COP8单片机在开关电源监控系统中的应用

由COP8单片机为核心构成开关电源的嵌入式监控系统.该监控系统包含串行D/A转换器、片内A/D转换器、16×2字符型液晶显示模块、四键(上键、下键、菜单键、确认键).该系统能够测量和显示开关电源的输出电压、电流,调节输出电压、电流值.文中介绍了MDLS字符型液晶显示模块的使用.     

嵌入式声强监控系统设计

介绍了一种基于ATmega128单片机和A/D转换芯片AD1674的嵌入式声强监控系统。通过对ATmega128单片机和A/D转换芯片AD1674特点和工作原理的分析,设计了嵌入式声强监控系统的总体方案,深入讨论了声强监控系统前端采集、模拟放大、A/D转换以及与ATmega128单片机接口技术的设计。通过串口接口将单片机经过处理后的数据传输至上位机进行显示,并可以在线修改系统监控参数值。最后通过试验验证,所设计的嵌入式声强监控系统操作简单、运行稳定可靠。     

程控开关稳压电源的设计

引言开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源。由于拥有较高的效率和较高的功率密度,开关电源在现代电子系统中的使用越来越普及。开关电源高频化、模块化和智能化是其发展方向。其中,步进可调、实时显示是开关电源智能化研究方向之一。本文设计了一种开关电源方案,其技术指标为:输出电压30V至36V可调,最大输出电流2A,有过流保护功能,能对输出电压进行键盘设定和步进调整、步进值1V,并能实时显示输出电压和电流的开关稳压电源。方案论证与比较主控CPU的选择方案一:采用AT89S51单片机进行控制。51单片机外接A/D和D/A比较简单,但是由于51单片机功能简单,对于这种复杂的系统来说做起来比较复杂。     

用COP820CJ实现可变输入范围的PWM A/D转换

介绍了8位单片机COP820CJ，并给出了一个用COP820CJ片上比较器设计的基于脉宽调制的A／D变换器，该A／D变换器可根据输入电压进行软件调整。     

COP8 FLASH在监控系统中的应用

引言 随着社会的不断发展,各行各业对监控的要求也越来越高,监控的应用范围也越来越广。由于大部分监控系统要求有智能性、实时性和可靠性,因此大多采用单片机作为主控芯片。本文着重介绍美国国家半导体的COP8 FLASH单片机系列在监控系统中的应用。     

基于CAN总线的桥梁健康检测系统的研究

设计一款应用于桥梁健康检测的基于CAN总线2．0B协议的分布式数据采集与处理系统。系统设计了带有CAN总线通信接口的数据采集与处理底层模块以及具有实时监控与控制功能的上位机监控模块。底层模块的硬件设计以C8051F060高速型单片机为核心,内部集成A／D采集和D／A输出子模块以及CAN总线通讯模块。     

数字电压电流表的软件设计

主要采用ATMEGA8芯片和一些外设电路来完成数字电压电流表的设计,能够对输入的0～20 V电压及0～5A电流进行测量,并通过一个四位一体的8段LED数码管进行动态显示.测量精度为0.1％,还可以与PC进行串行通信.设计主要由五大模块组成:量程自动转换模块、A/D模数转换模块、单片机控制模块、显示模块和通信模块.采用ATmega8单片机主控,内设A/D转换器,可直接对输入量进行A/D转换控制.     

单片机与组态王串口通信的设计

组态王软件是当前广泛应用的组态监控软件之一,具有良好的人机操作界面以及强大的IO设备驱动能力。单片机接口丰富,与A/D转换模块组合可与组态软件实时通讯,并且系统可靠、成本低,本论文介绍一种组态王与单片机串口通讯的方法。。     

光照度检测仪的设计

在公路隧道交通中,照度的测量和控制是很常见的。基于此设计一种具有自动量程转换功能、测量精度高、成本低的工控型数显照度计。本设计是以单片机Atmega8为核心部件的测量系统,硬件部分主要由信号采集、信号放大、A/D转换、数码显示和RS485通讯接口几部分。整个系统软件部分主要有：传感器数据采集模块、光亮度检测模块、通讯接口模块、光亮度显示模块。通过实验测试,本系统设计合理,其测量范围、分辨率、光谱响应误差基本上达到了设计的要求。     

