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国产A/D(模/数)D/A(数/模)转换器是重点电子产品,属大规模集成电路。我国军用和重点工程对A/D,D/A的需求很大,而目前高位数和高精度的该类产品主要仍靠进口。本文通过研究其失效模式和失效机理,可暴露存在问题,总结经验教训,寻找改进措施,促进该类产品研制与生产水平的提高,以利于国产A/D,D/A的进一步开发和发展。 相似文献
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研究了在高温工作环境下Ti/A1/Ni/Au(15nm/220nm/40nm/50nm)四层复合金属层与n-GaN的欧姆接触的高温工作特性,退火后样品在500℃高温下工作仍能显示出良好的欧姆接触特性;接触电阻率随测量温度的增加而增大,且增加幅度与掺杂浓度有密切关系,掺杂浓度越高,其接触电阻率随测量温度的升高而增加越缓慢;重掺杂样品的Ti/A1/Ni/Au-n-GaN欧姆接触具有更佳的高温可靠性;当样品被施加500℃,1h的热应力后,其接触电阻率表现出不可恢复性增加。 相似文献
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本文提出了一种可实现有线/无线/有线自动转接的通信系统及其所使用的接驳器,重点介绍了它们的工作原理、自动摘/挂机技术及这种接驳器的应用前景. 相似文献
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介绍了TCM/8PSK/IDR和QPSK/IDR的工作方式以及主要传输参数,就两者对卫星转发器频带和功率利用率进行了比较;提出了今后国内卫星通信网在现仍体制下采用TCM/8PSK/IDR取代QPSK/IDR的建议。 相似文献
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M/PS/Si/M结构的电致发光 总被引:1,自引:0,他引:1
用阳极氧化工艺制作了多孔硅膜,采用第二次阳极氧化的方法看到了多孔硅的电致发光现象,并制作了一个M/PS/Si/M类肖特基结构的发光二极管,观察到其电致发光,但其电致发光效率与强度很低,寿命很短,提出了研制实用化的多孔硅电致发光器件的努力方向。 相似文献
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Si/SiGe/Si HBT的优化设计 总被引:2,自引:0,他引:2
给出了常温和低温Si/SiGe/SiHBT的设计原则,并进行了讨论。指出了低温和室温HBT设计上的差异。这些原则可用于设计特定要求的Si/SiGe/SiHBT。 相似文献
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本文对RB/DGPS/DGLONASS系统的组成,工作原理,关键技术以及实验等研究内容进行了论述,初步研究结果表明:以我国已建成的沿海RBN/DGPS台站为基础,建设沿海RB/DGPS/DGLONASS系统是可行的;该系统建成后可在平时和战时为军民用户提供高精度的导航定位服务。 相似文献