供帮助,也可供测试仪器制造厂家的研发人员作为参考。     

3DG56正向自动增益控制晶体管f_T的电流特性分析

一、 在电视机高频调谐电路和中放电路中都使用一种正向自动增益控制(Forward AGC)晶体管。这种晶体管的特点是其功率增益随工作点电流的上升而迅速下降(见图1)。当电视机接收到的信号过强时,AGC电路会把该管的偏置抬高,工作电流随之增大,使功率增益降低,从而达到把信号强度控制在一定范围内的目的。     

高电流增益横向PNP晶体管的设计

本篇论文从横向PNP二维近似模型出发,分析和研究影响电流增益h_(FE)的主要因素.在此基础上,设计一块芯片上有几种不同几何形状和尺寸的横向PNP管图形.采用常规集成电路工艺制出BVceo=40V,BVebo=100V,Veb=0.5V(Ic=100μA),h_(FE)=100的横向PNP晶体管.测量结果表明,理论上的估计与实验结果一致.我们发现:设计创造h_(FE)=100并不十分难.关键是如何减少纵向注入和基区复合以及如何提高集电极电流Ic成份.我们认为:设计合理的埋层间隙;合理的横向基区厚度及纵向基区厚度;减少发射区引线孔的几何尺寸是提高h_(FE)的重要途径.本文还介绍几种减少纵向注入的结构和减少复合的手段.     

低噪声高电流增益晶体管

晶体管噪声新的表示方法,所有四端网络的噪声特性可以用图1中示出的输入转换噪声电压源e_n和噪声电流源i_n以及相关系数γ表示。当给出噪声源并作某些假定之后,且与晶体管参数相比较,这些噪声源可表示为:     

高电流增益的碳化硅双极型晶体管

A novel 4H-SiC BJT of high current gain with a suppressing surface traps effect has been proposed. It is effective to improve the current gain due to the lower electrons density in the surface region by extending the emitter metal to overlap the passivation layer on the extrinsic base surface. The electrons trapped in the extrinsic base surface induce the degeneration of Si C BJTs device performance. By modulating the electron recombination rate, the novel structure can increase the current gain to 63.2% compared with conventional ones with the compatible process technology. Optimized sizes are an overlapped metal length of 4 m, as well as an oxide layer thickness of 50 nm.     

一种高PSR低静态电流LDO设计

设计了一种基于0.18 μm BCD工艺的高电源抑制(PSR)低静态电流低压差线性稳压器(LDO)。详细分析了多条电源噪声传递路径对系统PSR的影响。为优化系统中低频段PSR,设计了一种双轨供电的三级误差放大器。此外还引入了预稳压单元,降低了电压基准模块对系统低频段PSR的影响。为降低系统的静态电流,设计了一种基于耗尽管的超低静态电流电压基准。仿真结果表明,该LDO在不同输出电压下静态电流仅5 μA,并且在250 mA负载电流内PSR<-110 dB @1 kHz,PSR<-55 dB @1 MHz。     

f_T为75GHz的SiGe基区异质结双极晶体管

报道了具有最高单位电流增益截止频率(f_T)的Si异质结双极晶体管(HBT)的制作。器件的f_T值达75GHz,集电极-基极偏压1V,本征基区层电阻(R_(bi))17kΩ/□,发射极宽0.9μm。该器件用SiGe作基底材料,采用多发射极双极工艺制作,其75GHz的性能指标几乎比Si双极晶体管的速度提高一倍。45nm基区中的Ge是缓变的,这样就产生了约为20kV/cm的漂移电场,因而本征渡越时间仅为1.9ps。     

低尺寸，高电流电感器

这款经改善的特别坚固版汽车电子用SMT功率电感器采用了带注入成型终端夹的基板，增强了机械稳定性，并改善了焊接过程的温度分布状况。镍阻隔镀层焊接区满足了汽车电子应用中对坚固性的更高要求。     

低温、小电流、高增益硅双极晶体管的研究与设计

介绍了一种用于低温、小注入电流条件下工作的新型多晶硅发射区双极晶体管,并给出了晶体管电流增益的低温模型。该模型考虑了低温下多子和少子的冻析效应、禁带变窄效应、Auger复合、多晶硅发射效率增强效应等。在此基础上,通过用SUPREM-Ⅲ和PISCES-Ⅱ进行了工艺模拟和器件模拟,最后完成了实际版图制作和工艺流水。对管子的测试表明,该晶体管具有极好的小电流特性,在0.5μA的注入电流下其共射电流放大倍数可高达1000,在低温(77K)下其β仍可达70左右,能够正常工作。     

晶体管参数|h_(fe)|及截止频率f_T的测量

晶体管在射频段使用时人们最感兴趣的h参数是:晶体管短路输入阻抗h_i、晶体管开路输出导纳h_0和晶体管短路电流放大系数h_(fo)关于h_i和h_0可以用普通的射频阻抗(或导纳)电桥通过适当改装后来测量,h_f也可以利用实验室的通用电子设备如信号发生器、高频微伏表等配合起来进行测量.本文仅限于介绍晶体管在射频段共发射极短路电流放大系数的模值     

