国外厚薄膜电路水平综述——厚膜电路的材料(二)

<正> 一、基板材料 国外常用的基板材料有冻石、镁橄榄石、玻璃、珐琅、金属、有机材料等等。 在混合IC所用的基板中,96％氧化铝基板一直占有极大的比例,它是厚膜电路比较理想的基板材料。西欧普遍采用的96％氧化铝基板的表面光洁度为0.4～0.6μm,最高水平为0.3μm。近几年把注意力放在提高氧     

TaN薄膜电阻的功率加载特性研究

通过射频反应溅射,在氧化铝基板上制备了TaN薄膜电阻。研究了TaN薄膜电阻在不同加载功率密度下表面温度的变化,研究了高温下TaN薄膜氧化所造成的电阻失效。按照混合集成电路规范的测试条件,在环境温度为70℃,TaN薄膜电阻的厚度为0.1μm,氧化铝基板厚度为0.125mm的条件下,TaN薄膜电阻可以耐受4W/mm2的功率密度,或者9.4W/mm2的1min瞬时功率密度冲击。     

应用于微波和RF电路中的厚膜材料和工艺

介绍了应用于微波和 RF电路中的厚膜材料和工艺。无玻璃的厚膜导体材料 (如金、银等 )的电阻率极低。氧化铝 (96% ,99% )、氧化铍和氮化铝陶瓷的高频损耗很低 ,是优良的微波和 RF电路用基板。采用先进的厚膜细线技术 ,使厚膜导体的线分辨率几乎达到了薄膜工艺的水平。新开发的低损耗、低介电常数的低温共烧陶瓷 (L TCC)材料最适合做微波 MCM的基板材料。     

高速响应碳化硅薄膜热敏电阻

将氧化铝基板表面高频溅射碳化硅薄膜而构成的热敏电阻芯片焊接在一端封口的圆柱金属外壳内,能够探测温度的热时间常数大约为0.6秒。     

薄膜集成无源元件技术发展现状

本文介绍了薄膜集成无源元件技术发展现状，重点介绍了硅基板、刚性基板和柔性基板上的薄膜集成无源元件技术的研制方法，材料和工艺的选择和优化。分析了这些薄膜集成无源元件技术各自的优点。     

应用于微波和RF电路中的厚膜材料的工艺

介绍了应用于微波和ＲＦ电路中的厚膜材料和工艺。无玻璃的厚膜导体材料的电阻率极低。氧化铝（９６％,９９％）、氧化铍和氮化铝陶瓷的高频损耗很低,是优良的微波和ＲＦ电路用基板。采用先进的厚膜细线技术,使厚膜导体的线分辨率几乎达到了薄膜的工艺的水平。     

氮化铝基板薄膜金属化工艺研究

氮化铝（ＡＩＮ）基板由于其优良的热性能和无毒性，成为一种重要的微电子材料。本文从以下三方面研究了氮化铝基板的薄膜金属化问题：（１）金属薄膜同ＡＩＮ基板的附着力；（２）ＡＩＮ基板上薄膜电阻的温度系数；（３）ＡＩＮ基板上ＮｉＣｒ薄膜电阻的功率密度。研究结果表明，氮化铝上薄膜金属化层的附着强度可以大于ＡＩＮ陶瓷本身。成功地将薄膜金属化氮化铝基板应用于功率混合电路和功率对晶体管模块中。     

铁氧体隔离器薄膜电路制备工艺研究

文中采用磁控溅射方式在铁氧体基片上制备了微带隔离器的多层膜结构。通过带金属掩模版溅射电阻层,避免了对薄膜电阻的光刻和刻蚀;通过使用铜靶和湿法刻蚀,克服了对溅射用金靶、反应离子刻蚀等工艺技术和设备的依赖。该新型工艺方法简化了镍铬薄膜电阻的制作,降低了薄膜电路的制造成本,可应用于集成电阻的薄膜电路基板的研制。     

高密度通孔薄膜电路工艺技术研究

通过对薄膜电路制作工艺的系统研究,提出了一种新型的制作高密度通孔薄膜电路工艺方法,克服了高密度通孔薄膜电路对溅射用金靶、喷雾式涂胶和反应离子刻蚀等工艺技术和设备的依赖,降低了高密度通孔薄膜电路研制成本.该新型工艺方法已成功应用于延时电路、变频电路和低噪声放大器等微波组件中高密度通孔薄膜电路基板的研制.     

磁控溅射法制备的MoO_x薄膜材料特性

MoO_x材料因其较低的反射率,在窄边框液晶显示技术等领域是一种理想的材料。本文利用磁控溅射法在玻璃基板上制备MoO_x薄膜,并在MoO_x薄膜上沉积不同的金属层,采用不同的方法研究MoO_x薄膜及其搭配金属层的特性。测试结果表明:MoO_x和玻璃基板的粘附性较好,无须打底膜可在玻璃基板上直接沉积;MoO_x和Al及Cu的粘附效果优于Mo及MTD等Mo合金;MoO_x薄膜的方块电阻值较大,搭配金属层时可忽略不计;MoO_x厚度对搭配金属膜的反射率及色差影响很大,而金属层厚度影响较小。对于采用MoO_x作低反材料的工艺,可以根据MoO_x材料的特性选择搭配不同的金属层,在满足反射率等要求的基础上,可通过调整MoO_x层厚度来调整产品的色差,以满足客户的颜色喜好需求。     

