XC6229：电压调整器

特瑞仕半导体推出超小型（0．75mm×0．75mm×0．3mm）最大输出电流300mA的高速LDO电压调整器XC6229系列产品。     

1SS361LP3：超微型二极管

Diodes公司推出采用超微型X3-DFN0603-2封装的产品。这批首次推出的6．0V基纳二极管及开关二极管以0．6mm×0．3mm×0．3mm的规格供应。     

0402尺寸齐纳二极管

罗姆开发出超小型的0402尺寸齐纳二极管（0．4mm×0．2mm）,这种二极管可以高密度安装在智能手机等便携设备上,和以往的0603尺寸（0．6mm×0．3mm）相比,成功地将尺寸减少了55％。     

0402尺寸二极管：齐纳二极管

罗姆推出齐纳二极管0402尺寸（0．4mm×0．2mm）,这种二极管可以高密度安装在智能手机等便携设备上。本产品属于较小的半导体产品,和以往的0603尺寸（0．6mm×0．3mm）相比,成功地将尺寸减少了55％。     

高性能的WiFi接入点前端模块

AFEMS105模块采用3．2mm×3．2mm×0．6mm的小型包装，集成了功率放大器、定向耦合器和SPDT天线开关。     

基站用低噪声放大器

MGA-12516、13516和14516超紧凑型基站用LNA可以达到相当低的噪声指数（NF,Noise Figure）,同时能够以超低功耗带来高增益性能表现。它们都采小型化4．0mm×4．0mm×0．85mm 16管脚四面扁平无引脚QFN封装。     

硼酸铝钕晶体1.34μm激光实验研究

本文报道了我所生长的硼酸铝钕（NAB）晶体1．34μm脉冲激光特性。用3mm×22mm的氙闪光灯泵浦3mm×18mm的NAB激光棒时，获得46．7mJ的脉冲激光，总效率为0．56％，斜率效率为0．8％。     

太阳诱电推出绕线型电感器NRV3012

太阳诱电株式会社推出绕线型电感器NRV3012（3．0mm×3．0mm×1.2mm、高度为最大值）产品。该款产品一般用于具有拍照功能的手机等便携式设备所使用的LED辅助光源的DC／DC转换器中。     

小于两倍槽宽槽孔导向孔添加方式探讨

对0．7mm×1．2mm槽孔分别添加0．4mm、0．55mm导向孔,并分别添加在槽孔中心,距槽孔边1mil及与槽孔边相切,得出添加0．55mm导向孔并其与槽孔边相切时,槽孔孔形最为优良,并且在添加0．55mm导向孔时,其不同添加位置对槽长影响最为显著。     

KT2016系列：温度补偿型晶体振荡器

KYO宣布尺寸为2．0mm×1．6mm×0．75（max）mm的薄型KT2016系列批量生产。KT2016系列晶体振荡器具备在GPS运用中所需的高精度，同时在面积和体积上比以往的KT2520系列削减了约40％，大幅节省实际安装面积。     

钟神JA-99D标准版

技术参数： ·输出功率：250W×2（甲乙类．8Ω．每声道）·谐波失真：≤0．02％（1kHz,1W）·信噪比：≥95dB（A计权）·频率响应：20Hz-20kHz（±0．2dB）·输入阻抗：100kΩ·输出阻抗：4-8Ω·尺寸：400mm×525mm×270mm·重量：35kg     

世界最小的晶体管封装“VML0806”开始量产

近日,日本知名半导体制造商罗姆面向智能手机和数码相机等各种要求小巧、轻薄的电子设备,开始量产世界最小尺寸的晶体管封装“VML0806”（0．8mm×0．6mm,高度0．36mm）。     

高集成度GPS芯片

GPS芯片Venus634LP的尺寸为10mm×10mm×1．2mm,内建低噪声指数放大器、表面声波滤波器、射频前级、基频处理器、0．5×10^6温度补偿振荡器、石英晶体、稳压器与被动组件。     

SiB437EDKT：P沟道TrenchFET功率MOSFET

VishayIntertechnology推出占位面积为1．6mm×1．6mm、高度小于0．8mm的8VP沟道TrenchFET功率MOSFETSiB437EDKT。     

超小型SMD石英晶振XT23和XT35

XT23和XT35是频率范围达12～25MHZ的新款超小型SMD石英晶振。XT23和XT35分别采用3．2mm×2．5mm和5．0mm×3．2mm的陶瓷封装，能够实现更小的终端产品。这两款器件的高度均为0．8mm。此次发布的器件具有宽工作频率和小尺寸，在＋25℃下的频率容差为±30×10^-6,是PDA、GPS单元、MP3播放器、笔记本电脑、PCMCIA卡和蓝牙通信设备的最优选择。     

天水天光半导体推出DSN-2封装系列肖特基势垒二极管

天水天光半导体最新推出目前尺寸为0．4mm×0．2mm×D（根据用户要求加工）超小型双硅片无引脚（Dual Silicon No—Lead,DSN-2）封装的TSBA8F40型肖特基势垒二级管,     

bq27741：电量计

TI推出采用1．9mm×2.7mm×0．6mm的15焊球芯片级封装、具有集成型保护功能的电池电量监测计,它可准确监控和保护空间有限的设计中使用的单体锂离子电池。     

Vishay推出采用业内最小芯片级MICRO FOOT封装的新款Vishay Siliconix功率MOSFET

Vishay Intertechnology，Inc．宣布．推出采用业内最小0．8×0．8×0．4mm MICROFOOT@封装的CSP规格尺寸，具有业内最低导通电阻的新款12V和20V的N沟道和P沟道TrenchFET功率MOSFET。     

IHLP-3232DZ-01：电感器

Vishay Intertechnology推出采用3232外形尺寸的较低高度、较高电流IHLP电感器IHLP-3232DZ-01，具有8．18mm×8．64mm的尺寸和4．0mm的较低高度。     

超小尺寸射频放大器

VMMK-2x03采用了WaferCap芯片级封装，尺寸大小为1mm×0．5mm×0．25mm。其拥有高增益、高IP3、低噪声指数并集成50（2输入和输出匹配电路来简化系统设计，涵盖500MHz～12GHz频率范围，这些小型化放大器可以应用在任何射频架构中的许多部分，