退火温度对真空热蒸发CdTe薄膜特性的影响

采用真空热蒸发方法,以高纯CdTe粉末为蒸发源,在石英和AZO玻璃上沉积了厚度约为485 nm的CdTe薄膜,随后在N2氛围中于250~400℃条件下进行后退火处理。利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、分光光度计和数字源表测量了不同退火温度条件下样品的结构、光学和电学特性。结果表明,所制备的薄膜为立方闪锌矿结构,择优取向为111晶向,提高退火温度可以促进薄膜结晶;光学测量结果证实,随退火温度升高,薄膜样品的光学带隙由1.527 e V减小到1.496 e V;电流-电压测试表明,薄膜电导率随退火温度的增加,由0.97μS/cm增大至87.3μS/cm。     

沉积和退火温度对多晶ZnO薄膜结构特性的影响

采用RF反应溅射法在Si（111）衬底上制备出了沿C轴高度取向的多晶ZnO薄膜。通过对ZnO薄膜的X射线衍射（XRD）分析,研究了沉积温度及退火对多晶ZnO薄膜取向性、晶粒大小和应力的影响。结果表明,衬底温度和退火温度对多晶ZnO薄膜的晶体结构影响显著。适当的提高衬底温度或适当的增加退火温度都能有效地改善ZnO薄膜的结构特性,但增加退火温度更有优势。同时原子力显微镜观察表明,退火能有效地降低ZnO薄膜的表面粗糙程度。     

退火温度对Ta掺杂ITO薄膜性能的影响

利用电子束蒸发技术在玻璃衬底上沉积了Ta掺杂ITO(ITO:Ta)薄膜,对比研究了在不同退火温度下ITO:Ta和ITO薄膜表面形貌、方阻、载流子浓度、霍尔迁移率和透光率的变化情况.结果表明,随着退火温度的上升,ITO:Ta薄膜的晶化程度不断提高,并获得较低的表面粗糙度.在合适的退火温度下,ITO:Ta薄膜的光电性能也有显著的改善.当在氮气氧气氛围下经过500℃退火时,ITO:Ta薄膜得到最佳的综合性能,表面均方根粗糙度为2.17 nm,方阻为10-20 Ω,在440 nm的透光率可达98.5%.     

退火温度对SmCo非晶薄膜显微结构和磁性能的影响

用直流磁控溅射方法制备了非晶态的SmCo磁性薄膜,并通过不同的退火处理使其具有不同晶粒大小的晶化组织和磁性能。用透射电镜(TEM)及电子衍射分析薄膜在不同状态下的微观组织形貌和相结构,用振动样品磁强计(VSM)分析薄膜的磁性能变化规律。结果表明,溅射态薄膜为非晶,在400℃退火薄膜已晶化,在450℃退火时晶粒均匀细小且磁性能优良;500℃以上退火时出现不均匀粗大晶粒,对应的磁性能降低。同时探讨了SmCo磁控溅射非晶磁性薄膜晶化过程的组织结构和磁性能变化的关系。     

真空退火对镀Al薄膜NdFeB磁体矫顽力和耐蚀性的影响

采用电弧离子镀技术在烧结NdFeB表面沉积一层Al薄膜,并进行真空退火热处理。利用扫描电镜、永磁材料测量系统、电化学工作站和盐雾试验箱等,研究了不同退火工艺对Al/NdFeB试样显微组织、磁性能和耐蚀性的影响。结果表明,随着退火温度的升高,矫顽力先升高后降低,550 ℃退火60 min时矫顽力最高,达到22.41 kOe,较镀态试样增幅7.6%,但耐蚀性有所降低;随着退火时间的增加,矫顽力先降低后升高,550 ℃退火5 min时矫顽力为22.16 kOe,且自腐蚀电流密度较基体NdFeB降低了1~2个数量级。550 ℃退火5 min试样具有较高的矫顽力和较好的耐蚀性能。     

退火温度对ZnTe薄膜结构和性能的影响

采用脉冲激光沉积法(PLD)在玻璃衬底上通过室温溅射和原位退火制备了ZnTe薄膜。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见分光光度计和荧光分光光度计等研究了退火温度对薄膜结构和性能的影响。结果表明:薄膜具有明显的<110>择优生长特征。随着退火温度的升高,薄膜结晶质量逐渐提高,晶粒长大,透过率增加;但过高的退火温度降低了晶体的结晶质量和透过率。当退火温度为280℃时,ZnTe薄膜具有最好的结晶质量,平均透过率达到90%左右。     

