含铋层化合物BaTiO3和系独石电容瓷料

分别以Ｂｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｓｎ，Ｗ，Ｎｂ，Ｐｂ等元素的氧化物合成多种不同铋层化合物，用以降低ＢａＴｉＯ３系瓷料烧成温度。通过调整ＢａＴｉＯ３的合成温度、改变铋层化合物的组成和选择合理的工艺条件等试验，探讨含铋层化合物ＢａＴｉＯ３瓷料组成对其性能的影响。以ＢａＯ／ＴｉＯ２为０．９９的ＢａＴｉＯ３烧块、钛铋层化合物及稀土元素氧化物配制成的瓷料，其性能符合美国ＥＩＡ标准Ｘ７Ｒ指标，制成的独石电容器性能优良     

MgO－TiO_2－ZnO系高压MLC瓷料的研究

研究了ＭｇＯ－ＴｉＯ２－ＺｎＯ（ＭＴＺ）系高压ＭＬＣ介质陶瓷的结构和介电性能。ＸＲＤ分析表明：其主晶相是六方晶系ＭｇＴｉＯ３以及少量的ＺｎＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３附加晶相。此种瓷料制成多层陶瓷电容器，具有耐高压、高工作频率等优点。     

MgO－TiO_2－ZnO系高压MLC瓷料的研究

研究了ＭｇＯ－ＴｉＯ２－ＺｎＯ（ＭＴＺ）系高压ＭＬＣ介质陶瓷的结构和介电性能。ＸＲＤ分析表明：其主晶相是六方晶系ＭｇＴｉＯ３以及少量的ＺｎＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３附加晶相。此种瓷料制成多层陶瓷电容器，具有耐高压、高工作频率等优点。     

BaTiO_3晶相对X7R介质瓷电性能的影响

着重讨论ＢａＴｉＯ３细粉体的晶相对Ｘ７Ｒ介质瓷的电气性能的影响。通过Ｘ射线衍射谱分析该细粉体的晶相结构，结果表明：立方相的ＢａＴｉＯ３介电常数很低；四方相的ＢａＴｉＯ３介电常数高，介质的电性能也好。所以我们用四方相ＢａＴｉＯ３的含量来衡量Ｘ７Ｒ介质瓷的质量。ＢａＴｉＯ３四方相含量越高，Ｘ７Ｒ介质瓷电性能越好。     

中温烧结BaTiO3基瓷的非均匀结构对εr－T特性的影响

含低熔物Ｂｉ２Ｏ３·ｎＴｉＯ２及ＰｂＯ－Ｂ２Ｏ３的ＢａＴｉＯ３基中温烧结瓷料，通过改性物Ｌａ、Ｎｂ等在固－液相烧结过程中溶－析和缺位补偿固溶，主晶相ＢａＴｉＯ３晶粒形成核－壳结构，并存在玻璃相。这种非均匀结构对铁电相的制约作用，引起瓷料的εｒ－Ｔ特性的改变     

中温烧结BaTiO3基瓷的非均匀结构对εr—T特性的影响

含低熔物Ｂｉ２Ｏ３．ｎＴｉＯ２及ＰｂＯ－Ｂ２Ｏ３的ＢａＴｉＯ３基中温烧结瓷料，通过改性物Ｌａ、Ｎｂ等在固－液相烧结过程中溶＝析和缺位补偿固液溶，主晶相ＢａＴｉＯ３晶粒形成核－壳结构，并存在玻璃相，这种非均匀结构对铁电相的制约作用引起瓷料的εｒ－Ｔ特性的改变。     

钛酸钡（BaTiO3）膨胀系数及空隙对其介电常数的影响

本文研究钛酸钡（ＢａＴｉＯ３）膨胀系数随温度变化的行为。结果表明在钛酸钡的三个相变温度点（１２０℃，８℃，－８０℃）处，热膨胀系数反常变化，我们认为相变温度为－８０℃处的热膨胀反常是因钛酸钡ＢａＴｉＯ３中对称元“Ｔｉ－Ｂａ－Ｔｉ”的静态畸变造成，同时本文讨论了ＢａＴｉＯ３中空隙对其人电常数的影响。     

