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研究了在非离子表活性剂Tween-80存在下,Pt与硫代米酮(TMK)的显色反应,试验结果表明.在pH3.43~3.34的HAc介质中,Pt与TMK生成稳定的紫红色络合物。λmax=525~530nm,摩尔吸光系数ε=1.6×10 ̄5L·mol ̄(-1)·mol ̄(-1)·cm ̄(-1),0~10μgPt/10ml服从比尔定律。 相似文献
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本文研究了锗(Ⅳ)在混合离子表面活化剂(CPB、TritonX-100)存在下与P-CIPF形成多元配合物的显色特性。在1.5-4.0mol/LH_2SO_4介质中,Ge(Ⅳ)-P-CIPF-混合离子表面活化剂生成橙红色配合物,最大吸收波长(λ_(max))位于515nm处,其摩尔吸光系数为ε_(515)=2.8×10 ̄5L·mol ̄(-1)·cm ̄(-1)。配合物的组成比为Ge:CIPF=1:3(在混合离子表面活化剂存在时)。在0-12βμg/Ge50mL范围内符合比尔定律。本法具有良好的选择性,完全不经分离或富集。已成功地用于直接测定人参、枸杞、当归、大蒜和锅炉烟尘中的微量锗。 相似文献
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在氯化十六烷基吡啶(CPC)和吐温-80(Tween-80)存在下,Ti(Ⅳ)同抗坏血酸(VC)和茜素红S(ARS)于pH4时能形成红色的四元混配胶溶配合物。用等摩尔连续变化法和平衡移动法等确定了配合物的组成:Ti(Ⅳ):VC:ARS:CPC(Tween-80)=1:1:2:4。多元配合物在波长510nm处具有最大的吸收。显色反应的灵敏度限高,摩尔吸光系数达6.5×16 ̄4L.mol ̄(-1)·cm ̄(-1)。Ti(Ⅳ)浓度在0~10μg/25ml范围内遵循比尔定律。方法可用于某些钢铁、铝合金中微量钛(0 相似文献
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本文提出了以新合成的试剂N-烯丙基-N'-(氨基对苯磺酸钠)硫脲(ASATu)为显色剂,光度法测定微量铜的新方法。在pH4.0的弱酸性溶液中,铜(Ⅱ)与ASATu形成配合物的最大吸收波长为3乙4nm,表观摩尔吸光系数ε_(334)=3.42×10 ̄4。铜量在10~70μg/25ml范围内呈线性关系,相关系数r=0.9999。铜(Ⅱ)和ASATu配合物的组成比为1∶3。常见离子除Fe ̄(3+)、Ag ̄+、S ̄(2-)外,均无干扰。该法简单、灵敏度高,选择性好。对合成样品、食品及生物试样的分析和回收实验,均获 相似文献
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合成了新显色剂5-(4-乙酰氨基苯偶氨)-8-(2,4-二硝基苯)氨基喹啉(AAPDNAQ),并进行了红外光谱和元素分析检验。AAPDNAQ在pH为2.8~3.8的缓冲溶液中与Pd(Ⅱ)形成紫色红配合物。其Pd(Ⅱ)与AAPDNAQ组成比为1:4,表观摩尔吸光系数为ε=1.49×10^5L·(mol·cm)^-1。钯的质量浓度在0~800μg/L范围内符合比尔定律,已用于催化剂等样品中微量钯的测定 相似文献
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合成并鉴定了二安替比林基─(2─溴)苯基甲烷(DAOBM),研究了它与钒(Ⅴ)的显色条件。在Tween─80和Mn(Ⅱ)存在下,DAOBM与V(Ⅴ)在H3PO4(1+10)介质中生成橙色产物,λmax=490nm,ε=1.55×106L·mol-1·cm-1,V(Ⅴ)的浓度在0.1~0.9μg/25ml范围内符合比尔定律。方法用于中草药和矿样中钒的测定,结果满意。 相似文献
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研究了吐温40-KOH-Os(Ⅳ)化学发光新体系,发现丙酮等有机溶剂对该化学发光反应有很大地增敏作用。锇量在1.0×10^-8~1.0×10^-6g/ml范围内,发光强度与锇量成正比。方法在检出限为1.1×10^-10g/ml;对于1.0×10^-7g/ml的Os(Ⅳ)重复11次测定发光强度的相对标准偏差为2.2%。 相似文献
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对MNA-TBP从盐酸介质中萃取Ir(Ⅳ)作了研究。结果表明:MNA-TBP对Ir(Ⅳ)萃取有协同效应。当MNA和TBP在正辛烷中的浓度各为0.45mol/L,待萃液中HCl总浓度为4mol/L,铱浓度为173.13μg/ml,相比为1时,协萃系数R为2.33,协萃合物的组成为(MNAH)^+.IrCl6^2-.(HTBP)^+。 相似文献
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在聚乙烯醇(PVAVA)存在下,铱与钼酸盐和罗丹明B(RB)形成离了缔合物。缔台物的最大吸收位于570nm摩尔吸光系数ε8.36×10 ̄5’L·mol ̄-1·cm ̄-1,服从比尔定率范围为0~2.75μglr/25ml。测定2.0μg铱的相对标准偏差为2.5%(n=7),检出限43n/ml(n=12)。测定铱的适宜条件为CHClO_4=0.93mol/L,C_MoO ̄2-_49.0×10~-4mol/L,C_RB=3.3×l0 ̄-5mol/L,PVAO08%。试验了30多种共存离子的影响,除形成杂多酸元素 相似文献
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以C-V测量、击穿电压测量并结合逐层腐蚀技术,对GaAs外延多层结构的剖面分布进行了测量,获得了GaAs(100)晶片在不同温度下的H_2SO_4-H_2O溶液中的腐蚀速度数据。结果表明,当H_2SO_4:H_2O_2:H_2O=9:1:1时,对n=1.10 ̄(14)~1.10 ̄(18)cm ̄-3的GaAs(100)晶片,20℃时的腐蚀速度为v=0.3~0.9μm/min.作者认为,这一配方对GaAs(100)多层结构是一个最为理想的减薄腐蚀剂。 相似文献