快速热处理对PECVD碳化硅薄膜性能的影响

使用PECVD在p型单晶硅衬底上沉积非晶碳化硅薄膜,研究快速热处理对薄膜的钝化性能和光学性能的影响.结果显示:随着热处理温度从450℃升高到850℃,薄膜厚度迅速减小;在650℃及以下温度进行热处理后折射率基本不变,但温度继续上升折射率迅速上升;同时热处理对薄膜的厚度和折射率的影响能在很短时间内完成,使薄膜迅速致密化.在低于750℃热处理时,衬底少子寿命增加,在热处理温度高于750℃后少子寿命急剧下降.碳化硅薄膜的反射率在快速热处理之后基本不变.     

快速热处理下镍对锗单晶电学性能的影响

采用磁控溅射法在n-Ge表面镀镍薄膜,通过改变快速热处理时间研究镍对锗单晶的导电型号、电阻率和少子寿命的影响,以及镍在锗中的扩散行为。结果表明：镍在锗中具有向内扩散和向外扩散两种行为,并以受主状态存在,改变了锗内部的载流子的分布;775℃热处理后,镍受主完全补偿原有的施主,使锗由n型转变为P型,随着热处理时间的增加,电阻率下降,镍受主浓度增加。即使微量的镍就可以使锗的少子寿命直线下降至零点几微秒,这表明镍在锗中会引入深能级。     

热处理对铜玷污单晶锗(111)光学性能的影响

采用傅里叶红外光谱测试技术,研究快速热处理(RTP)和常规热处理(CFP)对表面铜玷污单晶锗红外透过率的影响。结果表明:样品的红外透过率随热处理温度的上升呈增大趋势。样品经过短时间抛光后,红外透过率恢复至初始大小。分析表明Cu-Ge的互扩散及界面反应是造成透过率改变的主要原因。     

玻璃衬底沉积氮化硅薄膜性能研究

为了改善玻璃衬底上制备的薄膜太阳电池的转换效率,采用高纯氮气作为等离子体气源,以质量分数为5%的SiH_4(Ar稀释)作为前驱气源,利用电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃衬底上低温制备了氮化硅薄膜;利用各种测试设备分析了薄膜的成分、光学性能和表面形貌.结果表明:实验制备的非晶薄膜含氢量较低;薄膜的折射率随着衬底温度和微波功率的增加而增加.在衬底温度为350℃、微波功率为650 W时,薄膜的折射率在2.0左右,平均粗糙度为1.45 nm,还说明薄膜具有良好的光学性能和较高的表面质量.在此条件下,薄膜的沉积速率达到10.7 nm/min,表明本实验能在较高的沉积速率下制备均匀、平整、优质的SiN薄膜.     

热处理温度对贝氏体铸钢性能的影响

采用正交试验的三水平四因素L9（3^4）正交表进行成分优化制备低合金贝氏体铸钢。对低合金贝氏体铸钢热处理温度进行了研究,通过综合分析热处理温度对其性能的影响,确定出了最佳的热处理温度。     

多层反射型保温结构的传热性能分析

在介绍反射型保温结构保温原理的基础上，对多层圆筒型保温结构进行了保温性能的分析和计算，给出了不同保温结构层数，不同工作温度度条件下的有效热导率的计算方法和程序；回归了一定条件下的有效热导率计算公式；在分析最优保温结构的基础，第一次提出了临界热绝缘层数Ｎｃｒ（ＣＩＬＮ）的概念。     

氮化硅薄膜热性能测试研究

提出了一种可以测试氮化硅薄膜热导、热容的方法。该方法采用微机械加工技术制作成悬空结构,利用Pt薄膜来做加热与测温电阻。设计了合理的测试方案来减小测试过程中Pt薄膜附加热导、热容带来的影响。用Matlab模拟了结构的热响应特性。在Pt薄膜中通入直流电流后, 桥面温度逐渐升高,最终达到稳定,在相同的电流输入下,微桥的热容、热导越大,桥面的温升越小。讨论了无效加热电阻和微结构加工工艺对测试精度的影响,并给出了提高测试精确度的方法。     