基于单片机技术的数据采集系统的设计

介绍了基于单片机技术的数据采集系统的硬件设计和软件设计.该系统以AT89C51单片机为核心,TLC2543作为A/D转换器, 通过RS232通信接口,实现单片机与PC机间的采集数据的传输.该系统分为数据采集传输和数据显示两大模块,数据采集通过单片机控制TLC2543芯片实现A/D转换,并通过RS232实现单片机和PC机间采集数据的传输.数据显示模块,通过在Visual Basic开发环境下,运用VB提供的通信控件MSCOMM来实现上位机对采集数据的收集和显示.     

BNBST无铅压电陶瓷的制备工艺研究

设计了（Bi0.55Na0.5）1-X（BaaSrb）xTiO3（BNBST[100x-100a／100b]）无铅压电陶瓷新体系。该体系压电陶瓷具有工艺特性及压电响应好，压电常数高的特点，且有实际应用前景的新型压电陶瓷材料体系。采用传统的陶瓷工艺制备了（Bi0.55Na0.5）1-X（BaaSrb）xTiO3无铅压电陶瓷，研究了制备工艺参数对其物化结构性能的影响。生料的热重-差热（TGA-DTA）分析表明，粉料合成过程中，先是SrTiO3、BaTiO3的形成，然后是（Bi0．5Na0．5）Tio，的形成，同时三者形成固溶体；密度测试表明，陶瓷的体积密度随烧结温度的升高而增大，可较易获得理论密度94％的陶瓷；X-射线能谱分析（EDAX）研究表明，陶瓷的Bi、Na的挥发随着烧结温度的升高而加剧。研究结果表明，要制备性能优良的无铅压电陶瓷，需要精确控制制备工艺。     

聚对苯撑苯并双(口恶)唑发光及其器件制备

采用光谱技术,研究了聚对苯撑苯并双(口恶)唑(PBO)溶液的光敏发光特性,并用相对法估算出溶液发光效率在50%范围.结合光谱技术、半导体电学和电化学等研究手段,具体研究了以PBO为发光层的单层电致发光器件,研究结果显示,电致发光与薄膜的光致发光有具有相同的发光中心,峰值位于510 nm左右.同时发现,由于存制备过程中不同处理条件使得不同厚度薄膜残留的掺杂物质浓度不同,从而引起薄膜的导电性的不同.使得器件的阈值场强随PBO厚度的减小而逐渐增加.     

新型挠性印制电路板基材

目前挠性印制板仍以聚酰亚胺(PI)为基材,但PI的最大缺点是高的吸湿性函待改善,所以正努力开发高性能的高分子材料,以期取代PI。本文介绍了其中最有影响的两种新材料,即液晶聚合物(liquid crystal polymer,简称LCP)及聚醚醚酮(PEEK),其具有低吸湿性、低热膨胀系数、低介电常数及高尺寸稳定性。文章同时还介绍了LCP及PEEK在挠性印制板应用中遇到的问题及其解决方法。     

Maskless pendeo-epitaxial growth of GaN films

High-resolution x-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM) of pendeo-epitaxial (PE) GaN films confirmed transmission electron microscopy (TEM) results regarding the reduction in dislocations in the wings. Wing tilt ≤0.15° was due to tensile stresses in the stripes induced by thermal expansion mismatch between the GaN and the SiC substrate. A strong D°X peak at ≈3.466 eV (full-width half-maximum (FWHM) ≤300 μeV) was measured in the wing material. Films grown at 1020°C exhibited similar vertical [0001] and lateral [11 0] growth rates. Increasing the temperature increased the latter due to the higher thermal stability of the GaN(11 0). The (11 0) surface was atomically smooth under all growth conditions with a root mean square (RMS)=0.17 nm.     

