铂-铱硅化物肖特基势垒红外探测器

已经制备了用硅化物做电极的肖特基势垒红外探测器,该电极是在p型硅衬底上,依次真空淀积5～10A的铂和10～20A的铱金属膜,经热退火后形成的。铂-铱肖特基二极管的势垒高度为0.16～0.19eV,与具有0.22eV的纯铂二极管相近,而探测器截止波长可延伸到6μm范围以外。而且,与单用铂或单用铱的二极管相比,在有效光谱范围内,铂-铱二极管呈现出较高的探测器量子效率。     

用于肖特基势垒红外传感器的Ir及IrSi膜

本文叙述了在 P-Si 基片上,采用物理沉积方法制备高纯 Ir(铱)膜。讨论了在300～1000℃退火温度下,Si-Ir 界面反应形成 IrSi 硅化物的研制技术和工艺参数。分析了界面反应机理、IrSi 膜的光电学特性。最后介绍了 IrSi 在肖特基势垒红外(SBIR)固体传感器研制技术中的应用。     

扩展长波红外探测的铱硅化物硅肖特基势垒的研究

通过制备铱硅化物—硅肖特基势垒,分析了衍射相,讨论了铱硅化物成膜工艺及其与薄膜方块电阻的关系,测量并分析了势垒高度,红外光吸收率。研究结果表明,铱硅化物—硅是一种有希望扩展肖特基势垒红外探测范围的新型势垒结构。     

硅化铱肖特基势垒红外焦平面阵列技术

本文讨论了硅化铱肖特基势垒红外探测器(IrSi-SBIRD)的典型结构和其制作技术;评述了硅化铱肖特基势垒红外焦平面阵列(IrSi-SBIRFPA)的现状。     

硅基肖特基势垒红外光学探测器

美国专利US7358585 (2008年4月15日授权)本发明提供一种硅基肖特基势垒红外光学探测器,更具体地说,是一种暗电流足够低、能够在室温下有效工作的平面型波导基红外光学探测器,这种探测器是这样制作的:在一个"绝缘体上硅"(SOI)结构的平面硅波导层(也称SOI层)上配置一层硅化物(或其它合适的金属层);在该SOI结构的平面SOI层和硅化物上配置欧姆接点.这样。在平面SOI层内沿光学波导横向传播的光学信号就将从硅化物下面通过,而光学能量的。尾     

PtSi-Si(P)肖特基势垒探测器的红外响应机理探讨

外加偏压的PtSi肖特基势垒二极管(SBD)对入射的IR光有响应,该响应是由于IR光在PtSi膜中产生热空穴,其中一部分越过PtSi-Si界面的SB进入Si中而产生的结果。设PtSi中产生的空穴在PtSi中为多次反射,并预想有一多次反射模型,由此研究热空穴从SB进入Si的传输机理。再由该模型计算产生的热空穴数。最后论述IR探测灵敏度与PtSi膜厚度、表面膜材料选取的关系及3～5μmIR区的响应特性和实验结果。     

硅肖特基势垒单片红外电视焦平面

前言红外辐射的特征对红外电视摄象机设计有相当的限制,从红外景象来的信号反差低,而且均匀的背景分量大,但从可见景象来的信号反差高得多,而且背景可以忽略。红外摄象机必须有大的动态范围,以便累积背景信号而不饱和,同时还要有足够的灵敏度来分辨低反差的细节。此外,还需有一些消除背景信号分量的措施,以取得可以接受的显示反差。理论上说,消除背景应在帧的积分过程中进行,以便使作用在传感器及其有关读出机构上的动态     

PtSi-Si肖特基势垒红外探测器中Pt的溅射

采用物理溅射法制备了用于红外(IR)器件中具有良好性能的高纯Pt膜。本文将讨论在Si片上溅射Pt的制作工艺及其PtSi的形成机理。最后给出实验结果和曲线。还要讲述一下金属-半导体(M-S)系统中PtSi-Si接触的结性能,并提出仍存在的一些问题。     

肖特基势垒红外焦平面阵列

介绍肖特基势垒IRCCD的结构和工作原理,制作工艺,目前国内外发展的状况和提高器件性能的各种措施.     

硅化铱肖特基势垒列阵—实现长波红外成像的新途径

硅化铱肖特基势垒列阵,是一种新近发展起来的用于长波红外(8～14μm)成像的焦平面技术。本文叙述了硅化铱肖特基势垒列阵的工作原理、结构及关键工艺,并介绍了该器件的发展状况。     

PtSi／p－Si肖特基势垒红外探测器的研制

介绍了ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ肖特基势垒红外探测器（简称ＩＲ－ＳＢＤ）的优化结构及探测机理，给出了探测器的光增益模型，并对器件进行了制作及性能测试。器件在７７Ｋ下，反偏４Ｖ时的反向漏电流为５×１０（－６）μＡ，对１．５２μｍ红外光的灵敏度为２．６９×１０（－２）Ａ／Ｗ，量子效率为２．４％。     

PtSi／p－Si肖特基势垒红外探测器的研制

介绍了ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ肖特基势垒红外探测器（简称ＩＲ－ＳＢＤ）的优化结构及探测机理，给出了探测器的光增益模型，并对器件进行了制作及性能测试。器件在７７Ｋ下，反偏４Ｖ时的反向漏电流为５×１０（－６）μＡ，对１．５２μｍ红外光的灵敏度为２．６９×１０（－２）Ａ／Ｗ，量子效率为２．４％。     

8毫米硅肖特基势垒二极管

一、引言 肖特基势垒二极管自六十年代初问世以来,随着半导体材料和器件工艺的发展,性能有很大提高,在微波混频和检波器中得到广泛应用。混频二极管目前正向低噪声、宽频带和毫米波方向发展。由于电子迁移率比空穴迁移率大得多,所以总是用n型半导体材料来制作混频或检波二极管。n型GaAs材料的电子迁移率比硅高得多,所以它适宜于制作毫米波器件,可以获得较高的截止频率和较低的噪声系数。但是,砷化镓材料和器件工艺以及可靠性方面均不如硅器件成熟。所以,目前仍有不少毫米波肖特基势垒混频二极管产品是用硅材料制作的。与砷化镓相比,金属—硅势垒的势垒高度较低,通常不需要加偏压或加大本振功率。所以,采用硅材料对于使用来讲也是有利的。     

铂化硅肖特基势垒红外CCD

本文介绍并论述了PtSi—Si肖特基势垒IRCCD器件的工作原理,给出了研制结果,并展望了器件的发展前景。     

硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管的红外响应

硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管是短波红外CCD和焦平面的光敏元,利用成熟的硅大规模集成电路工艺可以把它和信息处理电路做在同一芯片上,因此,易于做成高密度多象元的器件。近几年来,这种器件发展很快,性能有很大的提高。目前,人们正在发展长波硅肖特基势垒红外CCD,因此,对硅肖特基势垒二极管的光谱响应十分关注。本文对硅化