300 mm双面磨削硅片表面纹路模拟

分析了硅片双面磨削的运动轨迹,并给出了砂轮上P点相对于硅片的运动轨迹。还对砂轮运动轨迹进行了模拟。得出以下结论：砂轮上P点在硅片上的运动轨迹仅与它们的相对转速比I有关,而与两者的分别转动角速度值没有关系。硅片磨削的磨纹密度沿着硅片径向逐渐减小,硅片中心处磨纹最密集,磨纹密度最大,表面粗糙度最小,越靠近硅片的中心硅片的磨纹密度越大,表面粗糙度越小,表面质量越好;反之,越靠近硅片的边缘磨纹密度越小,表面粗糙度越大,表面质量越差。砂轮和硅片旋转方向相同时单颗磨粒的轨迹带有紫荆花形状,说明其磨削是不均匀的,磨削效果不好;而砂轮和硅片旋转方向相反时单颗磨粒的轨迹则不具有这种形状,磨削很均匀,磨削效果好。硅片磨纹密度是由砂轮和硅片的速比决定的,速比ωwωs的不可约分数m/n中n越大,硅片磨纹密度越密,表面粗糙度越小,磨削表面质量越好。     

双面抛光工艺中压力对300 mm硅片表面形貌的影响

利用非接触式光学轮廓仪研究了双面抛光过程中不同压力下300mm硅片表面形貌的变化，并通过Stribeck曲线进行了探讨。结果表明。双面抛光过程中机械作用的强度随着压力的变化而不同，从而影响抛光后的硅片表面形貌。当硅片表面与抛光垫之间的接触处于固，液混合接触区时，协调机械去除作用与化学腐蚀作用之间的关系，使之达到平衡，可以显著地降低硅片表面的微粗糙度和峰谷值。     

提高HN700mm×300mm型钢成材率的实践

文章对HN700 mm×300 mm型钢轧制缺陷产生的原因进行了分析,并提出了消除轧制缺陷的方法。通过减少轧制缺陷,提高了HN700 mm×300 mm型钢的成材率,并将消除HN700 mm×300 mm型钢轧制缺陷的经验运用到其它规格H型钢的生产中。     

300mm×300mm EA4T车轴钢坯生产工艺实践

EA4T车轴钢（/%:0.22～0.29C、0.15～0.40Si、0.50～0.80Mn、≤0.020P、≤0.015S、0.90～1.20Cr、0.15～0.30Mo、≤0.06V）采用30 t EBT电弧炉40 t LF/VD-5 t铸锭工艺生产,并经8 MN油压机锻成300 mm x300mm钢坯,锻造比≥9。结果表明,EA4T钢[O]为（12-15）×10^-6,[H]为（1.2～1.6）×10^-6,经900～920℃淬火,600～650℃回火后,抗拉强度R_m721⁷45 N/mm²,屈服强度R_eh463～470 N/mm²,伸长率A₅ 19.0%～19.5%,纵向冲击功53～73 J,横向冲击功36～41 J,组织为贝氏体一回火马氏体,10⁷循环疲劳极限为350 N/mm²。     

300 mm硅片双面抛光运动轨迹模拟和优化

通过建立300 mm硅片双面化学机械抛光中硅片上定点相对于上下抛光垫的运动轨迹方程,分析了内外齿轮转速、抛光布转速对运动轨迹分布的影响,调整三者大小使得运动轨迹分布较均匀。实验证明运动轨迹路径长度与抛光去除厚度成正比关系,计算运动轨迹路径长度确定抛光垫的转速以达到上下表面具有相同的抛光速率。研究结果为300 mm硅片双面化学机械抛光找出优化工艺参数、提高硅片抛光后表面质量提供了理论依据。     

260 mm×300 mm连铸坯内裂纹的分析和改进工艺实践

通过控制钢中硫含量≤0.020%,不同炉次中间包钢水温度波动范围由25 ℃降至10 ℃,调整结晶器 水量为190~200m³/h,控制拉速0.55~0.75 m/min, 使20CrMnTiH 、40Cr、GCr15等钢种260 mm×300 mm连俦坯的内裂废品率由0.30%降低到0.01%,基本消除了铸坯内裂纹。     

260mm×300mm合金钢连铸坯质量控制集成技术的开发和应用

简述了莱钢50 t EAF-LF(VD)-CC流程中合金钢260 mm×300 mm连铸坯质量控制集成技术的开发和应用效果.通过合理的铸坯纯净度和全程保护浇铸,二冷动态控制的二冷工艺设备设计,工艺设备精度参数群优化,热装工艺的铸坯质量在线预报判定系统等控制技术的开发,提高了铸坯质量,钢材酸浸低倍检验合格率由2007年的97.50%提高到2009年的99.01%,铸坯合格率在99.92%以上,成材率由原来的96.50%提高到%.80%,铸坯热装率由45%提高到75%.     

