塑封器件失效机理及其快速评估技术研究

针对影响塑封器件可靠性的五种失效机理,即腐蚀失效、爆米花效应、低温/温冲失效、闩锁以及工艺缺陷等方面进行分析和讨论,并提出利用高温潮热和温度冲击试验对塑封器件的可靠性进行评估.还介绍了美国航天局Goddard空间飞行中心提出的对塑封器件进行高可靠性筛选的方案.     

短沟道SOI／SDB CMOS器件性能研究

利用硅栅自对准分离子注入工艺制备了ＳＯＩ／ＳＤＢ ＣＭＯＳ器件，讨论了该器件的短沟道效应、“Ｋｉｎｋ”效应以及ＳＯＩ硅膜厚度对ＮＭＯＳ、ＰＭＯＳ管参数的影响。     

大管脚数的表面安装塑封器件新的失效机理的研究

本文简述了塑封器件的特点及其发展，和随之而出现的新的失效机理，塑封分层剥离，开裂（俗称“爆米花”效应）。并通过对一个ＱＦＰ８０脚表面安装（ＳＭＤ）塑封器件微处理单元电路的失效分析，使用先进的手段证实了大管脚表面安装塑封器件管壳的分层剥离产生的应力可使键合接头开裂，导致器件电失效，及塑封分层剥离，开裂产生的原因，提出了避免此类现象发生的合理建议。     

厚膜DC/DC电源VDMOS器件失效机理及研究现状

整机小型化的发展对厚膜微组装DC/DC电源提出了更高的可靠性要求,VDMOS器件作为DC/DC电源的开关器件,其性能退化失效将直接影响电源效率、温升指标和技术性能。介绍了厚膜微组装DC/DC电源VDMOS器件芯片级、封装级两个层面的失效机理,以及针对这些失效机理的寿命评估方法和研究现状,并根据VDMOS器件在DC/DC电源中的应用,提出两种温度应力下的寿命评估方法。     

薄膜SOI器件研究与展望

本文详细地分析了薄膜SOI器件一系列有益的特性,如:较大的亚阈值陡度,扭曲(kink)效应的消除以及短沟道效应的削弱等。最后指出,薄膜SOI器件技术是今后设计制造新型亚微米器件及电路的一种有效的方法。     

塑封微电子器件失效机理研究进展

塑封器件在现在的封装产业中具有无可比拟的优势,相关研究引起了人们广泛关注.简要介绍了塑封微电子器件的发展史,以及国内外塑封器件可靠性的研究现状.对塑封器件的主要失效机理研究进展进行深入探讨,如腐蚀、分层、开裂等,提出了几种提高塑封器件可靠性的措施.论述了用于塑封器件质量评估的试验方法,并展望了塑封器件在军工领域的潜在应用前景.     

微电子器件可靠性研究与展望

本文扼要介绍了近５年来我国在微电子器件（半导体分立器件及集成电路）可靠性研究方面所取得的进展与成果及存在的问题。预计今后５￣１０年内，我国微电子器件可靠性研究工作将在５个方面展开，器件可靠性水平将提高１￣２个数量级。     

军用塑封器件失效机理研究和试验流程

由于其结构和材料等因素,侵蚀、"爆米花"效应和易受温度形变是塑封器件常见的失效机理,在其装入整机之前必须经过严格的可靠性评价或筛选以降低风险。推荐了一套优化的塑封器件试验流程,试验评价流程组合包括无损的外目检、X射线检查、声学扫描显微镜检查,以及具有破坏性的DPA、寿命试验和耐潮性项目。该试验评价程序针对主要的失效机理,充分考虑了塑封器件的批质量一致性、高温下的器件寿命和耐潮性,可以作为军用塑封器件的主要评价手段。     

