用改进的液相沉淀法制备ZnS纳米晶

以ZnSO4、（NH4）2S为原料，通过加入分散剂对传统的液相沉淀法进行改进，制备出ZnS的纳米粉末，并探讨了制备过程中沉淀、洗涤、干燥以及晶化等阶段的反应条件对产物的影响。结果表明：以丙三醇为分散剂、原料配比（n(ZnSO4)/n((NH4)2S)杰1：0.9、料液浓度比1：1，c(ZnSO4)、c((NH4)2S)均为0.2mol/L时为沉淀适宜工艺条件；干燥前对沉淀物用无水乙醇进行脱水处理，可有效地控制硬团聚体的产生；沉淀经400-600℃晶化1h，可得立方晶形β-ZnS纳米晶，产物为均匀球形，分散性较好；400℃晶化的产物晶粒尺寸约为40nm；600℃晶化的产物晶粒尺寸约为50nm。     

CuPc／ZnS多层复合薄膜的制备及光电性能的研究

为了找到制备具有最佳光电导性能的CuPc/ZnS多层复合薄膜的工艺参数，研究了CuPc/ZnS多层复合膜的层数系列、CuPc膜层的厚度系列、ZnS膜层的厚度系列和基板温度系列的光电导性能和结构。利用表面电位衰减、紫外－可见光谱和X射线衍射分析了复合薄膜的光电导性能和结构及其关系，探讨了改变复合膜层数、CuPc膜层和ZnS膜层的厚度以及基板温度对CuPc/ZnS多层复合薄膜的光电导性能和结构的影响。     

ZnS掺杂技术研究及应用现状

对现阶段国内外在ZnS及ZnS基材料掺杂改性方面的研究成果作一概述性介绍，综述了纳米级ZnS发光材料掺杂改性的基本机理，主要的掺杂技术、方法，并对多种掺杂元素的效果进行了分析比较。     

氮化硼光电薄膜材料的制备及其性能研究

本文通过热丝辅助等离子体增强化学气相沉积法（HF－PECVD）在单晶硅片和石英片衬底上分别成功生长了氮化硼薄膜材料。用X射线衍射（XRD）和傅立叶变换红外光谱（FTIR）分析了薄膜样品的结构和组成，用扫描电镜（SEM）观察了薄膜样品的表面形态，用紫外一可见光分光光计（UV）研究了薄膜样品的紫外吸收特征，并确认薄膜样品的光学能隙，此外，本文还探讨了衬底的超声预处理的薄膜材料生长中所起的作用。     

太阳能光电材料CuInSe2的研究进展*

综述了太阳能光电材料CuInSe2的研究历史和现状，主要讨论了CuInSe2的光学性质，电学性质，及其掺杂对禁带宽度的影响，介绍了薄膜的制备方法特别是硒化法，最后综述了目前存在的问题及发展趋势。     

CuPc／ZnS多层复合薄膜的光电性能研究

本文首次报道了用真空热蒸发法制备ＣｕＰｃ／ＺｎＳ交替多层复合薄膜,研究ＣｕＰｃ和ＺｎＳ的层数以及制备工艺对薄膜光电性能和结构的影响。利用光电导特性测量仪、紫外可见光谱仪和Ｘ射线衍射仪等设备分析了复合薄膜的结构和光电性能,探讨了有机／无机复合薄膜的光电导机理,提出了理论模型。     

透明导电氧化物薄膜材料及其制备技术研究进展

综述了透明导电氧化物(TCO)薄膜的结构、光电性能以及TCO薄膜制备技术的研究进展.ITO薄膜性能优异,是重要的平面显示器件用材料.掺铝ZnO薄膜价格低廉,是极具开发前景的ITO薄膜的替代材料.柔性衬底氧化物半导体透明导电薄膜的开发和应用将扩大TCO薄膜的应用领域.     

