ICP-AFS法测定铁矿石中钒、钛、铝、铜、锰、砷的研究

提出了用ICP-AES法同时测定铁矿石中钒，钛，铝，铜，锰，砷元素的分析方法。选用元素最佳分析谱线和仪器合适的工作条件测定，RSD〈3％，回收率在95％～105％之间。本法测定铁矿石中钒，钛，铝，铜，锰，砷含量的分析误差和精密度符合GB／T6730的技术要求，结果令人满意，方法快速、简便。     

钼精矿、钼焙砂中钴、镍、镁、铜、钙的连续测定

在硝酸-高氯酸介质中，采用原子吸收光谱法连续测定钼精矿、钼焙砂中杂质元素。在选定的最佳工作条件下测定钴、镍、镁、铜、钙，回收率为95．0-106．4％，相对偏差为1.3-5.8％。该法准确、快速、简便，应用于钼精矿、钼焙砂中钴、镍、镁、铜、钙的测定，结果满意。     

ICP-AES法测定钒铁合金中Al、Mn、Si、P

研究了ICP-AES测定钒铁合金中铝、锰、硅、磷的分析方法。试样经稀硝酸溶解，采用基体匹配的标样绘制工作曲线，直接测定。方法简便、快速、准确，应用于生产实际，效果良好。     

ICP—AES法同时测定Al-Mo合金中的铝、钼、硅、铁

本文采用ICP-AES法对Al—Mo中的铝、钼、硅、铁的测定进行了研究，使用了直接背景校正法，选择了最佳测定条件，测定了各元素的含量，得到较好的精密度和准确度，用于生产实践中结果令人满意。     

ICP-AES法测定萤石中铁、锰、磷的含量

应用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定萤石中铁、锰、磷的含量。试样经硝酸和氢氟酸低温溶解，加入高氧酸冒烟，定容进行测定。同时进行了熔解试剂对测定结果的影响试验，并进行了一系列仪器测定精度及方法回收率试验。     

ICP-AES法测定锌合金中的Al、Pb、Fe、Cd

使用ICP全谱直读等离子体发射光谱仪测定锌合金中的Al、Pb、Fc、Cd等元素，进行了最佳谱线的确定、最佳测定条件的选择，结果证明该方法简便快速，准确度及精密度均达到分析要求。     

仪器法测定煤中碳、氢、氮的含量

使用5E-CHN2200元素分析仪测定煤样中的碳、氢、氮含量，在方法标定、样品测定以及不同称样量对测定结果的影响进行了探讨。对部分煤标准样品和普通煤样进行测定，以验证本测定方法的精确度和准确度。结果表明：在精确度试验中，煤标准样品中碳、氢、氮含量的测定结果相对标准偏差(RSD,n=10)在0.07%～0.68%;在准确度试验中，煤标准样品中碳、氢、氮含量测定结果与其认定值有较好的一致性，普通煤样中碳、氢、氮含量测定值也与使用其它经典方法的测定值基本吻合。本测定方法具有操作简单、分析周期短、准确度高、稳定性好等优点，能够满足煤炭分析领域的实际检测需求。     

选择性螯合滴定法测定铜、锡、锆、汞、钯和铊

提出以DL-半胱氨酸作释放剂，选择性螯合滴定法分别测定铜、锡、锆、汞、钯和铊。已分别用于测定各种合金和矿样中的铜、锡、锆、汞、钯和铊，结果满意。     

离心浇铸制样X射线荧光光谱法测定镍铁中硅、磷、镍、钴

本文采用离心浇铸制样，x射线荧光光谱法测定镍铁中Si、P、Ni和Co的含量，研究了镍铁的制样条件和分析条件，测定其精密度和准确度。该方法测定值与化学值一致性较好，具有准确、快速、精密度高等优点。     

ICP-MS法同时测定硅铁中Ca、Al、Mn、P、Cr

本文用ICP-MS仪直接测定了硅铁中的Ca、Al、Mn、Cr、P的含量。硅铁用HF-HNO3混合酸低温溶解完全后．加入高氯酸除氟，用硝酸溶解盐类，加入内标元素^45Sc，采用内标法，用ICP-MS仪进行测定。讨论了基体铁的影响及硅对Ca测定的影响。该方法的加标回收率为：98．2％～102％；相对标准偏差RSD为1．6％～3．5％。本文所研究的方法具有简便、快速、准确等特点，可用于硅铁样品微量杂质元素的分析。     

某些元素对硅钢性能的影响

介绍了硅钢中某些元素对其性能的影响，并扼要分析了某些元素对硅钢性能影响的机制。其中碳是引起硅钢发生磁时效的重要元素之一，随着硅钢中碳含量的增加，其铁损增加；而硅含量增加能显著降低硅钢铁损。磷、名、铜是主要杂质元素，但适量的磷可提高硅钢的防锈能力。锡和锑均是表面活性元素，它们可使硅钢最终退火织构中｛１１１｝面组分减少，｛１００｝和｛１１０｝面组分增加，从而降低硅钢铁损，提高其磁感应强度。     

