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IGBT全自动装片机是用于IGBT制造封装业中的后道封装工艺-固精工序。传统的封装工艺采用两台设备经过两次装片,两次加热,容易造成两次氧化的工艺、应力二次释放等问题。文章讨论的IGBT装片工艺是在一台设备上完成双芯片键合和焊料封装工序,实现IGBT器件的高速、精确装片,为了实现本工艺采用了双抓取、双Wafter平台技术,双识别、双监控系统等多项高端技术。文章从IGBT全自动装片机研究的必要性、工艺的创新性、可行性等几个方面进行了分析。 相似文献
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杜椿楣 《电子工业专用设备》2012,41(7):15-18
随着市场经济竞争激烈,提高产品质量及合格率、降低成本是企业关注的核心问题。IC封装过程中的来料数和实际装片数之差即CV,这个数字客户一般仅给0.5%的控制。正常情况下,只要我们设备、检测系统没有问题,这个数值应该可以保证。但实际操作过程中,会发生或短缺很多(需要赔偿客户),或废品很多(影响封回率),影响这一数值的关键部位就是———漏晶检测系统。 相似文献
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《电子工业专用设备》2015,(3):63
适用DIP、SSOP、SIP、TSOP、QFP、LQFP、TSSOP。SOT89、SOT223、QFN等系列的封装,可实现多排或单排,统一步距与多步距上芯。最大WAFER尺寸:150~300mm可处理芯片规格:0.3mm×0.3mm~5mm×5mm可处理多芯位/阵列式框架和下凹的框架自动吹通吸嘴的阻塞物芯片漏捡检测和重捡功能配备多顶针系统具备引线框架防反功能绑定速度UPH≥12K(采用SOP8L框架,1.0mm芯片) 相似文献
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真空烧结工艺应用研究 总被引:1,自引:1,他引:0
在功率混合集成电路中,对功率芯片的组装要求热阻小和可靠性高,在这方面传统的芯片组装方法如银浆导电胶粘结或者回流焊接往往不能满足要求.介绍了功率芯片的一种新的组装工艺--真空烧结工艺,并对工艺实施过程中影响质量的因素以及解决办法进行了论述.通过试验和生产验证,证明真空烧结工艺解决了生产中存在的空洞较多和热阻较大等质量隐患... 相似文献
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车载IGBT器件封装装片工艺中空洞的失效研究 总被引:1,自引:0,他引:1
IGBT芯片在TO-220封装装片时容易形成空洞,焊料层中空洞大小直接影响车载IGBT器件的热阻与散热性能,而这些性能的好坏将直接影响器件的可靠性。文章分析了IGBT器件在TO-220封装装片时所产生的空洞的形成机制,并就IGBT器件TO-220封装模型利用FEA方法建立其热学模型,模拟结果表明:在装片焊料层中空洞含量增加时,热阻会急剧增大而降低IGBT器件的散热性能,IGBT器件温度在单个空洞体积为10%时比没有空洞时高出28.6℃。同时借助工程样品失效分析结果,研究TO-220封装的IGBT器件在经过功率循环后空洞对于IGBT器件性能的影响,最后确立空洞体积单个小于2%,总数小于5%的装片工艺标准。 相似文献
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采用引线框架和压模工艺,用低成本的塑料管壳封装一个芯片的集成电路相对地要容易一些。然而,对于特定的功能要求一个以上的器件的封装来说,就不那么容易或廉价了。本文介绍的组装技术适用于塑料封装多芯片电路的大批量、低成本生产。 当电路功能需要两个或两种以上芯片加工工艺时,采用多芯片电路是很有利的。例如,一个混合的数字/模拟电路,其数字部分可能要求CMOS电路,而模拟或线性功能则需要双极型电路。诚然,现在已经有了能把 相似文献
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随着市场需求的不断变化,客户对于产品质量和设备效率的要求越来越高。如何提高设备效率,不让一个工序成为瓶颈而影响到整条生产线的生产周期,成为公司技术人员不得不面对的问题。详细描述了关于ESEC 2008HS装片机的手动Downset的改造计划。此改善旨在提高设备效率的同时也节约成本,并且降低工艺和维修人员的操作难度。通过多方多次对实际效果的确认,结论为确实达到了预期目标。 相似文献
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本文阐述了开发单片微波集成电路(MMIC)和多芯片组装的当前工作与进展,采用MMIC和多芯片组装可获得低成本、满足性能要求的有源电扫阵列(AESA)。本文还讨论了MMIC的成本与开发因素、组件的成本与开发考虑事项,以及整个阵列的成本与开发考虑事项。 相似文献
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本文探讨并验证了IC封装工序装片后烘烤过程的机理,结合烘烤后失重曲线的分析,重新设计了烘烤升温曲线(烘烤固化)、氮气保护(防止铜材氧化)、抽风(排出挥发物)等工艺参数。验证结果表明,重新设计后的烘烤过程,克服了装片胶挥发污染、铜材氧化这两个对产品可靠性影响最关键的不利因素,降低了装片烘烤工艺对产品可靠性的影响。 相似文献
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