银辐射损伤的扰动角关联研究

采用时间微分扰动角关联方法研究了由~(109)Ag(α;2n)反应产生的反冲核~(111)In在银中产生的辐射损伤及其退火现象和治愈效应。反冲核在银中产生单空位,实验观察到频率为76.2MHz的恒定的四极相互作用;经673K退火,恒定的四极相互作用消失,作用在探针核上的只是远处缺陷产生的电场梯度分布;经873K退火,辐射损伤全部消失。银中辐射损伤与治愈时间关系测量表明,经360h治愈,探针核仍直接捕获缺陷,但相对成分减小到1/3.5;电场梯度分布宽度随治愈时间增长而减小,150h后,不随治愈时间而变。治愈主要发生在辐照后2—10d。     

~111Cd的扰动角关联

本文应用微分扰动角关联方法测得~(111)Cd第一激发态的磁矩μ=-0.792(核磁子)。并以~(111)In作为核探针与牛血浆蛋白分子络合,通过~(111)Cd的γ-γ级联,测量随牛血浆蛋白液态样品pH值变化的积分扰动角关联衰减因子。实验发现当pH值从4变化到2时,值发生一次突变,说明牛血浆蛋白分子在pH值从4变化到2时,其构象经历着一次突变,证明此方法用来研究液态生物大分子的构象是灵敏的。     

高纯硅辐射损伤的正电子湮没和扰动角关联研究

采用正电子湮没和扰动角关联方法研究了１．４５×１０２０、３．１０×１０１７ｎ／ｃｍ２中子辐照和５×１０１１／ｃｍ２１７８Ｗ重离子辐照单晶硅引起的辐射损伤及其退火效应。实验测量的正电子湮没寿命和四极相互作用频率表明在Ｓｉ中存在氧一单空位对．高中子剂量和重离子辐照Ｓｉ后，用两种方法都观察到了双空位复合成四空位。     

贮氢合金正电子湮没和扰动角关联研究

本工作用正电子湮没和扰动角关联方法研究Pd0.75Ag0.25和LaNi4.25Al0.75两种贮氢合金。在77～295K温区和0～0.35氢浓度范围用正电子湮没寿命测量方法研究了Pd0.75Ag0.25Hx样品。实验测量的正电子湮没寿命谱用两个寿命成份表征。短寿命成份τ1是自由正电子湮没寿命,不随温度和氢     

66 贮氢合金正电子湮没和扰动角关联研究

本工作用正电子湮没和扰动角关联方法研究Pd0.75Ag0.25和LaNi4．25Al0.75两种贮氢合金。     

扰动角关联方法及其在固体辐射损伤研究中的应用

一、引言 辐射损伤研究是当前固体物理、材料科学中的一个重要课题。辐射能使固体晶格损伤,引起其电磁学、光学及力学参量的改变。但在某些金属表面,通过带电粒子辐射和离子注入,可以提高材料的抗腐蚀性能、抗氧化性能和提高耐磨性能。在一些半导体材料中,通过重离子注入或中子照射,可产生一种新的杂质元素,成为制备半导体器件的新工艺。所以,对辐射损伤及其变性的机制研究,愈来愈引起人们的兴趣。     

测量2γ湮没辐射的快-慢符合角关联装置

正电子湮没辐射角关联技术是正电子湮没谱学的基本手段之一。湮没辐射角关联曲线的测定能提供有关电子动量密度和费米面等方面的信息,并应用在金属、合金和固体材料等的研究中。本装置是测量2γ湮没辐射的一维快-慢符合角关联装置,它由一个扇形测量台和一个可移动的平台组成,总长约为4m。可动探头与样品装在测量台上,固定探头装在可移动的平台上,探头表面与样品之间的距离为1.5m,并可根据工作需要和辐射源强度的变化作适当的改变。转动手轮可驱动可动探头绕着样品的中心轴转动,转动的角度由测量台上的标尺读出。可动探头中心的角扫描范围为±30毫孤度。辐射源为10mCi的Na~(22),由专用架定位。辐射源和探头均用铅屏蔽。样品由样品架定位,其角度可作微小的调整。样品中产生的湮没辐射经过主、次两个准直器后由探头吸收测量。准直器的形状(圆孔或长缝)和大小(1—4mm)可以更换。典型的几何角分辨为0.66毫弧度。装置的对中由激光校准,水平由水准仪校准,移动平行度由加工精度保证。整个装置拆装和移动均比较方便。     

