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相似文献
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1.
马龙  王良臣  杨富华 《电子学报》2005,33(11):2006-2008
建立的RTD SPICE模型,与实际制作的GaAs基RTD器件进行了拟合验证.对四值量化器电路的工作原理进行了解释说明,通过器件参数的提取,对电路进行了模拟仿真,确定了电路相关参数.通过公式计算得出的电路阈值电压与模拟结果一致.最后对电路最大的工作频率进行了分析.  相似文献   

2.
张亚昕 《电讯技术》1989,29(2):24-29
目前常用的设计算法是LBG算法,但用它设计的矢量量化器不是最佳的。本文从Gersho的K维空间最佳分划的定理出发,构造了一种改进的算法。本文还就分裂法去除空胞腔问题提出一种新的意见,并针对语音信号的特点提出两种新的空胞腔处理方法。一组矢量量化器设计给果表明,改进的算法和新的空胞腔处理方法都是更有效的。  相似文献   

3.
文章介绍了一种用于光纤数据量化器中的峰峰值检测电路的设计,针对光纤数据量化器性能的提高,采用了一种类似于模拟乘法器的双差分结构,并详细分析了这种双差分结构峰峰值检测电路的设计原理,给出了不同情况下的Cadence仿真波形。目前,该峰峰值检测电路已经应用于一种传输速率为80MBd的光纤数据量化器中。  相似文献   

4.
林弥  吕伟锋  孙玲玲 《半导体学报》2007,28(12):1983-1987
共振隧穿(resonant tunnel,RT)器件本身所具有的微分负阻(negative differential resistance,NDR)特性使其成为天然的多值器件.文中利用RT器件的负阻特性,以开关序列原理为指导,设计了基于RT电路的开关模型,实现了更为简单的三值RT与非门和或非门电路,并利用MOS网络模型,通过SPICE软件仿真验证了所设计电路的正确性.该设计思想可推广到更高值的多值电路设计中.  相似文献   

5.
基于RT器件的三值与非门、或非门电路设计   总被引:2,自引:1,他引:2  
林弥  吕伟锋  孙玲玲 《半导体学报》2007,28(12):1983-1987
共振隧穿(resonant tunnel,RT)器件本身所具有的微分负阻(negative differential resistance,NDR)特性使其成为天然的多值器件,文中利用RT器件的负阻特性,以开关序列原理为指导,设计了基于RT电路的开关模型,实现了更为简单的三值RT与非门和或非门电路,并利用MOS网络模型,通过SPICE软件仿真验证了所设计电路的正确性,该设计思想可推广到更高值的多值电路设计中。  相似文献   

6.
由共振隧穿二极管(RTD)与高电子迁移率晶体管(HEMT)相并联组成的结构是构成当前RTD高速数字电路常用的基本单元。由于RTD的负阻、双稳和自锁特性,由RTD/HEMT组成的逻辑电路可以大大减少器件的数目,用最少的器件完成一定的逻辑功能。本文对多值逻辑(MVL)中的文字逻辑门用PSPICE模拟软件进行了电路模拟,模拟结果与预期结果一致,并有助于指导该电路的设计。  相似文献   

7.
相位量化器专用芯片于宗光,徐爱华,王冠仁,许居衍(华晶电子集团公司中央研究所,无锡,214035)孟令杰,魏同立(东南大学,南京,210096)ApplicationSpecializedChipsforPhaseQuantizing¥YuZongg...  相似文献   

8.
MPEG—2视频编码的自适应量化器设计   总被引:6,自引:4,他引:6  
孙军  张文军 《通信学报》1995,16(5):102-106
本文在研究MPEG-2TM5建议的自适应量化策略的基础上,设计了一种新的逢适应量化器。以块为基础分析宏块的局部视觉活动特性。并通过综合评介宏块中各块的视觉活动特性来最终决定自适应视觉量化因子。  相似文献   

9.
鉴于已报道的平面共振遂穿二极管(PRTD)存在的缺点,文中提出了一种新的平面RTD器件结构.以n+ GaAs代替半绝缘GaAs衬底,利用硼离子注入产生的非晶化作为RTD器件的电隔离,成功设计研制平面型RTD和由其构成的单-双稳转换逻辑单元,此种结构可适用于以输出端作为公用端的所有电路.  相似文献   