Cu含量对FePt薄膜退火温度的影响

采用共溅射方法存玻璃基片上制备了（FePt）1-xCux合金薄膜，FePt合金中添加Cu可以有效降低退火温度，（FePt）1-xCux（x=19．5％）在350℃退火后可以使面内矫顽力Hc〃，达到200kA／m，垂直矫顽力Hc⊥达到280kA／m左右，而纯FePt仅有几千A／m。X射线衍射结果表明退火后形成的FePtCu三元合金是降低退火温度的主要原因。剩磁曲线分析表明Cu的加入不能明显降低晶粒间交换耦合作用。（FePt）1-xCux在400℃退火可以得到10^-24m^3的磁激活体积。     

退火温度对磁控溅射Mo薄膜结构和性能的影响

采用磁控溅射技术在石英基体上制备了厚度为600 nm的Mo薄膜,并在不同温度下(400～ 900℃)对其进行退火处理.通过XRD、SEM、四探针测试仪对Mo薄膜的结构和性能进行了分析.结果表明,随着退火温度的升高,(110)晶面择优取向特性增强.Mo薄膜在退火温度为800℃时电阻率达到最小值3.56×10-5 Ω·cm,在900℃退火时薄膜出现宽度约为50 nm的微裂纹且薄膜电阻率较大.     

退火温度对Mo薄膜微观结构及形貌的影响

采用直流磁控溅射技术,制备了厚度为3.8μm的Mo薄膜,并对其在不同温度下进行了退火处理。采用白光干涉仪和SEM对Mo薄膜进行了表征,讨论了不同温度对薄膜表面形貌的影响;利用XRD对Mo薄膜的结构进行了分析。结果表明:随着退火温度由450℃升高到1 050℃,晶粒平均尺寸逐渐增大,微曲应力呈减小趋势;在温度高于900℃时,薄膜发生再结晶,同时表面有微裂缝及大量气孔出现;薄膜的表面粗糙度随退火温度的升高有逐步增大的趋势。     

退火温度对SiC薄膜表面形貌和结构的影响

采用射频磁控溅射法在单晶Si(100)表面制备了非晶态SiC薄膜,并于真空热处理炉中进行(800～1200)℃×1h退火处理。通过X射线衍射、扫描电镜以及摩擦磨损试验研究了退火温度对薄膜结构、表面形貌以及性能的影响。结果表明,退火温度在800℃以上薄膜结构开始发生明显的晶态转变,在1000℃时薄膜主要结构为3C-SiC,且薄膜表面晶粒细小、致密,摩擦系数约为0.2。在1200℃退火时,薄膜为混晶结构,且薄膜晶粒明显粗化。     

真空蒸镀多晶硅薄膜工艺对其组织和性能的影响

采用真空蒸镀并退火的方法制备多晶硅薄膜,采用透射电子显微镜对退火前后的样品进行了表征,通过原子力显微镜观察了薄膜的形貌,并测试了薄膜的耐压性能,分析了基板温度、基板距离和退火工艺对薄膜组织和性能的影响.实验结果表明:真空蒸镀所得薄膜为非晶硅薄膜,退火处理可使其多晶化,晶粒尺寸达0.5μm;基板温度120℃、基板距离60...     

退火处理对DLC薄膜结构及摩擦学性能的影响

目的研究退火处理对DLC薄膜结构及摩擦学性能的影响,并讨论它们之间的相互关系。方法采用平板空心阴极等离子体增强化学气相沉积系统,以C2H2和Ar作为反应气源制备DLC薄膜,将DLC薄膜在大气环境中进行不同温度的退火处理。采用扫描电子显微镜、Raman光谱仪及金相显微镜、薄膜应力测试仪及球-盘摩擦实验仪等,对退火处理前后的DLC薄膜结构、应力及摩擦学性能等进行测试分析。结果在较低温度(?≤300℃)下退火,随退火温度的增加,薄膜中sp3-C的相对含量缓慢减少,结构没有发生明显的变化,内应力降低,薄膜的摩擦系数变化趋势相同,且随退火温度的增加,摩擦系数达到平稳的趋势发生得更早。在400℃退火温度下,DLC薄膜的结构发生了明显的改变,且表面发生了一定的氧化,初始摩擦系数较高,随摩擦时间的延长,薄膜的摩擦系数降低,同时稳定后的摩擦系数(～0.16)较低温退火的DLC薄膜高。在450℃退火温度下,DLC薄膜结构发生了明显的改变,并出现了严重的氧化,摩擦学性能严重恶化并迅速失效。结论退火温度的选择对DLC薄膜的结构及摩擦学性能具有重要影响。     

