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SiO2钝化膜对硅/玻璃静电键合的影响 总被引:3,自引:1,他引:2
本文分析了硅/玻璃静电键合过程中硅表面SiO2钝化膜的作用。SiO2膜的存在使键合过程中的静电力减弱,键合工艺所选择的电压上限受SiO2膜击宽电压的控制,对于商用抛光硅片与玻璃,要完成良好的键合,一般SiO2厚度要小于0.5μm。 相似文献
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硅玻静电键合工艺是通过在较高温度和静电场作用下硅玻界面发生电化学反应,产生共价键O-Si-O的原理来完成键合过程的。目前,该工艺在制作微传感器和微机械系统中得到广泛应用。通过键合试验与结果分析,总结了键合温度、键合电压、压力、金属台阶对键合结果的影响,优化了硅玻静电键合的工艺参数及对金属台阶的要求。 相似文献
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文章提出了用硅-硅直接键合(SDB)工艺替代静电感应晶闸管(SITH)中的二次外延,有效地提高了栅阴极击穿电压,增强了通过栅极正向阻断阳极电压的能力。对键合过程中硅-硅界面进行了研究,提出了提高界面质量的工艺措施;同时,给出了控制栅阴极击穿电压一致性的方法。对采用此方法制成的SITH的I-V特性进行了测量,并给出了实际测试结果。 相似文献
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硅/硅直接键合制造双极型静电感应晶体管 总被引:1,自引:0,他引:1
用硅/硅直接键合片(SDB)代替了高阻外延片成功地制造了新型电力器件双极型静电感应晶体管(BSIT),正向阻断电压800V以上,漏极输出电流2A,展示了SDB片广阔的应用前景。 相似文献
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室温Si-玻璃直接键合技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
将表面亲水性处理过的玻璃和Si片在室温、大气的环境下干燥,进行温度为150C以下、时间为20~200h的预键合。预键合后,Si和玻璃基片表面能有显著的提高,水分子和Si表面Si-OH原子团中的O原子连在一起,OH团数量增加了许多,形成较多的H键。预键合的Si-玻璃基片在200C下退火.消除由Si、玻璃热膨胀系数和热传导系数差异引起的诱导应力。2基片的Si-OH间发生聚合反应.产生水及si-O键,使得基片键合的表面能得到了更好的提高、测量了室温键合时间对Si玻璃表面能力的影响以及退火时间对键合强度的影响。实验结果证明.这项技术对Si-玻璃器件的键合十分有效。 相似文献
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用低温圆片键合实现传感器和微电子机械系统器件的集成和封装 总被引:1,自引:0,他引:1
PaulLindner HerwigKirchberger MarkusWimplinger Dr.ShariFarrens JoshuaPalensky 《电子工业专用设备》2004,33(3):42-45
集成化是传感器和微电子机械系统(MEMS)的发展方向,即将传感功能、逻辑电路和驱动功能集成在一块单芯片上。未来的系统芯片将能通过集成的传感器和逻辑电路收集并分析外界数据,将这些数据传输到中央处理器并产生必要的动作或反应。讨论了这种系统集成芯片对于封装和集成的要求,并提出一种能够满足这种要求的低温键合技术。同时这种低温键合技术还具有气密性封装、保留透明窗口等优点。 相似文献
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设计了一种基于阳极键合的环形谐振器的制作方法,用以简化环形静电陀螺谐振器的制作工艺。采用(100)及(111)顶层硅的SOI,分别通过阳极键合工艺制作了硅基环形陀螺谐振器。分析了不同晶向下频率裂解的产生及对陀螺谐振的影响,同时通过仿真分析了晶向对双波腹与三波腹振型的影响程度。利用网络分析仪在真空腔内对器件进行扫频测试实验,得到了两种器件的幅频响应特性,讨论了双波腹与三波腹工作模态与晶向的关系。双波腹相对于三波腹更易受加工条件的影响,而相对的振动幅值更大。同时设计静电调谐的方法,解决了(111)晶向硅基双波腹存在的频率裂解较大的问题。 相似文献
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简要介绍了晶圆键合技术在发光二极管(LED)应用中的研究背景,分别论述了常用的黏合剂键合技术、金属键合技术和直接键合技术在高亮度垂直LED制备中的研究现状,包括它们的材料组成和作用、工艺步骤和参数以及优缺点.其中,黏合剂键合是一种低温键合技术,且易于应用、成本低、引入应力小,但可靠性较差;金属键合技术能提供高热导、高电导的稳定键合界面,与后续工艺兼容性好,但键合温度高,引入应力大,易造成晶圆损伤;表面活化直接键合技术能实现室温键合,降低由于不同材料间热失配带来的负面影响,但键合良率有待提高. 相似文献
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键合压力对粗铝丝引线键合强度的实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在超声引线键合过程中,键合压力是影响键合强度的重要因素之一。通过实验,研究了键合强度与键合压力间的关系。通过高频采集装置对键合压力进行了标定并分析了其对键合强度以及电流电压产生的影响。实验发现,只有在键合压力适中的情况下,键合强度才能达到最大。 相似文献
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