低杂音晶体管

一、引言在考查晶体管杂音特性的改善历史时,必须放在第一位的是1960年美国 FCI 公司所提出的硅平面技术;采用这种技术,我们可以创造出比以前稳定得多的晶体管结构。之后,随着结晶、扩散、表面保护等各种技术日新月异的发展,晶体管的杂音特性也不断地在改进。在这期间开始采用本公司的 MO(?)(1)(金属氧化物钝化)技术和 LCD(低浓度扩散)技术,而 LTP(低温钝化)技术,APT(氧化铝钝化器件工艺)技术,(?)CT(完美晶体     

高耐压低负阻大功率晶体管理论分析

从理论上分析了影响晶体管发射极一集电极击穿后负阻摆幅的因素，通过SUPREM-Ⅲ分别模拟镓管和镓硼管的杂质浓度分布，得到了镓硼管低负阻摆幅和镓管低的电流增益原因。     

高电子迁移率晶体管功率放大器的设计

本文基于Ga N基高电子迁移率晶体管设计了一款宽带平衡功率放大器,并重点对平衡功率放大器、宽带匹配、耦合器、偏执电路以及电路的设计仿真做了重点说明,通过对电路进行功率测试分析,本放大器在10W功率性能上具有一定优越性,在30w功率达到了同等水平。     

多集电极横向PNP晶体管电流增益的设计

本文给出了横向晶体管设计模型,讨论了集电极断节效应和基区表面场效应,实验表明,设计薄的基区宽度,选用长方形或圆形发射极,配合相应的断节集电极结构是多集电极横向晶体管的优化设计方案,采用场效应板同时覆盖本征基区表面和断节集电极的基区表面,是提高多集电极横向晶体管电流增益的重要有效途径.     

氮化镓基高电子迁移率晶体管栅电流输运机制研究

制备了与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管栅极结构与性能等效的圆形肖特基二极管结构,测量了器件的变温电流-电压特性,研究其在正向与反向偏压条件下的载流子输运过程。结果表明:(1)正向低偏压线形区的电流主要为缺陷辅助隧穿电流,而体电阻效应显著的高偏压区,经典热发射机制占主导地位;(2)AlGaN势垒层中的极化电场对器件的反向漏电流起重要作用,载流子的主要输运过程为Frenkel-Poole发射机制。     

低温高注入硅双极晶体管电流增益的定理模拟

本文了基区复合电流，发射结空间电荷区复合电流，基区高主入引起的禁带变窄效应，Ｅａｒｌｙ效应，基区和发射区电导调制效应，有效基区展宽效应以及发射区电流集边效应，定量地模拟了硅双极晶体管电流增益在７７Ｋ和３００ｋ时与集电极电流的关系，并且与实验结果相吻合。     

低温高注入硅双极晶体管电流增益的定量模拟

本文考虑了基区复合电流，发射结空间电荷区复合电流，基区高注入引起的禁带变窄效应，Ｅａｒｌｙ效应，基区和发射区电导调制效应，有效基区展宽效应以及发射区电流集边效应，定量地模拟了硅双极晶体管电流增益在７７Ｋ和３００Ｋ时与集电极电流的关系，并且与实验结果相吻合，计算还表明在低温７７Ｋ时，电流增益的大注入效应由基区电导调制效应和发射区电流集边效应决定，而在３００Ｋ时则由有效基区展宽效应决定。     

一种氮化镓高迁移率晶体管的栅电流噪声模型

This work presents a theoretical and experimental study on the gate current 1/f noise in Al Ga N/Ga N HEMTs. Based on the carrier number fluctuation in the two-dimensional electron gas channel of Al Ga N/Ga N HEMTs, a gate current 1/f noise model containing a trap-assisted tunneling current and a space charge limited current is built. The simulation results are in good agreement with the experiment. Experiments show that, if Vg Vx, gate current 1/f noise comes from not only the trap-assisted tunneling RTS, but also the space charge limited current RTS. This indicates that the gate current 1/f noise of the Ga N-based HEMTs device is sensitive to the interaction of defects and the piezoelectric relaxation. It provides a useful characterization tool for deeper information about the defects and their evolution in Al Ga N/Ga N HEMTs.     

晶体管电流负反馈三点式振荡器

电感三点式或电容三点式振荡器有着广泛的应用.若在一般共射极三点式振荡器的发射极串入一个电阻,就构成电流负反馈三点式振荡器.经过正确的设计和调试,振荡器的频率稳定度和信号波形都会得到明显的改善.要了解其特性,首先必须分析其振荡的相位平衡条件和振幅平衡条件.我们按照通常的方法,即应用Kβ=1的振荡条件来分析.但必须注意到,把负反馈