硫化时间对CuInS_2薄膜特性的影响（英文）EI北大核心CSCD

磁控溅射制备Cu-In合金薄膜,随后通过固态源硫化制备了CuInS2。采用XRD、SEM、紫外可见光分光光度计和霍尔效应测试仪分析了薄膜的特性。结果表明：硫化时间为10min至30 min时,不同的硫化时间硫化后薄膜的成分几乎保持不变,薄膜的结晶程度随时间的增加变好,电阻率随硫化时间的增加而提高,薄膜的光学带隙位于1.42-1.55eV之间。     

沉积温度和退火处理对BCN薄膜结构的影响

采用脉冲激光沉积技术,在Si(100)基片上制备了BCN薄膜,研究了沉积温度和退火处理对BCN薄膜组分和结构的影响。利用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)对制备的BCN薄膜进行了表征。结果表明:沉积温度升高时,BCN薄膜的组分无明显改变。所制备的BCN薄膜包含B—N,C—B和C—N化学键,是由杂化的B—C—N键构成的化合物。真空退火温度为700℃时,BCN薄膜结构稳定;大气退火温度达到600℃时,BCN薄膜表面发生氧化分解,同时有C≡N键形成,表明C≡N键具有较好的高温热稳定性。     

退火温度对钴铁氧体薄膜结构和性能的影响

采用溶胶-凝胶法结合匀胶旋涂工艺在复合基片(Pt/Ti/SiO2/Si)上制备了钴铁氧体(CoFe2O4)薄膜,利用XRD、SEM、VSM分析了薄膜的微结构以及磁性能,研究了不同退火温度对钴铁氧体薄膜的结构和磁性能的影响.结果表明,钴铁氧体在500℃时开始形成尖晶石相.随着退火温度的增高,钴铁氧体晶粒逐渐长大,饱和磁化...     

不同退火温度热机械处理对Fe-Mn-Si-Cr-Ni合金记忆效应的影响

采用OM、TEM和XRD方法研究了不同退火温度的热机械处理对Fe-14Mn-5Si-8Cr-4Ni合金中α'马氏体逆转变及合金形状记忆效应的影响.结果表明:当在773～1173 K之间退火时,Fe-14Mn-5Si-8Cr-4Ni合金的形状同复率随退火温度的升高先增加后降低,在923 K达到最大值88%;当退火温度低于923 K时,变形引入的α'马氏体仍大量残留在奥氏体基体中;当退火温度高于1073 K时,α'马氏体消失;热机械处理引入的α'马氏体能有效阻止再次变形过程中不同方向和不同区域应力诱发ε马氏体的交叉碰撞,使应力诱发马氏体以区域化的方式形成,进而显著提高合金的形状记忆效应.     

退火对TbCo薄膜结构和磁性能的影响

研究了真空退火对TbCo薄膜结构和磁性能的影响。结果表明：薄膜从溅射态的非晶薄膜转化为退火态的微晶薄膜，并以(100)面择优取向，其c轴平行于基片。在真空退火不改变TbCo薄膜的成分的条件下，发现TbCo薄膜从溅射态的垂直磁化膜转化为退火态的面内膜。     

退火温度对锗薄膜光学性能和表面结构的影响

研究了退火温度对电子束蒸发制备的锗薄膜光学性能和表面结构的影响规律.在硅基底上制备了厚度约850 nm的Ge薄膜,分别在350、400、450和500℃下进行退火.通过红外光谱仪测试了薄膜的透射率变化,采用光谱反演法得到了薄膜折射率和消光系数的变化规律,使用X射线衍射和原子力显微镜测试了样品的结晶特性和表面形貌.结果 ...     

钛酸铋薄膜的磁控溅射及其退火处理

采用射频磁控溅射技术,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了钛酸铋(Bi4Ti3O12,简称BIT)薄膜。研究了衬底温度及后续退火处理对薄膜结构和表面形貌的影响。结果表明:适宜的衬底温度为200℃。随着退火温度(650~800℃)的升高,BIT薄膜的结晶性变好,晶粒尺寸增大,c轴取向增强。当退火温度达到850℃时,开始出现焦绿石相;700~800℃为适宜的退火温度,在此条件下得到的BIT薄膜结晶良好,尺寸均匀,表面平整致密。