Interfacial reaction and shear strength of SnAgCu-xNi/Ni solder joints during aging at 150 °C

The interfacial microstructure and shear strength of Sn3.8Ag0.7Cu-xNi (SAC-xNi, x = 0.5, 1, and 2) composite solders on Ni/Au finished Cu pads were investigated in detail after aging at 150 °C for up to 1000 h. The interfacial characteristics of composite solder joints were affected significantly by the weight percentages of added Ni micro-particles and aging time. After aging for 200 h, the solder joints of SAC, SAC-0.5Ni and -1Ni presented duplex intermetallic compound (IMC) layers regardless of the initial interfacial structure on as-reflowed joints, whose upper and lower IMC layers were comprised of (CuNi)₆Sn₅ and (NiCu)₃Sn₄, respectively. Only a single (NiCu)₃Sn₄ IMC layer was ever observed at the SAC-2Ni/Ni interface on whole aging process. Based on the compositional analysis, the amount of Ni within the IMC regions increased as the proportion of Ni addition increased. The IMC (NiCu)₃Sn₄ layer thickness on the interface of SAC and SAC-0.5Ni grew more slowly when compared to that of SAC-1Ni and -2Ni, while for the (CuNi)₆Sn₅ layer the reverse is true. Except the IMCs sizes are increased with increased aging time, the interfacial IMCs tended to transfer their morphologies to polyhedra. In all composite joints testing, the shear strengths were approximately equal to non-composite joints. The fracturing observed during shear testing of composite joints occurred in the bulk solder, indicating that the SAC-xNi/Ni solder joints had a desirable joint reliability.     

Enhancement of photo- and electro-luminescence of GaN-based LED structure grown on a nanometer-scaled patterned sapphire substrate

In this study, a 2 in. sized a highly periodic nanometer-scaled patterned sapphire substrate (NPSS) was fabricated using nanoimprint lithography (NIL) and inductively coupled plasma etching to improve the light-extraction efficiency of GaN-based light-emitting diodes (LEDs). A blue LED structure was grown on the nanometer-scale patterned sapphire substrates, and the photoluminescence (PL) and electroluminescence (EL) were measured to confirm the effectiveness of the nanometer-scaled patterns on sapphire. An improvement in luminescence efficiency was observed when NPSS was applied; 2 times stronger PL intensity and 2.8 times stronger EL intensity than the LED structure grown on the unpatterned sapphire wafers were measured. These results show highly periodic nanometer-scaled patterns create multi-photon scattering and effectively enhance the light-extraction efficiency of LEDs.     

全光波长转换技术的原理及应用

详细介绍了多种全光波长转换(AOWC)的方法、原理、特性以及性能比较,分类介绍了目前常用的全光波长转换器(AOWC)的实现方案,并对其发展提出了几点看法.     

在银胶体系中罗丹明B单分子水平上拉曼光谱研究

采用表面增强托曼散射（SERS）技术,比较了单分子水平上银胶纳米体系中罗丹明B（RhB）浓度为10^-11mol／L以下的拉曼光谱和通常单分子水平上罗丹明6G（Rh6G）浓度在10^-11mol／L的拉曼光谱,无论自由沉积在玻璃表面还是在液体环境下的结果显示,单分子水平上Rh B的拉曼光谱灵敏度是Rh 6G的2倍多。因此,利用RhB作为探测试剂将能够提供更加丰富的信息,这对单分子的光谱研究以及高灵敏度探测试剂的应用研究具有重要的意义。     

盲多用户检测技术中的恒模算法分析

恒模算法（CMA）是一种广泛应用于阵列处理、均衡和多用户检测中的盲算法。现对恒模算法及其在盲多用户检测技术中的应用进行了分析,并指出其研究方向。     

用FPGA实现数字电视条件接收系统

根据数字电视条件接收系统的原理 ,提出一种 ECM在 TS层加入、复接和条件接收相互独立的 CAS实现方法。 ECM在 TS层加入 ,对于 TS层加扰来说 ,易于实现加扰和解扰同步 ;复接和条件接收相互分离使条件接收系统实现比较灵活 ,易于调试。另外 ,设计了保密性较高的加扰器并成功运用于系统中