MCM-D多层金属布线互连退化模式和机理

介绍了MCM-D多层金属互连结构的工艺及材料特点，并就Cu薄膜布线导体的结构特点和元素扩散特性。说明了多层布线互连退化的模式和机理，以及防止互连退化的技术措施，实验分析表明，Au/Ni/Cu薄膜布线结构的互连退化原因是，Cu元素沿导带缺陷向表层扩散后，被氧化腐蚀，导致互连电阻增大，而Cu元素在温度应力作用下向PI扩散，导致PI绝缘电阻下降。     

薄膜多层布线的工艺优化

本文对薄膜多层布线技术中介质界面及介质通孔进行研究，分析讨论了介质表面状 及通孔的填充对薄膜多层布线的影响。     

多层布线技术

以布线材料，布线工艺，布线平坦化技术以及影响布线质量的因素等几个方面详细讨论了多层布线技术，并讨论了当前多层布线技术面临的问题。     

扫描电镜在多层布线技术中的应用

论述了扫描电镜技术在ＶＬＳＩ多层布线技术中的应用。扫描电镜技术为层间介质膜的制备、介质膜表面平坦化及介质通孔的干法腐蚀结果，提供了清晰的照片，有效地指导了多层布线的工艺并获得了用于ＶＬＳＩ的最佳化多层布线工艺条件。     

0.25μm结构多层布线互连的间隙填充技术

随着集成电路设计规则正在向0．25μm缩小，提出了改进窄间隙填充、局部平坦化的工艺技术的要求。各种间隙填充淀积和深腐蚀（etchbcck）技术，当图形尺寸缩小到0．35μm左右时。使电路成本和／或族性能受到了影响。直至最近。旋转涂复的硅氧烷（SOG）在0．8μm器件设计规则下．在狭窄的金属间隔（≤0．4μm）中开始观察到空穴时也已经达到了间隙填充的极限。但是，现在已有新的SOG系列（AlliedsignalAccuglassT－14）使间隙填充工艺适用于0．25μm设计规则。一、间隙尺寸金属一互间距随每个设计规则而变化（表1）。间隙尺寸与CVD-1五…     

一个多层VLSI/PCB布线通孔最小化的神经网络方法

本文提出了一个基于Ｈｏｐｆｉｅｌｄ网络的ＶＬＳＩ／ＰＣＢ多层布线中的有约束通孔最小化方法。在线段交叠图模型的基础上，提出了相邻矩阵，交叠矩阵，定层矩阵等概念，利用换位矩阵，将问题映射为相应的神经网络，并构造了该问题的能量函数，从而解决了多层布线的分层及通孔最小化问题，新算法还解决了多层布线分层的管脚约束和相邻约束问题。     

混合多层互连技术的研究

本文主要通过多层陶瓷与薄膜多层界面状况，通孔的形状及通孔填充条件，对混合多层布线中的互连技术进行探讨，论述了实验中遇到的问题及相应的解决方法。     

VLSI／ULSI集成电路多层金属互连技术

随着半导体微电子器件制造技术迅速发展，多层金属互连技术对于提高器件集成度、速度和可靠性更为重要，需要不断发展新型多层金属互连结构、材料和工艺，本文介绍近年正在发展的一些多层金属互连新技术，如多层复合金属化体系、Ｃｕ等新型薄膜互连材料，ＴｉＮ在互连技术中的多种用途，新的介质薄膜材料及工艺、平坦化技术等。     

薄膜多层布线工艺分析

薄膜多层布线工艺，采用聚酰亚胺作介质，克服成膜后的“龟裂”、减少通孔的接触电阻和防止“断台”问题，是解决好介质质量的关键。     

LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术

LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM-C/D多芯片组件的关键技术。它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。文章介绍了LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线中介质膜龟裂,通孔接触电阻大、断路,对导带的保护以及电镀前的基片处理等工艺难题。     

基于遗传算法的多层布线有约束通孔优化

文章提出了一种采用遗传算法的多层布线有约束通孔优化算法。算法允许通孔打在任意两层之间, 并使得通孔不在它所穿过的层上与其它线网相交。通过在适应度函数中附加惩罚项, 算法将有约束优化问题转换为无约束优化问题。改进的对称型交配方式加快了算法的收敛速度。另外, 自然编码方式与期望值选择机制也提高了算法的执行效率。实验结果表明本算法不仅优化效果好, 而且收敛稳定和快速。     

集成电路中的多层布线技术

本文参考了国外近期一些有关资料,结合实际经验,对国外目前多层布线的几种方法以及今后发展趋势作了综合论述,同时对国内的多层布线技术的今后发展方向提出一些看法。     

基于拓扑分析的多层通道布线算法

本文提出了一种基于拓扑分析的多层通道布线算法。算法把整个布线过程分成拓扑分层和物理布线两个部分。拓扑分层利用线段交叠图及模拟退火算法解决线段分层及通孔最少化问题，物理布线过程引入虚拟走线道解决交叉问题，再利用轮廓线跟踪的方法来决定最终确定各线段的布线位置。算法还解决了多层布线分层的管脚约束问题和相邻约束问题。实验结果表明，这是一种有效的方法。     

中国集成电路多层布线工艺技术的实践及发展方向

本文结合我公司双层布线工艺技术的自我实践及我公司与日本富士通公司技术合作的成果，再引用当今世界上最先进的CMP多层布线技术，来阐述我国集成电路双层布线技术的实践及发展方向。     

一种基于神经网络的多层通孔最小化方法

在多层布线的线段－相交图模型基础上，利用Ｈｏｐｆｉｅｌｄ人工神经网络理论，通过反通孔数目这个优化目标与Ｈｏｐｆｉｅｌ网络能量函烽相联系的方法来解决多层布线通孔最小化问题。算法考虑了许多来自实际的约束。     

通用多层区域布线算法

文中提出了一种多用途的ＶＬＳＩ多层区域详细布线算法，该算法使用模拟进化技术进行拆线重布线，对单一网使用改进型多层迷宫算法进行布线。实验结果证明，运算法能得到较好的布线。