热氧化处理对氮化硅粉料表面可溶性离子的影响

选用一种商业氮化硅粉料,研究了可溶性高价反离子对其水中分散性能的影响,并研究了粉料表面的几种可溶性金属离子在热氧化处理过程中的变化规律.研究发现,初始氮化硅粉料分散性能的限制性因素是可溶性（Ca^2＋＋Mg^2＋）的浓度过高所致.一价可溶性离子Na^＋和K＋非常稳定,热氧化处理基本上不改变其在氮化硅颗粒表面的存在状态.对于Ca^2＋,Mg^2＋和Fe^3＋而言,热氧化处理显著改变了其在氮化硅颗粒表面的存在状态,由可溶性的高价反离子变成了难溶性的氧化物.对Fe元素而言,除了变成难溶性的氧化物外,在热氧化过程中还发生了由氮化硅粉料表面向颗粒内部的扩散.     

硼碳氮薄膜的内应力研究

采用射频磁控溅射技术制备出硼碳氮(BCN)薄膜。傅里叶红外吸收光谱(FTIR)测量发现样品的组成原子之间实现了原子级化合,扫描电子显微镜(SEM)测量发现样品与衬底间存在较大的内应力。样品剥落后,应力的消除使红外吸收峰向低波数移动。实验还发现,对新制备的硼碳氮薄膜进行600℃热处理能有效释放薄膜中的压应力。     

快速退火Sol—Gel PZT铁电薄膜的性能研究

报道了以乙酸铅、乙酸氧锆和钛酸正丁酯为原料，用溶胶-凝胶（Sol-Gel）法，经多次旋转涂膜，在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了PZT凝胶薄膜。用快速退火（RTA）作薄膜的热解和结晶热处理，制备了以（100）取向为主的PZT薄膜。用X射线衍射（XRD）和RT66A测试了膜的结晶取向、漏电流、电滞回线和抗疲劳性能等。结果表明，经RTA处理的溶胶凝胶法PZT膜具有良好的性能。     

铁电薄膜及其制备技术

具有铁电性且厚度尺寸为数十纳米到数微米的铁电薄膜具有良好的压电性、热释电性、电光及非线性光学特性 ,在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有着广泛的应用前景 ,是目前国际上新型功能材料研究的热点之一。通过综述铁电薄膜及其制备技术研究的新进展 ,给大家介绍铁电薄膜材料的基本特征、性能及应用 ,并重点分析铁电薄膜主要制备技术的优缺点 ,指出了目前铁电薄膜及其制备技术研究需要重点解决的一些问题。     

工作气压对制备立方氮化硼薄膜的影响

用射频溅射法将立方氮化硼(C-BN)薄膜沉积在p型Si(100)衬底上,薄膜的成分由傅里叶变换红外吸收谱和X射线衍射谱标识.在其他条件不变的情况下,研究了工作气压对制备立方氮化硼薄膜的影响.研究结果表明,工作气压是影响c-BN薄膜生长的重要参数,要得到一定立方相体积分数的氮化硼薄膜,必须要有合适的工作气压.工作气压等于或高于2.00 Pa时,立方相不能形成;工作气压为 0.67 Pa时,得到了立方相体积分数为92%的立方氮化硼薄膜.     

激发频率对纳米晶硅薄膜微结构的影响

以SiH4和H2为气源,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备了纳米晶硅薄膜,利用傅里叶变换红外光谱技术对不同激发频率下薄膜的微结构变化进行了研究.结果表明,薄膜中的氢含量(摩尔分数)和硅氢键合模式与激发频率有密切关系,提高激发频率可降低薄膜中的氢含量,并且硅氢键合以SiH2为主.     

等离子体化学气相沉积制备氮化碳薄膜

以H2、N2和CH4气体为前驱气体,通过等离子体化学气相沉积技术制备氮化碳薄膜。采用场发射扫描电子显微镜(FS-EM)及其附带的能量分散电子谱(EDS)、X射线衍射分析(XRD)、红外光谱(FTIR)和拉曼光谱(Raman)对其结构、表面形貌、元素含量和成键状况进行了分析,并讨论了气体流量比和放电功率对薄膜制备的影响。实验结果表明:沉积的薄膜中含有晶态的C3N4,碳氮原子比接近于理论值0.75,样品中碳氮原子多以C N、C N的形式存在;样品中氮元素的含量随着反应气体中N2含量的增加而增加;放电功率的增大使薄膜的沉积速率增大。