PdAg合金中氢特性的时间微分扰动角关联研究

采用时间微分扰动角关联(TDPAC)方法,在室温和氢浓度在0～0.35范围内系统研究了PdAgHx中的氢特性。Pd0.75Ag0.25合金样品采用氩气保护下的熔解压锭法制备,然后将锭辗压成厚度为1mm的薄片,为保证样品晶格完整性和消除辗压过程中在样品中产生的缺陷,在氩气保护下退火。在中国原子     

辐射损伤的正电子湮没和扰动角关联研究(英文)

用正电子湮没和扰动角关联二种方法研究了Si和Nb的辐射损伤。采用正电子湮没方法得到的结果与扰动角关联的完全一致。     

在Si中In的热退火现象的扰动角关联研究

文章采用时间微分扰动角关联方法细致地研究了核反应反冲注入到Si中的In的热退火现象。反冲注入后约70%的In处在高密度辐射损伤晶格无序区,随退火温度升高,晶格无序区逐渐缩小,经600℃退火后消失。但是实验发现,经798℃退火后,只有55%的In原子位于无扰动晶格替代位置,尚有45%的In原子仍处于扰动位置。文中对可能的扰动原因进行了讨论。     

角关联衰减因子与溶液样品的关联时间

六十年代末期,有人提出用扰动角关联方法可以测定溶液中大分子的转动效应,舍里(Shirley)等在70年测定了几种被标记的大分子溶液源的角关联衰减因子,并给出了这些大分子转动关联时间τ_c的粗略估计。用这种转动示踪方法可以得到大分子溶液构象和变性等方面的知识,它除了有辐射标记技术的固     

γ能谱稳谱获取的研究

利用γ能谱光电峰的能量恒定和峰形不变的物理特性，提出一种以光电峰为基准的主动寻峰稳谱方法，以甄别阈为调整对象，直接作用于测量能窗的能量定位，保证能窗相对能量的稳定。     

活性炭-γ谱法测量氡析出率的湿度效应研究

用活性炭法测氡析出时,由于介质中通常含有一定量的水,因而活性炭在吸附氡的过程中同时也吸附了一定量的水,其吸水的多少与介质的含水率有关.活性炭吸水会影响对氡的吸附,当吸水到一定程度时会对测量结果产生显著的影响.本文给出了活性炭法测氡析出率的湿度修正实验方法,并给出了混凝土、石膏板介质表面的析出率修正实验数据.     

pEgr-IFNγ基因-放射治疗对荷瘤小鼠抑瘤效应的研究

探讨pEgr-IFNγ基因-放射治疗小鼠体内抗肿瘤作用的适宜照射剂量和质粒注入量。观察不同剂量X射线照射及瘤内不同量pEgr-IFNγ重组质粒注入,基因-放射治疗在接种B16黑色素瘤小鼠体内抑瘤效应的差异,并用酶联免疫吸附法(ELISA)法检测各组小鼠外周血IFNγ含量。结果表明,质粒注入后接受20Gy X射线照射组照后3—27d,肿瘤生长速率明显低于2Gy和10Gy照射组(p<0.001),且小鼠平均生存时间明显延长(p<0.001)。质粒注入量为20μg或30μg的联合治疗组照后3—27d,肿瘤生长速率明显低于注入量为10μg的联合治疗组(p<0.05—0.001),且平均生存时间明显延长(p<0.01)。基因-放射联合治疗组受照射后第1天和第3天外周血IFNγ含量明显高于单纯基因治疗组均为(p<0.05)和对照组,分别为(p<0.01,p<0.05)。结果显示,pEgr-IFNγ基因-放射治疗小鼠体内抗肿瘤作用的适宜照射剂量为20Gy,质粒注入量为20μg;联合治疗组可能通过诱导瘤内IFNγ基因表达增强,使血液中的IFNγ浓度升高,进而增强机体免疫功能和抗肿瘤能力。