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用改进的液相沉淀法制备ZnS纳米晶 总被引:3,自引:0,他引:3
以ZnSO4、(NH4)2S为原料,通过加入分散剂对传统的液相沉淀法进行改进,制备出ZnS的纳米粉末,并探讨了制备过程中沉淀、洗涤、干燥以及晶化等阶段的反应条件对产物的影响。结果表明:以丙三醇为分散剂、原料配比(n(ZnSO4)/n((NH4)2S)杰1:0.9、料液浓度比1:1,c(ZnSO4)、c((NH4)2S)均为0.2mol/L时为沉淀适宜工艺条件;干燥前对沉淀物用无水乙醇进行脱水处理,可有效地控制硬团聚体的产生;沉淀经400-600℃晶化1h,可得立方晶形β-ZnS纳米晶,产物为均匀球形,分散性较好;400℃晶化的产物晶粒尺寸约为40nm;600℃晶化的产物晶粒尺寸约为50nm。 相似文献
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CuPc/ZnS多层复合薄膜的制备及光电性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为了找到制备具有最佳光电导性能的CuPc/ZnS多层复合薄膜的工艺参数,研究了CuPc/ZnS多层复合膜的层数系列、CuPc膜层的厚度系列、ZnS膜层的厚度系列和基板温度系列的光电导性能和结构。利用表面电位衰减、紫外-可见光谱和X射线衍射分析了复合薄膜的光电导性能和结构及其关系,探讨了改变复合膜层数、CuPc膜层和ZnS膜层的厚度以及基板温度对CuPc/ZnS多层复合薄膜的光电导性能和结构的影响。 相似文献
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氮化硼光电薄膜材料的制备及其性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文通过热丝辅助等离子体增强化学气相沉积法(HF-PECVD)在单晶硅片和石英片衬底上分别成功生长了氮化硼薄膜材料。用X射线衍射(XRD)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析了薄膜样品的结构和组成,用扫描电镜(SEM)观察了薄膜样品的表面形态,用紫外一可见光分光光计(UV)研究了薄膜样品的紫外吸收特征,并确认薄膜样品的光学能隙,此外,本文还探讨了衬底的超声预处理的薄膜材料生长中所起的作用。 相似文献
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本文首次报道了用真空热蒸发法制备CuPc/ZnS交替多层复合薄膜,研究CuPc和ZnS的层数以及制备工艺对薄膜光电性能和结构的影响。利用光电导特性测量仪、紫外可见光谱仪和X射线衍射仪等设备分析了复合薄膜的结构和光电性能,探讨了有机/无机复合薄膜的光电导机理,提出了理论模型。 相似文献
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本文简要综述了有机纳米光电功能材料的研究进展。详细讨论了有机纳米薄膜的制备方法、结构表征、性能研究及应用前景。 相似文献
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在未来的几十年中,以笔记本电脑、蜂窝电话、个人通信机、PDA等为代表的便携式电子产品,由于其高集成度、低重量、低功率等优点,而将成为发展最快的电子产品门类。对制造这些产品所必须的微芯片(如DRAM、SRAM、DSP等),不仅在数量上有要求,更要求在低压、低功耗、高速、高可靠性等方面都要有重大突破。传统的硅CMOS工艺在这些领 相似文献
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如何有效克服小分子抗氧剂热稳定性低,易迁移及耐抽提性能差等缺点,是抑制高分子材料及其制品老化现象所亟待解决的关键问题之一。其中,采用化学法将小分子抗氧剂接枝到无机材料表面或聚合物分子链上制备负载型抗氧剂是一条重要的解决途径,已成为抗氧剂领域的研究热点。文中详细介绍了近年来通过无机材料和聚合物(低聚物)为载体制备负载型抗氧剂的方法及应用研究进展,总结了负载型抗氧剂的特性,提出了目前负载型抗氧剂研究面临的问题。 相似文献
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以醋酸锌和硫脲为原料,采用溶剂热法分别以有机小分子的一元胺(甲胺、乙胺、正丁胺)和多元胺(乙胺、二乙胺、三乙胺)为介质合成ZnS纳米粉体,通过XRD和SEM对所得ZnS粉体进行了表征,研究了不同介质对所得ZnS粉体的晶相组成、颗粒尺寸及形貌的影响.结果表明,在单胺体系中,随着碳链的增长,ZnS粉体六方相的生长趋势渐弱;在伯仲叔胺中,随着与氨基相连的碳原子上氢原子的减少,六方相的生长趋势渐弱,在三乙胺中甚至出现了立方ZnS的特征峰.荧光光谱的研究表明,从伯胺到叔胺,其发射峰发生少量的红移,从乙胺溶液中的450nm附近红移到三乙胺溶液中的500nm附近. 相似文献
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采用化学气相沉积法,以Zn(S2CNEt2)2为单源前驱体,Au为催化剂,在不同的温度下,得到了不同直径的六方相ZnS纳米线.在此基础上,改用Ni为催化剂,得到碳纳米管;改用单质S和Zn为原料,则得到立方相ZnS纳米线.在一定程度上实现了对ZnS纳米线的粒径和物相的控制合成,实现了利用催化剂对ZnS纳米线和碳纳米管的选择性合成.用X-射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和能量分散光谱(EDS)对合成产物进行了表征. 相似文献
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