金属氧化膜电阻器电阻温度系数的改善

导致金属氧化膜电阻器失效的主要因素是膜层结构变化、电解和接触部分老化。为了减少失效，改善电阻温度系数α，在生产实践中控制工艺参数及关键工序（镀膜、热处理、刻槽、涂漆）的质量，其中重点是镀膜。通过调整镀膜靶材，Ｈ靶：α从大于１５０×１０－６℃－１调整在±６０×１０－６℃－１之内；Ｆ靶：α从大于２００×１０－６℃－１调整在±１２０×１０－６℃－１之内，提高了金属氧化膜电阻器的可靠性。     

电阻器低阻值温度系数检测方法探讨

本文通过对电阻器低阻值产品作温度系数所用的高温导线和样品的公用安装线胸次试验,认为高温导线温度系数的影响较小,而样品的公司安装线温度系数的影响极大。为了对低阻值产品温度系数作出准确的检测,必须重视样品的焊接方式,否则地电阻器温度系数的判定带来极大的误差。     

CrSi薄膜电阻温度系数研究

对可能影响CrSi（铬硅）薄膜电阻温度系数（TCR）的工艺参数进行研究分析,通过有针对性的多组试验,优化了工艺奈件,使电阻温度系数从±50ppm／℃降到了±20ppm／℃。     

正温度系数SrTiO_3环形压敏电阻器研制成功

SrTiO3压敏电阻器是一种广泛用于微电机灭弧消噪的EMC对策元件,温度特性是SrTiO3压敏电阻器的重要性能指标,通常是用压敏电压随温度的变化系数来表示的,如下式所示: k = 2550100)()()(251025105010--EEE(%1) 式中:(E10)50和(E10)25分别表示50及25时的压敏电压值。k值越小越好,当k值为正值时,压敏电阻承受瞬态浪涌和静态功率的能力显著提高,元件的工作稳定性和可靠性进一步改善,因此温度系数最好为正值。 据报道,20世纪80年代日本SrTiO3压敏电阻的电压温度系数约为0.5%1,1990年日本太阳诱电和TDK的产品标准中规定为0.3%1,实际产…     

Cu导体RF溅射NiCr薄膜电阻器的电性能

<正> NiCr是制造精密薄膜电阻器最常用的电阻材料之一,其电阻率范围较宽,TCR低,电性能稳定性好。NiCr薄膜电阻器的接触金属一般采用Ti-Pd-Au系多层导体(国内多数用NiCr/Au系——译者)。随着金     

硅正电阻温度系数热敏电阻器

为获得一种在常温下具有正温特性的热敏电阻,采用硅单晶材料,利用其迁移率随温度变化的规律设计并制成了硅正电阻温度系数热敏电阻器。测量表明,其电阻值随温度升高而增大。温度系数为(0.6％～0.8％)℃~(-1),在-50～+100℃温度范围内具有准线性。硅正电阻温度系数热敏电阻器特别适合于各种半导体器件和传感器的温度补偿。     

电阻温度系数微机测试系统研制成功

<正> 南京无线电元件十一厂研制成功电阻温度系数微机测试系统,为国内填补了一项空白,使生产电阻器过程中巡测温度系数实现自动化,工效比原来提高近30倍。 过去,国内在电阻器的生产过程中,全部用手工监测温度系数,速度慢,误差大,甚至有时停工待测。为改变这种状况,南京无线电元件十一厂组织有经验的技术人员攻关,并研制成功经济实用,能大量生产的微机测试系统。该系统采用8031单片微机和7135大规模集成     

突变型PTC元件电阻温度系数的测试

目前突变型ＰＴＣ元件电阻温度系数的测量方法各种各样，因此测试结果缺乏唯一性和可比性。根据国际和国家标准对电阻温度系数的定义，结合ＰＴＣ材料的生产和使用的实际情况，提出了一种较为可行的测试方法。     

几种薄膜电阻温度系数的测量

一、引言 薄膜电阻是薄膜电路中的重要组成元件之一,因此对其某些主要参数性能的研究有着极其重要的意义。反映薄膜电阻性能的参数有:膜电阻、电阻温度系数、电阻电压系数、噪声系数、高频性能、稳定性、潮湿效应和功率密度等等。最能反映薄膜电阻特性的是电阻温度系数。     

金属氧化膜电阻温度系数的测定

采用由传感器AD590组成的水浴恒温箱测得不同温度下金属氧化膜电阻的阻值，通过大量的实验数据分析各种金属氧化膜电阻阻值与温度的关系，分析表明，阻值与温度之间呈线性关系，通过直线拟舍，得到电阻阻值与温度的关系式，通过关系式求得金属氧化膜电阻器的温度系数，建立阻值与温度的数学模型，这样就能得到不同温度下各种金属氧化膜电阻的理论预测值。     

串联或并联电阻总温度系数探索

对串联或者并联电阻的总温度系数进行计算分析,意欲对较大温度系数的电阻采取串联或并联的联接方式,以获得温度系数趋于零的电阻体。     

NiCr电阻——硅平面工艺相容技术

众所周知,线性电路是为了用器件、组件等实现输出电讯号随输入电讯号产生线性的变化,不是如数字电路那样只要求具有两种输出状态.要实现线性的变化,组件中电阻的阻值精度、温度性能等就是十分重要的问题.     

低温度系数(TCR)的离子注入电阻

本文叙述了一种能实用于半导体集成电路的低温退火离子注入电阻.它具有高精度低温漂的特点,与常规的离子注入电阻和扩散电阻相比,其温度系数要小一个数量级以上,并且能与MOS和双极型集成电路工艺相容.     

影响NiCr薄膜电阻器TCR与长期稳定性的主要因素

引言利用真空淀积技术制作金属膜电阻器已有三十年历史。三十年来,尽管作了大量的研究与探索,但至今广泛用来制作精密薄膜电阻器的材料,仍然只有二种:NiCr和Ta基。NiCr膜可以得到很低的温度系数(TCR),Ta基膜的稳定性(△R/R)很好。目前,在精密薄膜电阻制作上,美、日以Ta基为主,西欧则广泛应用NiCr材料。国内很多单位用NiCr薄膜作电阻器网络,而     

室温红外探测薄膜电阻温度系数测试技术

薄膜电阻温度系数的准确测定对红外探测薄膜材料的研究有着十分重要的意义.研究了薄膜电阻温度系数实时测试技术,重点考虑微弱信号放大和噪声有效抑制,实现了微小间隔下对温度和电阻同时采集,以及数据的精确处理.采用该测试系统准确地测试出几种常用红外探测薄膜材料的电阻温度系数.     

高频磁控溅射低温度系数铬硅薄膜电阻

采用高频磁控溅射研制出的Cr-Si薄膜,方阻为500Ω/□～5kΩ/□,TCR小于50×10~(-6)/℃,并在生产中得到应用。     

氧压对ZnO薄膜电阻温度系数的影响

采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在不同氧气氛下,在Si(lll)衬底上生长了ZnO薄膜,使用X线衍射仪分析了ZnO薄膜的结晶质量.计算了不同氧气氛下生长的ZnO薄膜的电阻温度系数(TCR)值,发现随着氧分压降低,ZnO薄膜的TCR值增大;ZnO薄膜的TCR值最高可达-8%/K.这为研究ZnO薄膜的导电特性提供了新的途径,开辟了ZnO薄膜在室温非制冷红外微测辐射热计材料中的应用潜力.