含La或Sm的BaNd_(2-y)R_yTi_(4+x)O_(12+2x)瓷的结构与性能

ＢａＯ－Ｎｄ２Ｏ３－ＴｉＯ２系富钛区含Ｌａ或Ｓｍ的陶瓷,ＸＲＤ、ＳＥＭ显微结构分析表明,其主晶相为Ｒ（Ｒ＝Ｌａ或Ｓｍ）取代Ｎｄ固溶体ＢａＮｄ２－ｙＲｙＴｉ５Ｏ１４和ＢａＮｄ２－ｙＲｙＴｉ４Ｏ１２,均属斜方晶系,并存在少量的次晶相Ｒ２Ｔｉ２Ｏ７、ＢａＴｉ４Ｏ９、Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０等。富钛区ＢａＮｄ２Ｔｉ４＋ｘＯ１２＋２ｘ（ｘ＝０～１．４００）组分和含Ｌａ或Ｓｍ的ＢａＮｄ２－ｙＲｙＴｉ５Ｏ１４组分所组成的瓷料,介质损耗显著地降低,介电常数和电容温度系数遵从李赫涅德凯对数混合定律。     

Sr－Pb－Bi系中高压介质瓷结构与性能研究

采用Ｘ射线、ＳＥＭ等分析手段，通过实验研究了以（Ｓｒ，Ｐｂ，Ｃａ）ＴｉＯ３复合钙钛矿为基的中高压介质瓷中，Ｐｂ、Ｂｉ２Ｏ３·ｎＴｉＯ２含量（摩尔分数），ｎ值大小及ＭｎＣＯ３添加剂等因素对其微观结构及性能的影响规律。适当调节Ｐｂ含量，可获得一系列不同温度系数的高介低损耗瓷料；Ｂｉ２０３·ｎＴｉＯ２含量及ｎ值均存在优值；适量ＭｎＣＯ３作添加剂有利于介质损耗降低和介电常数温度系数的优化，室温介电常数会随其加入量的增加而降低。研制出εｒ＝２０００，ｔｇδ≤０．００５．试样｜△Ｃ／Ｃ｜≤１０％，综合性能好的中高压瓷料。     

络合沉淀法制备BaTiO_3超细粉末

在分析ＢａＴｉＯ_３前驱体形成机理的基础上，提出了以草酸作为络合剂，用络合沉淀法制备超细ＢａＴｉＯ_３新工艺。用化学分析法测定产物Ｂａ／Ｔｉ比，用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＢＩ－９０激光散射粒度仪对产物的晶型、粒度及形貌进行表征。结果表明：采用该法合成的前驱体，微观组分确定，粒径小，粒度分布窄，近似球形，煅烧后为高纯超细ＢａＴｉＯ_３粉末。     

TiO_2粉体性能对PTC热敏电阻性能的影响

ＴｉＯ_２的纯度、粒度及粒形对ＢａＴｉＯ_３系ＰＴＣＲ的性能影响很大，对所用ＴｉＯ_２加以选择非常重要，国产和日本产ＴｉＯ_２原料在粉体性能上存在差异。     

国产高纯TiO2粉体颗粒形貌扫描电镜分析

ＴｉＯ2 固体粉体是制作ＰＴＣ热敏电阻 ,ＢａＴｉＯ3 半导体瓷的主体原料之一 ,其颗粒形貌 ,粒度对ＢａＴｉＯ3半导体瓷主晶相的形成起着决定性作用。同时直接影响到ＰＴＣ热敏电阻的电性能。 2 0世纪 90年代 ,国内用高品质 ,高纯的ＴｉＯ2 粉料主要来源于进口(日本 ) ,其高成本 ,价格昂贵等因素直接制约了企业的市场竞争力和经济效益。因此 ,开展一系列替代进口ＴｉＯ2 原料的国产ＴｉＯ2 颗粒形貌研究工作显得至关重要。本文利用扫描电镜对国产ＴｉＯ2 颗粒形貌进行观察分析 ,并与日本高品质ＴｉＯ2 原料作对比分析 ,为实现ＴｉＯ2 国产…     