纳米有机光电功能材料

本文简要综述了有机纳米光电功能材料的研究进展。详细讨论了有机纳米薄膜的制备方法、结构表征、性能研究及应用前景。     

21世纪的硅基材料——SOI

在未来的几十年中,以笔记本电脑、蜂窝电话、个人通信机、PDA等为代表的便携式电子产品,由于其高集成度、低重量、低功率等优点,而将成为发展最快的电子产品门类。对制造这些产品所必须的微芯片(如DRAM、SRAM、DSP等),不仅在数量上有要求,更要求在低压、低功耗、高速、高可靠性等方面都要有重大突破。传统的硅CMOS工艺在这些领     

一维SnO_2纳米结构的制备及光电性质研究进展

介绍了一维SnO2纳米结构的制备方法,重点阐述了气相合成和液相合成的生长机理,评述了几种典型一维纳米结构的合成、微结构及形成机理,综述了一维SnO2纳米结构的光致发光、光响应、光电导、电输运、场发射及气敏特性方面的研究结果,并展望了未来的研究方向。     

光子晶体调制下的光电材料

光子带隙的存在不仅产生出一大批新型材料和器件,也能够提供一种特殊的物理环境-具有波长尺度的介电周期场.这种物理环境为各种光电材料中光物理过程和光电性质的调制提供一种新的可能性.本文综合分析了光子晶体调制下光功能材料的自发辐射、能量传递、太阳能电池的光电转换效率、光催化等几个方面研究现状及其应用.     

层状硫化锌的溶剂热法制备

以乙酸锌Zn(CH3COO)2.2H2O为锌源、硫脲SC(NH2)2为硫源、水与乙二胺的混合溶液为反应溶剂、十二烷基磺酸钠C12H25SO3Na形成的胶束为模板,利用溶剂热法制备了具有层状微观形貌的ZnS粉体材料。利用XRD、SEM、EDS等测试手段进行表征,结果表明,所得ZnS粉体材料结晶良好,层状形貌明显;层状ZnS粉体材料在435nm附近有较宽的发射峰,且发光性能明显优于球状ZnS粉体材料。     

负载型抗氧剂的制备及应用研究进展

如何有效克服小分子抗氧剂热稳定性低,易迁移及耐抽提性能差等缺点,是抑制高分子材料及其制品老化现象所亟待解决的关键问题之一。其中,采用化学法将小分子抗氧剂接枝到无机材料表面或聚合物分子链上制备负载型抗氧剂是一条重要的解决途径,已成为抗氧剂领域的研究热点。文中详细介绍了近年来通过无机材料和聚合物(低聚物)为载体制备负载型抗氧剂的方法及应用研究进展,总结了负载型抗氧剂的特性,提出了目前负载型抗氧剂研究面临的问题。     

溶剂热条件下制备ZnS纳米晶及其光学性质

以醋酸锌和硫脲为原料,采用溶剂热法分别以有机小分子的一元胺(甲胺、乙胺、正丁胺)和多元胺(乙胺、二乙胺、三乙胺)为介质合成ZnS纳米粉体,通过XRD和SEM对所得ZnS粉体进行了表征,研究了不同介质对所得ZnS粉体的晶相组成、颗粒尺寸及形貌的影响.结果表明,在单胺体系中,随着碳链的增长,ZnS粉体六方相的生长趋势渐弱;在伯仲叔胺中,随着与氨基相连的碳原子上氢原子的减少,六方相的生长趋势渐弱,在三乙胺中甚至出现了立方ZnS的特征峰.荧光光谱的研究表明,从伯胺到叔胺,其发射峰发生少量的红移,从乙胺溶液中的450nm附近红移到三乙胺溶液中的500nm附近.     

多孔锰氧化物材料的制备与性能研究进展

孔径从微孔到介孔的多孔锰氧化物材料有多种制备方法.不同的制备方法,材料的性能有所不同.多孔锰氧化物材料在可充锂电池、高级分离技术、化学传感、催化以及环保等领域有潜在的重要应用价值.综述了多孔锰氧化物材料在结构、制备和性能等方面的研究进展.     

硫化锌纳米线的合成和表征

采用化学气相沉积法,以Zn(S2CNEt2)2为单源前驱体,Au为催化剂,在不同的温度下,得到了不同直径的六方相ZnS纳米线.在此基础上,改用Ni为催化剂,得到碳纳米管;改用单质S和Zn为原料,则得到立方相ZnS纳米线.在一定程度上实现了对ZnS纳米线的粒径和物相的控制合成,实现了利用催化剂对ZnS纳米线和碳纳米管的选择性合成.用X-射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和能量分散光谱(EDS)对合成产物进行了表征.     

纳米金属/TiO2复合材料的制备及应用研究

综述了制备纳米金属/TiO2复合材料的方法,主要包括溶胶-凝胶法、脉冲电沉积法、离子注入法、光沉积法等,分析了这些方法的制备原理、优缺点及金属对TiO2性能的影响,阐述了纳米金属/TiO2复合材料在催化剂、气敏传感器、光裂解水、锂离子电池等方面的应用研究,并对今后金属/TiO2复合材料的研究方向提出了一些建议.