微波器件的可靠性及失效分析

微波器件的可靠性直接影响整机系统的可靠性,失效分析工作可以显著提高微波器件的质量与可靠性,从而提高整机系统的质量与可靠性。同时,失效分析工作会带来很高的经济效益,对元器件的生产方和使用方都具有重要意义。微波器件失效的主要原因有两个方面:固有缺陷和使用不当,固有缺陷由生产方引起,使用不当主要由用户引起。微波器件可以分为微波分立器件、微波单片电路以及微波组件三大类,文章分别对三类微波器件的主要失效模式和失效机理做了较为全面的分析和概括。     

SOI／SDB薄膜全耗尽隐埋n—MOSFET导电机理研究

本文详细研究了SOI/SDB薄膜全耗尽隐埋n沟 MOSFET的器件结构及导电机理,建立了明确的物理解析模型,给出了各种状态下器件工作电流的解析表达式。最后,将解析模型的计算结果与实验数据进行了比较和讨论。     

关于SOI/SDB薄膜全耗尽隐埋N沟MOSFET的新型解析模型

对SOI/SDB薄膜全耗尽隐埋N沟MOSFET(FDBC NMOSFET)的器件结构及导电机理进行了深入研究,建立了明确的物理解析模型,推导出各种状态下器件工作电流的解析表达式。并将解析模型的计算结果与实验数据进行了比较和讨论。     

SOI／SDB COMS环形振荡器的研究

本文主要研究了硅片直接键合技术制备ＳＯＩ材料，并在此材料上采用全离子注入硅栅工艺制造了１μｍ沟道ＣＭＯＳ环形振荡器。由于ＳＯＩ。ＳＤＢ中的硅膜保持着本体硅的性质，故所得陪管的特性比较好，（迁移率：ＮＭＯＳ为６８０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，ＰＭＯＳ为３７０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，跨导：ＮＭＯＳ为３８ｍＳ，ＰＭＯＳ为２５ｍＳ）。但发现ＭＯＳ管具有“Ｋｉｎｋ”效应，随着硅膜厚度的减小，“Ｋｉｎｋ”效应有所抑制。实验所得ＣＭＯＳ１９级环形振荡器的单级延时为０．７９ｎｓ，由此可见，ＳＯＩ／ＳＤＢ材料在ＶＬＳＩ中将有很大的发展前景     

SOI／SDB硅片化学腐蚀自停止减薄方法

本文提出了一种ＳＯＩ／ＳＤＢ硅片化学腐蚀自停止减薄方法，并进行了实验研究，成功地得到了厚度小于１μｍ的硅膜。讨论了存在的问题及今后努力方向。     

CMOS／SOSCC4066器件的可靠性研究

本文介绍了CMOS/SOS CC4066器件长期可靠性试验结果。对失效器件的分析表明,硅-蓝宝石技术没有新的失效机理。该器件的可靠性不低于国内体硅MOS IC能达到的水平,并接近“七专”器件的水平。     

SOI器件及应用

文章介绍了各种SOI器件的结构及特点,指出了各种器件的优越性能。同时文中还介绍了在SOI结构上制作电路的工艺及需要开发的技术。在此基础上概括介绍了SOI器件的各种应用。     

微电子器件可靠性研究与展望

本文扼要介绍了近５年来我国在微电子器件（半导体分立器件及集成电路）可靠性研究方面所取得的进展与成果及存在的问题。预计今后５～１０年内，我国微电子器件可靠性研究工作将在５个方面展开，器件可靠性水平将提高１～２个数量级。     

SDB/SOI硅材料顶层硅膜均匀性控制研究

介绍了SDB/SOI(Silicon Direct Bonging/Silicon On Insulator)硅材料顶层硅膜均匀性的控制方法.顶层硅膜均匀性控制不好,会直接影响到IC或者其他元器件参数的一致性,造成器件成品率低,材料浪费大.因此,在制备SOI材料时,必须严格控制材料顶层硅厚度的均匀性和重复性.     

SOIMOS器件的低温特性

本文概述性地探讨了低温ＳＯＩＭＯＳ器件的基本特性，如电流－电压特性、迁移率、阈值电压及亚阈值特性等，并介绍了该器件中所存在的一些效应。