液相添加剂对PTCR陶瓷电性能的影响

液相添加剂ＡＳＴ（Ａｌ２Ｏ３＋ＳｉＯ２＋ＴｉＯ２）对ＢａＴｉＯ３陶瓷材料电性能的影响很大，随着Ａｌ２Ｏ３含量的增加，材料的电性能降低；ＳｉＯ２、ＴｉＯ２的物理特性对材料电性能影响较大；过量ＴｉＯ２对材料ＰＴＣ效应有重要影响，适当过量ＴｉＯ２含量，可得到性能优良的ＰＴＣＲ陶瓷。     

高纯超细BaTiO_3基PTCR陶瓷

水热法合成的ＢａＴｉＯ３粉体具有超细、高纯等特点，从而能够使ＰＴＣＲ热敏电阻器的制备工艺相对简化，并有利于获得较好性能的ＰＴＣＲ电阻器。本文采用水热法合成的ＢａＴｉＯ３粉体制备ＰＴＣＲ陶瓷。研究了不同添加剂对材料性能及微观结构的影响。     

（1－y）（Sr_1－xPbx）TiO_3·y（Bi_2O_3·3TiO_2）

本文对（１－ｙ）（Ｓｒ＿１－ｘＰｂｘ）ＴｉＯ＿３·ｙ（Ｂｉ＿２Ｏ＿３·３ＴｉＯ＿２）陶瓷材料在直流偏压下的介电性能进行了测量，发现此系统瓷料的偏压性能较好，并分析了陶瓷组分时偏压性能的影响，解释了所发现的实验现象。     

氧化镉掺杂对钛酸钡基陶瓷材料改性

对ＢａＴｉＯ３－ＺｎＮｂ２Ｏ６－ＣｄＯ系陶瓷介质材料的介电性质进行了研究，并对ＢａＴｉＯ３，ＢａＴｉＯ３－ＺｎＮｂ２Ｏ６，ＢａＴｉＯ３－ＺｎＮｂ２Ｏ６－ＣｄＯ三种材料介电常数，温度稳定性，介电损耗，显微结构进行了比较，得出结论是ＢａＴｉＯ３－ＺｎＮｂ２Ｏ６－ＣｄＯ系陶瓷材料，介电常数高，损耗小，介电常数随温度变化小，是较理想的电容器陶瓷介质材料     

溶液反应法制取钛酸钡

介绍了溶液反应法制取钛酸钡（ＢａＴｉＯ３）的工艺，对主要的工艺条件进行了探讨，并用ＢａＴｉＯ３微粉制备了ＰＴＣ陶瓷和压电点火陶瓷，测试了有关电性能。结果表明，这种ＢａＴｉＯ３微粉具有纯度高、结构均匀、组成准确的特点。ＰＴＣ陶瓷和压电陶瓷都具有较好的性能。     

MgF2.SrF2掺杂PZN—BT陶瓷

适量掺入ＭｇＦ２．ＳｒＦ２有效地降低了０．８５ＰＺＮ（Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３）－０．１５ＢＴ（ＢａＴｉＯ３）材料的烧结温度并得到了介电常数－温度特性接近于Ｘ７Ｒ特性标准的瓷料，在很宽的温度范围内出现了双介电常数峰。这种现象可从材料的纳米结构出发，用超顺电态的概念来描述。     

一种合成SrTiO_3超细粉料的新技术

研究了一种合成ＳｒＴｉＯ３高纯超细粉料的新方法，该法是将钛化合物的水解产物与可溶性锶盐在强碱性溶液中反应，直接生成ＳｒＴｉＯ３高纯超细粉料。原料溶液Ｓｒ／Ｔｉ比、碱用量和反应温度对粉料中ＳｒＴｉＯ３相含量有影响，在反应体系中加入乙醇可以改善粉料的性能     

低温BaTiO_3PTCR材料的研究

本文介绍了ＢａＴｉＯ＿３半导瓷材料ＰＴＣ效应的产生机理，给出了配方、工艺要点及主要特性多数，提出了改进性能的途径。