10.
通常的ADC量化分析模型均基于均匀量化器,并忽略前端抗混叠滤波器的影响。针对扩频接收机伪随机码相关特性,建立一种新的最优量化器模型,整体考虑前端滤波器的影响,同时适用于均匀和非均匀量化器的设计。理论和仿真结果表明:当采样率满足奈奎斯特定理时,滤波器损耗和量化损耗可分离;在此基础上,利用极值理论直接推导出最优量化损耗计算公式及其最优量化值的解析解。最后,以数值形式给出量化损耗随量化字长、量化电平的变化关系,可用于指导直扩接收机的工程设计。   相似文献   

11.
在深入分析共振隧穿二极管(RTD)开关前后内阻变化和RTD串联组合中不同RTD电压分布随总偏压变化的基础上,深化了“遏止(Q uench ing)”的概念。并进一步以此概念说明了RTD/HEM T电路中,单-双稳转换逻辑单元(M OB ILE)、多值逻辑(M VL)文字(L itera l)逻辑门、三态反相器(T ernary inverter)等逻辑单元的工作原理。通过此种分析,证实了“遏止”概念是解释和分析复杂RTD电路原理的强有力工具。以上论证也适用于由其它负阻器件构成的逻辑电路。  相似文献   

12.
张志锋 《电子质量》2006,(10):20-22
RTD2010是由Realtek公司研发、生产的高集成化的平板显示控制器.本文介绍了RTD2010的特点和功能,实际应用在15″液晶显示器1024×768分辨率的直接显示上.  相似文献   

13.
平面型RTD及其MOBILE的设计与研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
鉴于已报道的平面共振遂穿二极管(PRTD)存在的缺点,文中提出了一种新的平面RTD器件结构.以n GaAs代替半绝缘GaAs衬底,利用硼离子注入产生的非晶化作为RTD器件的电隔离,成功设计研制平面型RTD和由其构成的单-双稳转换逻辑单元,此种结构可适用于以输出端作为公用端的所有电路.  相似文献   

14.
共振隧穿二极管的材料结构设计——共振隧穿器件讲座(5)   总被引:1,自引:0,他引:1  
在系统细致分析RTD材料结构参数与器件特性参数关系的基础上,确立了RTD材料结构的设计原则和设计方法,并对以SI-GaAs为衬底的RTD分子束外延(MBE)材料生长结构进行了设计。所研制出的RTD参数实测结果证实了此设计方法是正确的。  相似文献   

15.
一种新的低功耗CMOS三值电路设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出一种新的静态电压型CMOS三值电路设计方案.该方案具有电路结构规则,输入信号负载对称等特点,是一种具有互补输入-输出的双轨三值逻辑电路.由于电路中同时采用pMOS和nMOS两种传输管,从而保证了输出信号具有完整的逻辑摆幅和高噪声容限.尤为重要的是该设计方案是基于标准CMOS工艺而无需修改阈值电压,且结构较简单.采用0.25μm CMOS工艺参数及3V电源的计算机模拟结果同时表明所提出的电路设计具有高速及低功耗的特点.  相似文献   

16.
基于门控时钟技术的低功耗三值D型触发器设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文在三值D型触发器的基础上提出了一种低功耗三值门控时钟D型触发器的设计.该设计通过抑制触发器的冗余触发来降低功耗,PSPICE模拟验证了该触发器具有正确的逻辑功能.与三值D触发器相比,该触发器在输入信号开关活动性较低的情况下具有更低的功耗.同时该电路结构可以推广到基值更高的低功耗多值触发器的设计中.  相似文献   

17.
提出了几种分别采用两个锁存器和单个锁存器的三值双边沿触发器设计方案,这些方案包括动态、半静态和静态结构。双锁存器三值双边沿触发器是通过将两个透明的三值闩锁并列构成的。单个锁存器的三值双边沿触发器设计是通过时钟信号的上升沿及下降沿后分别产生的窄脉冲使锁存器瞬时导通完成取样求值。三值双边沿触发器具有对时钟信号的两个跳变均敏感的特点,因此可以抑制时钟信号的冗余跳变。较之三值单边沿触发器,在保持相同数据吞吐量的条件下,采用三值双边沿触发器可使时钟信号的频率减半,从而降低系统功耗。最后给出了采用0.25μm CMOS工艺参数的HSPICE模拟结果及其功耗比较。  相似文献   

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