CdTe薄膜的红外光学特性研究

用干涉法研究了热蒸发（ＰＶＤ）方法制备的ＣｄＴｅ薄膜材料的红外光学特性，通过对不同基板温度和不同薄膜厚度ＣｄＴｅ薄膜样品的研究，确定了在薄膜沉积过程中基板温度和膜厚对ＣｄＴｅ薄膜红外光学特性的影响，发现ＣｄＴｅ薄膜具有一定的非均匀性，其折射率随着薄膜厚度的增加而减小，在１２０－２００℃范围内，基板温度对ＣｄＴｅ薄膜红外光学特性的影响不大。     

聚合物透明薄膜基板

大日本印刷开发了聚合物透明薄膜基板,在此基板上镀防水汽和氧气的膜,不仅用于液晶显示,也用于有机发光显示,将能实现柔软性显示。计划今年开始出销聚合物透明薄膜基板产品聚合物透明薄膜基板     

厚薄膜测量

为透明和半透明材料、厚薄膜测量设计的薄膜厚度测量装置性能好于类似的 CCD系统。光谱国际公司的薄膜厚度测量装置能测量比类似 CCD传感器薄的膜。薄膜厚度分辨率为 2 nm,重复性在± 1%或 0 .4 nm,可在现场单独应用。此装置可用于计算吸收和非吸收材料的折射率 ,可进行多个薄膜层的同时测量。也可用于测量未知厚度和未确定成分的膜。系统可测量电介质膜 ,如氮化物、氧化物 (氧化硅、氧化铝 )等聚合物涂层和吸收材料薄膜 (如硅、聚硅、无定形硅和其他半导体材料 )。此装置性能先进 ,有广泛应用 (包括半导体晶片、太阳电池、平板显示和光…     

氧化铍基板厚膜多层电路工艺研究

氧化铍基板在大功率电路领域广泛应用。本文对氧化铝基板用厚膜多层浆料体系在氧化铍基板上的匹配性进行研究。重点对导体的附着力、焊接性能进行了对比实验。研究结果显示氧化铝基板用厚膜多层浆料体系适用于氧化铍基板上。     

影响薄膜排列密度的工艺因素

一、引言排列密度是沉积薄膜的重要性质之一。研究排列密度不仅对薄膜光学、电学性质是重要的,而且对于它的机械特性和化学稳定性也是重要的。沉积薄膜一般是由固态材料加热汽化,然后在给定的基板上凝聚而成。由于薄膜的     

激光修补技术在修复薄膜图形缺陷上的应用——薄膜图形缺陷激光修补机

阐述了应用激光修补技术在玻璃基板上去除金属及其化合物薄膜和在玻璃基板上沉积金属薄膜的图形缺陷修补原理与方法;简述了影响薄膜图形缺陷修补质量与效率的关键技术;简单介绍了薄膜图形缺陷激光修补机的系统构成及其技术与性能指标.     

低温共烧陶瓷基板的薄膜金属化

就低温共烧陶瓷(LTCC)基板实用化过程中遇到的问题,研究了LTCC基板的薄膜金属化技术;经复合膜系Ti/Ni/Au薄膜金属化的LTCC基板可满足各项技术指标要求,通过考核证明了用此方法制得的基板可靠性高,完全满足使用要求。     

铝阳极氧化基板制备过程对埋置型Ta-N薄膜电阻的影响

在铝阳极氧化多层基板内用RF反应溅射制备了埋置型Ta-N薄膜电阻,研究了铝阳极氧化过程对Ta-N薄膜电阻和显微结构的影响.实验结果表明:Ta-N薄膜受上层多孔氧化铝膜影响在表层形成了由Ta2O5和Ta-O-N组成的氧化物凸起绝缘层,氧化物凸起层厚度与氧化电压有关.底层Ta-N薄膜电阻率和电阻温度系数基本保持不变,表层氧化凸起使电阻稳定性增加.     

铝阳极氧化基板制备过程对埋置型Ta-N薄膜电阻的影响

在铝阳极氧化多层基板内用RF反应溅射制备了埋置型Ta-N薄膜电阻,研究了铝阳极氧化过程对Ta-N薄膜电阻和显微结构的影响.实验结果表明:Ta-N薄膜受上层多孔氧化铝膜影响在表层形成了由Ta2O5和Ta-O-N组成的氧化物凸起绝缘层,氧化物凸起层厚度与氧化电压有关.底层Ta-N薄膜电阻率和电阻温度系数基本保持不变,表层氧化凸起使电阻稳定性增加.     

利用扫描电子显微镜对BeO电路基片进行失效分析

当今电子器件的发展趋势是高密度、多功能、快速化和大功率 ,因此散热问题成为影响功率衰退和器件寿命的关键因素。氧化铍陶瓷的热导率比三氧化二铝陶瓷高一个数量级 ,这是其最为可贵的特性 ,氧化铍陶瓷具有介电常数低、介质损耗小、抗热冲击性好等特点 ,是高频大功率薄膜电路基板的首选材料。薄膜电路导体材料为金 ,金的电阻温度系数小 ,对陶瓷基板有良好的附着性 ,另外为提高金与氧化铍之间的附着力 ,采用镍铬合金作为过渡层[1～ 3 ] 。材料和方法样品为 18ｍｍ× 10ｍｍ× 0 6ｍｍ的氧化铍陶瓷电路基片 ,制作电路的工艺流程为 :基片予处…