安森美半导体沟槽型低正向压降肖特基 整流器新系列提供更高的开关能效

应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出新系列的100伏(V)沟槽型低正向压降肖特基整流器(LVFR),用于笔记本适配器或平板显示器的开关电源、反向电池保护电路及高频直流-直流(DC-DC)转换器等应用。     

用于太阳能电池旁路保护的势垒肖特基整流器

该系列势垒肖特基整流器共有12款型号,具有10～60A的宽电流等级。这些整流器在10A时具有0．33V的极低典型正向压降,针对在太阳能电地接线盒中用作提供保护功能的旁路二极管进行了优化。     

V10PN50／V15PN50：肖特基整流器

Vishay推出新款高电流密度的50V TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器V10PN50和V15PN50。这两款器件在10A和15A下的典型正向压降低至0．40V和0．41V,兼具优化的漏电流的器件,采用薄形TO－277A（SMPC）封装,可用于智能手机和平板电脑的充电器。     

安森美推出200V和250V肖特基器件

安森美半导体推出200V和250V肖特基整流器，应用于等离子／LCD电视、电源、消费类和汽车电子，把原有的肖特基势垒电压超越至200V以上。此外，还推出了两款新的SMC封装肖特基整流器。     

NGTB40N120FLWG等：IGBT

安森美半导体扩充NGBTxx系列1200V沟槽型场截止绝缘门双极晶体管（IGBT）器件。     

具有极低正向压降（0．375V）的肖特基势垒整流器 用于开关模式电源、电源适配器等产品

这五款基于Trench MOS技术的肖特基势垒整流器可在开关模式电源中作为整流电路或OR—ing二极管，或可替代同步整流解决方案。     

EFC660 1R／6602R：MOSFET

安森美半导体推出两款MOSFET器件,用于智能手机及平板电脑应用,作为锂离子电池充电／放电保护电路开关的关键组成部分。EFC6601R和EFC6602R帮助设计     

NCP4303A/B：同步整流驱动器

应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体（ON Semiconductor）配合下一代电源系统设计,扩充了产品系列,NCP4303A和NCP4303B是全功能同步整流控制器及驱动器集成电路（IC）,用于ATX电源、平板电视、大功率交流-直流（AC-DC）适配器和游戏机等应用中的开关电源（SMPS）。它们的独特特性为开关电源次级端整流提供高效及灵活的方案。     

安森美推出NCP1230和NCP1231PWM控制器系列

安森美半导体目前宣布推出整装同步整流器NIS6111，此集成方案解决设计人员需采用分立元件以达到高功率密度的难题。N1S6111为高速、高效的混合整流器，可将高速比较器和MOSFET驱动器与功率MOSFET耦合在一起，相当于一个与MOSFET具有相同正向压降特性的二极管。NIS6111的低正向压降和快速转换功能提高了效率且无需使用庞大的散热器。它们通过降低反激或谐振拓扑结构开关电源中的次级整流结温实现此目的。