包钢X65管线钢Φ300 mm圆铸坯的试制

包钢钢联股份有限公司炼钢厂采用120 t顶底复吹转炉-100 t LF(VD)-5流Φ300 mm铸坯连铸工艺流程试生产X65管线钢13MnNbTi(%:0.10～0.16C、1.20～1.40Mn、0.03～0.05Nb、0.01～0.02Ti、0.025～0.05Al)。生产实践表明,通过铁水脱硫([S]≤0.005%),转炉挡渣出钢,精炼渣碱度≥3.0,VD处理≥13 min,可以使[S]≤0.005%、[P]≤0.015%、[H]≤1.5×10~(-6)。通过全程保护浇铸和结晶器电磁搅拌工艺,钢中氧含量(13～21)×10~(-6),平均氧含量16.44×10~(-6),铸坯表面质量良好,低倍组织0～1级。     

Φ300 mm红外锗单晶生长及性能测试

采用直拉法成功拉制直径300 mm红外锗单晶, 讨论了热场温度梯度、拉晶工艺参数以及浮渣对拉晶的影响, 测量了单晶电阻率、红外透过率和断裂模量, 结果表明单晶满足红外光学系统的使用要求.     

硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究

硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究刘峥，翟富义，张椿，尤重远（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：硅片，背损伤，雾缺陷，吸除作用（一）引言双极型与ＮＭＯＳ集成电路制造用硅抛光片经常会遇到“雾缺陷”问题，它是指经过高温（大于１０５０℃）氧化后的ｐ...     

硅片的几何参数及其测试

本文介绍了硅片的加工质量：直径、厚度、平整度、弯曲度、翘曲度等的含意、测量和计算方法，以及其中一些参数之间的关系。最后对硅片激光标记及规范作了概述。     

300mm直拉单晶硅中的氮元素对氧化诱生层错的影响

采用直拉法生长普通和掺氮硅单晶,研究不同含氮浓度的晶体中氧化诱生层错(OSF)的行为.从4组晶体的相同位置取样,并对样品进行1100℃湿氧氧化实验.实验结果表明,随着晶体中氮浓度的增加样品中氧化诱生层错环(OSF-ring)宽度变大,且环内OSF缺陷的密度增加.这说明,氮的掺入促进了晶体中满足OSF形核要求的原生氧沉淀的形成,使OSF形核区变大.     

掺氮对300 mm单晶硅中流动图形缺陷和氧化诱生层错的影响

采用直拉法生长普通硅单晶和掺氮硅单晶,研究两种晶体中空位型原生缺陷（voids）和氧化诱生层错（OSFs）的行为。从两种晶体的相同位置取样,并对样品进行Secco腐蚀、1100℃湿氧氧化和铜缀饰实验。实验结果表明,在掺氮硅单晶中与较大尺寸的voids相关的流动图形缺陷（FPDs）的密度变小,氧化诱生层错环（OSF-ring）向样片中心处移动,同时宽度变大。这说明在直拉硅中掺氮可以抑制大尺寸voids的产生,同时可以缩小空位型缺陷区的范围,而且V/I过渡区（OSF-ring）的范围变大。     

300mm硅单晶的缩颈生长及应力分析

对不同直径颈部晶体进行了拉伸实验及断口形貌观察,颈部晶体的断裂属于脆性断裂,增大晶体颈部直径可以增大其承受拉力,从而可以制得更大重量的单晶。缩颈生长工艺条件会对颈部晶体的抗拉强度产生影响。讨论了颈部晶体的断裂机制。     

300 mm 硅单晶生长过程中热弹性应力的数值分析

采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟，模拟考虑了热传导、辐射、气体和熔体对流、热弹性应力等物理现象。针对晶体生长过程中小形变量的塑性形变，以Cauchy第一和第二运动定律作为局部控制方程，考虑了硅单晶的各向异性，计算了〈100〉硅单晶生长过程中晶体内von Mises应力分布和变化规律，结果表明在等径生长阶段热应力上升最显著，界面上方晶体内热应力随晶体生长速率增大而升高。     

临钢中板2 300 mm轧机综合测试及分析

通过对临钢中板2300mm轧机的综合测定，了解该设备的实际负荷情况及有关工艺参数。由此经过工艺制度的修订，为扩大轧制规格与品种，设备潜能的发挥提供科学依据。     

硅片塑性形变与位错

通过１２００℃、１５ｈ急冷热处理实验，研究了硅中位错对高温塑性形变的影响及热处理过程中位错密度的变化。实验结果表明，硅中原有位错密度越大或热处理急冷温度越高，均使塑性形变更加严重。位错密度为０４～２×１０３ｃｍ－２的硅片的弯曲度变化是无位错硅片的３倍多，１２００℃急冷产生的形变量是７７０℃急冷的４倍。无位错硅片在高温热处理中会产生大量位错，且急冷温度越高，产生的位错越多。热处理中区熔硅片容易在边缘产生位错星形结构。     

测试方法对硅片表面微粗糙度测量结果影响的研究

随着大规模集成电路的快速发展, 硅片表面微粗糙度对于器件制造的影响也越来越受到人们的重视. 介绍了几种测量硅片表面微粗糙度的测试方法, 并将它们分成三类, 简单阐述了每一类测试方法的测试原理, 影响测试结果的因素, 从实际应用的角度详细阐述了这三类测试方法的适用情况、通过详细的测试数据及图形对这三类测试方法进行了分析, 并对这三类测试方法进行了比较. 最后简单介绍了纳米形貌和硅片表面微粗糙度之间的关系.