国内半导体器件的可靠性筛选技术

回顾了８０年代以来国内外器件厂广泛应用的在高可靠器件发展过程中发已发挥重要作用的可靠性筛选技术。     

半导体器件无损筛选研究

半导体器件的无损筛选不同于普通统计筛选，它通过少量器件辐照试验，实现对未辐照器件按辐照性能进行筛选分类的目的，此技术可以筛选出辐射性能提高几倍的器件。     

半导体器件工艺中干法刻蚀技术的进展

本文首先对干法刻蚀技术发展的二十余年作了回顾。列举一些对本技术发展带有突破性意义的里程碑,并叙述干法刻蚀技术在微电子学和光电子学等重要应用领域的作用。在发展动向方面介绍了电子迴旋共振和线圈耦合等离子体等刻蚀技术的新进展,以及主干道式和集团式的多工艺真空联机系统设备设计的新结构。突出说明干法刻蚀技术今后的发展是多样化的,而且仍然方兴未艾。     

加强工艺工作提高产品质量

本文主要论述了如何加强工艺工作,提高产品质量.     

半导体器件筛选条件的合理制定

半导体器件在研制、生产过程中由于质量控制不严,使生产的某些产品存在固有的缺陷,这些存在固有缺陷的产品(早期失效器件)寿命比较短,由于它们的存在使批产品的失效率增高,为了使批产品的失效率能符合规定的鉴定要求,就必须对产品进行百分之百的可靠性筛选,剔除掉可靠性差的产品。     

采用SPC技术控制半导体器件的工艺质量

统计过程控制(SPC)技术已广泛用于半导体器件生产,采用SPC技术可以提高半导体器件的质量和可靠性。利用控制图可以监控生产过程状态,对生产中出现的异常及时进行分析、改进,使半导体器件工艺的生产过程处于受控状态。介绍了SPC技术的基本概念和技术控制流程、常规控制图及其分类以及引用的国家标准。给出了目前的工序能力指数(Cp)的控制水平、工序能力指数和工艺成品率及不合格品率的对应关系,以及几种在常规控制图基础上扩展的适合半导体器件工艺的其他控制图技术,分析了国内某半导体器件生产线SPC技术的利用情况及存在的问题。     

半导体器件与工艺综合

利用器件与工艺综合的思想,开发出自顶向下的新的器件和工艺设计方法,实现了该设计方法的MOSPAD软件,并利用MOSPAD系统做出了一定的综合结果. 做出了关于器件与工艺综合的两个实例,即对FIB器件的器件综合和对阱形成工艺模块进行的工艺综合,并证明了自顶向下的器件与工艺综合思想的可行性.     

半导体器件与工艺综合

利用器件与工艺综合的思想,开发出自顶向下的新的器件和工艺设计方法,实现了该设计方法的MOSPAD软件,并利用MOSPAD系统做出了一定的综合结果. 做出了关于器件与工艺综合的两个实例,即对FIB器件的器件综合和对阱形成工艺模块进行的工艺综合,并证明了自顶向下的器件与工艺综合思想的可行性.     

半导体器件工艺用的气体

硅集成电路制作用的气体 表1给出的气体,是硅IC芯片制作工艺用的主要气体。这些气体有的富有反应性,有的毒性强烈。因此,应充分掌握这些气体的性质,一旦使用不当,就将发生意想不到的事故.从半导体工厂以前发生事故的事例中得知,由气体引起的事故,虽然比酸、溶剂剂发生的次数要少,但却存在着寄生大事故的危险性。 气体的性质     

半导体器件老炼筛选试验设计

老炼筛选试验是有效剔除内含固有工艺缺陷的半导体器件,以及保证半导体器件使用可靠性的重要途径。本文阐述了半导体器件早期失效的基本概念,并给出了半导体器件早期失效率的预计方法。在此基础上提出了半导体器件老炼筛选试验设计方法,以期最大限度地保证半导体器件出厂后的使用可靠性。     

提高半导体器件可靠性的措施

一般说来,要提高半导体器件的可靠性,须从以下几方面着手:合理的设计方案、先进的工艺方法,严格的质量管理,适当的工艺筛选,及时的失效分析和校正措施都是很重要的环节。 本文重点介绍了器件可靠性设计中的几个重点考虑项目:如结构设计中的几何结构、金     

采用先进工艺 提高电镀锡产品质量

在电线电缆行业中,橡皮绝缘矿用电缆,机车车辆用电缆,船用电缆和飞机腊克线以及电线电缆的屏蔽编织层等普遍使用镀锡铜线,铜线镀锡后可以有效防止铜线氧化变黑以及与橡皮接触引起的橡皮发粘问题,提高电缆的使用寿命和导电线芯的可焊性。     

国外军用半导体器件的筛选,检测实例

介绍国外军用半导体器件按照双方所订合同进行筛选试验，采用固定样本的抽样方案，Ｂ组和Ｃ组的检验项目合并，严格按照ＭＩＬ－ＳＴＤ－７５０方法进行试验。     

提高半导体器件成品率的有效对策

从技术、管理等方面入手，讨论了影响器件成品率的诸因素及提高成品率的对策。介绍了一种有效、相容 的吸杂工艺；从工艺优化设计角度讨论了提高成品率的各种途径。     

加快技术进步促进产品质量提高

众所周知,在社会主义市场经济条件下,产品质量和品种是市场竞争的主要内容之一。没有质量的市场是短命的市场,没有新产品的企业,只能有暂时好景,决不会有光明的远景。要稳定已占领的市场,并能以此为突破点,不断开辟新的市场,使     

半导体器件实用保护技术

在现实环境中，电子产品容易受到雷电损伤、静电放电损伤、电源快速瞬变损伤、感应负载开关损伤和交流电源涨落损伤等。采用何种方法保护电子产品免受上述损伤，是实用保护技术的研究课题。传统的保护方法是用气体放电管、金属氧化物变阻器和保险熔断器进行保护。除此之外...     

氮化镓功率半导体器件技术

作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,在民用和军事领域具有广阔的应用前景。随着GaN技术的进步,特别是大直径硅(Si)基GaN外延技术的逐步成熟并商用化,GaN功率半导体技术有望成为高性能低成本功率技术解决方案,从而受到国际著名半导体厂商和研究单位的关注。总结了GaN功率半导体器件的最新研究,并对GaN功率器件发展所涉及的器件击穿机理与耐压优化、器件物理与模型、电流崩塌效应、工艺技术以及材料发展等问题进行了分析与概述。