基于浮动源的氮化镓器件导通电阻测试技术研究

首先,介绍了氮化镓器件的基本特征,以一款氮化镓功率器件为例,介绍了其基本结构、应用场景和关键参数,并研究了其导通电阻的测试;其次,介绍了浮动源的特点,研究了使用浮动源测试氮化镓器件导通电阻的方法,在测试方案的软件、硬件设计上提出了一些建议;然后,将所提出的测试方案运用于实际测试,结果表明,得到的测试数据与理论值吻合地较好,证明了测试方案的有效性;最后,对测试过程中常见的问题进行了分析,对于提高氮化镓器件导通电阻测试精度具有一定的参考价值。     

国内要闻

海思半导体获得一系列ARMMali图形处理器授权海思半导体和ARM联合宣布,海思半导体已获得一系列ARMMali图形处理器授权,包括市场领先的Mali-400MPGPU和最新的高性能Mali-T658GPU。通过这些新的授权,海思半导体能够为移动、消费和家庭设备生产厂商提供更多的图形处理器性能选择。在此之前,海思半导体已经取得     

产品推介

嵌入式TI OMAP35x处理器德州仪器(TI)推出四款新型OMAP处理器,采用ARM Cortex-A8内核技术,在单一芯片中实现了手持式功率级中堪比笔记本电脑的高性能功能组合。凭借超过四倍于当前300     

大功率VDMOS（200V）的设计研究

介绍了大功率VDMOS（200V）的设计方法。对设计参数进行了理论分析,并使用仿真工具对设计参数进行了验证和优化。设计中主要考虑了漏源电压和导通电阻等参数指标,通过器件和工艺的仿真,确定了该器件合理的参数范围：外延厚度为20μm,外延电阻率为5Ω·cm栅氧厚度为52nm;P阱注入剂量为3×3^12cm^2,推阱时间65min。将流片结果与仿真结果进行了比较。     

信息

安森美半导体推出针对安捷伦科技ADS软件的High-QTMIPD工艺设计套件安森美半导体宣布提供针对公司High-QTM集成无源器件（IPD）工艺的完整从前到后工序工艺设计套件（PDK）。这PDK开发是为了配合安捷伦科技的先进设计系统（ADS）2011电子设计辅助（EDA）软件一起使用,使安森美半导体及安捷伦科技的客户能够充分利用业界最全面射频（RF）及微波设计平台的优势。     

Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET

日前．Vishay宣布推出新型20V和30V p-通道TrenchFET功率MOSFET-Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用SO-8封装，具有±20V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。     

恩智浦推出全球首款低于1Ω、采用Power SO8封装的MOSFET

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）宣布推出全球首款N通道、1mΩ以下25VMOSFET产品,型号为PSMN1R2-25YL,它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM参数。该产品是迄今为止采用Power-SO8封装（无损耗封装：LFPAK）中拥有最低导通电阻RDSon的MOSFET,也是恩智浦现有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power—S08 LFPAK封装与最新Trench 6硅技术于一体．可在各种严苛应用条件下提供诸多性能及可靠性优势．     

信息总汇

Catalyst公司再次扩展其复位监控器产品线并新增3款产品。新推出的CAT705,CAT706和CAT813复位监控器为监控微处理器、微控制器、ASIC或其它类型系统处理器的电源状态提供工业标准级性能。其中,CAT706的复位电压为4.40V,CAT705和CAT813的复位电压为4.65V。     

信息总汇

莱姆电子上半财年业绩喜人展示强劲发展势头电流与电压测量元器件制造商LEM电子近日宣布,其2008/09财年上半年营收和利润均实现增长。数据再次表明:莱姆在提供创新和高质电参数测量解决方案的市场领先地位。2008/09财年上半年。     

SiHP7N60E：功率MOSFET

Vishay Intertechnology推出其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件,将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ-600mΩ．     

Vishay Siliconix推出具有低导通电阻的新型P通道MOSFET

<正>Vishay宣布发布其新型p通道TrenchFET第三代技术的首款器件——Si7137DP,该20Vp通道MOSFET采用SO-8封装,具备业内最低的导通电阻。     

信息

具突破性的0.5 ppm INL、1Msps、无延迟SAR ADC实现了真正的20位精准度凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出20位、1 Msps、无延迟逐次逼近寄存器(SAR)模数转换器(ADC)LTC2378-20,该器件具有极低的0.5 ppm(典型值)和2 ppm(最大值)积分非线性(INL)误差。INL是高精度应用(例如:地震监测和半导体制造等)的关键规格,标明了ADC传输函数与理想值的偏离程度。由于不能有     

使用MOSFET管不同参数影响研究

总结MOSFET管分类及特点及MOSFET管的温度对开启电压,导通电阻,漏源极电压,漏电流,雪崩能量等参数的影响。     

基于双核架构的全电子引信测试仪设计

传统的全电子引信无源导通电阻测试均采用外接电阻测试设备或通用的导通电阻测试电路设计,与全电子引信通电工作的电气性能测试毫无关联,无法避免故障产品加电后烧毁的风险。为此提出了能对无源导通电阻和全电子引信通电工作电气性能综合诊断的系统性设计思路,设计了一种基于ARM芯片和FPGA双核架构的全自动测试控制架构和24 bit高精确度四线制无源导通电阻测试电路,对全电子引信的对外接口部分的无源导通电阻及引信加电工作特性进行全面测试。测试结果表明,该设计能够进行无源导通电阻高精确度测试及通电后工作性能的综合测试,电阻测量精确度为±0.1%。     

Vishay Siliconix推出新型TrenchFET功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology．Inc推出新型20V和30VP通道TrenchFET功率MOSFET Si7633DP和Si7135DP。新器件采用SO-8封装,具有±20V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。     

n沟道功率MOSFET

E系列600V和650V n沟道功率MOSFET器件在10V下具有64～190mΩ的超低最大导通电阻,以及22～47A的额定电流范围。     

一种计算集成VDMOS管导通电阻的3D解析模型

功率集成电路要在同一块芯片上集成功率器件和低压电路。由于集成VDMOS器件的漏极也要从芯片表面引出,与常规的VDMOS器件相比其导通电阻计算有很大的差别。文中针对三维立体结构中器件的源胞个数和排列以及芯片表面漏极布局的不同,给出了一种新的3D解析模型,可有效地计算集成VDMOS的导通电阻值,并可预测限定面积下达到最小有效导通电阻值所需要的源胞个数和排列布局。     

月度新品总汇

CPU/SoC/MCUAR1100:USB触摸屏控制器美国微芯科技公司推出mTouch AR1100模拟电阻式USB触摸屏控制器。AR1100控制器基于AR1000模拟电阻式触摸屏控制器系列,是一种高性能、USB即插即用器件,具备先进的校准功能,充当USB鼠标或单输入数字化仪。控制器提供立即可用的芯片或板上产品,可利用适用于大多数主要操作系统的免费驱动程序支持所有4线、5线和8线触摸屏。AR1100可用一个单芯片解决方案,它还具有实现对准和线性的先进校准选项,可支持更高精度的4线、5线和8线触摸屏,以及精确检测按钮间隔紧密的重要应用中的按键事件。