一步纳米银催化刻蚀法制备多孔硅纳米线阵列

通过采用一步纳米金属颗粒辅助化学刻蚀法(MACE)成功制备了多孔硅纳米线, 并主要研究了硅片掺杂浓度、氧化剂AgNO₃浓度以及HF浓度对硅纳米线阵列形貌结构的影响规律. 研究结果表明: 较高的掺杂浓度更有利于刻蚀反应的发生和硅纳米线阵列的形成, 这是由于高掺杂浓度在硅片表面引入了更多的杂质和缺陷, 同时高掺杂浓度的硅片与溶液界面形成的肖特基势垒更低, 更容易氧化溶解形成硅纳米线阵列; 在一步金属辅助化学刻蚀法制备多孔硅纳米线阵列的过程中, 溶液中AgNO₃浓度对于其刻蚀形貌和结构起到主要作用, AgNO₃浓度过低或过高时, 硅片表面会形成腐蚀凹坑或坍塌的纳米线簇, AgNO₃浓度为0.02 mol·L-1时, 硅纳米线会生长变长, 最终形成多孔硅纳米线阵列. 随着硅纳米线的增长, 纳米线之间的毛细应力会使得一些纳米线顶部出现团聚现象; 且当HF溶液浓度超过4.6 mol·L-1时, 随着HF酸浓度的增加, 硅纳米线的长度随之增加. 同时, 硅纳米线的顶部有多孔结构生成, 且硅纳米线的孔隙率随HF浓度的增加而增多, 这是由于纳米线顶部大量的Ag+随机形核, 导致硅纳米线侧向腐蚀的结果. 最后, 根据实验现象提出相应模型对多孔硅纳米线的形成过程进行了解释, 归因于银离子的沉积和硅基底的氧化溶解.      

化学腐蚀后的表面状态对硅片Fe沾污的影响

利用不同的酸腐蚀和碱腐蚀条件对硅片进行了腐蚀,分析了腐蚀后的硅片表面状态对Fe沾污的影响.实验结果表明,不同酸腐蚀条件的硅片经过以HF酸结尾的改进型RCA(Radio Corporation of America)清洗法清洗后,表面疏水性增强,相对不易附着Fe离子,而当酸腐蚀硅片表面经过SC-1溶液处理后,表面亲水性增...     

副产SiCl4生产光纤用高纯SiCl4

本文探讨了从生产多晶硅副产物中综合回收利用ＳｉＣｌ４并提纯使其达到生产光导纤维秀的质量要求。ＳｉＣｌ４作为生产光纤光缆的基础原料,其质量好坏直接影响光纤光缆的质量。ＳｉＣｌ４是工业硅原料与ＨＣｌ气体合成产物的一部分,其杂质含量很高。研究探讨光纤用ＳｉＣｌ４中各种杂质元素和其它化合物存在的形态、除去的方法和其对光子传递及光通信的影响和危害,并建立工业化光纤用高纯ＳｉＣｌ４生产线是本文研究的目的。将生     

A study of the purification of metallurgical grade silicon

Purification of metallurgical grade silicon to solar grade silicon has been investigated by acid leaching of pulverised silicon and by copper alloying processes. The acid leaching process involved refluxing silicon with aqua regia and HF. Leaching with HF was found to be more efficient than leaching with aqua regia. The copper alloying process, which involved melting silicon in the presence of copper, electroextraction of copper (for reuse) from CuSi alloys and acid washing of anode slime, was also found to yield silicon of suitable purity.     

Silicon microsegregation and first stage graphitization in white cast irons

The distribution of silicon in a series of as-cast white irons containing up to 3.25 pct Si and from 2.39 to 3.94 pct C was studied using electron probe microanalysis. The silicon content of the proeutectic austenite dendrites is a linear function of the silicon content of the alloy. The periphery of these dendrites is richer in silicon than the core due to the rejection of the element from the cementite formed during eutectic solidification and the enrichment is most pronounced at slow rates of solidification. It was also firmly established that silicon is present in the eutectic cementite, the level increasing with solidification rate and with the silicon content of the alloy. The nonuniform distribution of silicon persisted for a large part of a graphitization anneal. The effects of the silicon in the cementite and at the austenite-cementite interface on the nucleation of graphite during first stage graphitization are discussed in terms of the thermodynamics of graphitization.     

工业硅还原剂木炭的替代研究进展

分析了工业硅的生产原理,并结合工业硅冶炼对还原剂的要求,列出适合工业硅生产的常见还原剂.综合论述了数十年来国内外专家学者对工业硅还原剂替代的研究成果.最后提出现阶段我国工业硅生产中还原剂替代倘存的一些问题.     

取向高硅钢的制备与表征

采用粉末包埋法对成品Si的质量分数3 %的取向硅钢进行固体渗硅和扩散退火,并对样品的组织、物相、织构和磁性能进行测试分析。结果表明：在800 ℃、硅粉+（质量分数0.5 %）卤化物+填充剂的条件下,在较短的时间（10 min）内即可在Si的质量分数3 %的取向硅钢上制备出表面平整、内部致密、与基体结合良好的渗硅层;经过扩散退火后,Goss织构能够完全保留下来,同时高频铁损显著降低（37 %~63 %）。证明固体渗硅技术可以制备出磁性能优异的取向高硅钢。     

Fuzzy Prediction of Silicon Content for BF Hot Metal

Therearemanyfactorsinfluencingthequality ofhotmetalinBFprocess.Themostimportant threefactorsarehotmetaltemperature,hotmetal siliconcontentandslagbasicity[1].Siliconcontentis animportantfactorreflectingthestateofthelower partofblastfurnaceforblastfurnaceop…     

Liquidus of Silicon Binary Systems

Thermodynamic knowledge about liquid silicon is crucial for the production of solar-grade silicon feedstock from molten silicon. In the current study, liquidus for silicon binary alloys is formulated using a previously developed method in which the liquidus curve is calculated using two constants. The liquidus measurements for the silicon portion of the silicon alloys with Al, Ca, Mg, Fe, Ti, Zn, Cu, Ag, Au, Pt, Sn, Pb, Bi, Sb, Ga, In, Ni, Pd, Mn, and Rh are reviewed, and the consistent data were used to determine the liquidus constants. The liquidus curves for silicon binary systems are calculated and plotted. It is indicated that the calculated liquidus curves fit well with the experimental data. A correlation between the determined liquidus constants is also observed, which can be used to gain a better understanding of the thermodynamics of the silicon binary melts.