TO─3P(H)(IS)全绝缘封装工艺研究

一、概要绝缘型封装形式是塑封大功率管的发展方向，其突出特点是绝缘性好、气密性高、耗散功率大、用户使用方便。为占领国内高反医大功率管市场，我公司在非绝缘型封装形式TO－3P（H）的基础上，于1992年在国内率先开发了TO－3P（H）（IS）绝缘封装。但是，由于特殊的封装结构，采用正常塑封工艺生产的产品容易产生“背面气孔”，不良品率达到30％以上。对于高价值的大功率管，70％以下的封装成品率是大规模生产所不能容许的。引进国外先进技术和模具设备等也并不现实，因此，必须从大生产的角度出发，对封装工艺进行研究，尽快提高…     

基于 CPU 和 DDR 芯片的 SiP 封装可靠性研究

利用 Abaqus 有限元分析方法分析了温度循环条件下 CPU 和 DDR 双芯片 SiP 封装体的应力和应变分布。比较了相同的热载荷下模块尺寸以及粘结层和塑封体的材料属性对 SiP 封装体应力应变的影响。结果表明，底层芯片、粘结层和塑封体相接触的四个边角承受最大的应力应变。芯片越薄，SiP 封装体所承受的应力越大；粘结层越薄，SiP 封装体所承受的应力越小。塑封体的材料属性比粘结层的材料属性更显著影响 SiP 封装体应力应变，当塑封体的热膨胀系数或杨氏模量越大时，SiP 封装体所受应力也越大。     

塑封固定电阻网络技术和试验

采用塑料密封的固定电阻网络是电子元器件的新型封装技术，本文给出了技术要求和试验方法，并对HB0103B型塑封电阻网络（参照国外产品）的主要技术参数进行试验，结果证明国产化塑封固定电阻网络达到了JISC5202标准（日本）。     

基于扇出型封装塑封材料性能的表征研究

扇出型封装在塑封过程中会出现芯片偏移及翘曲等缺陷,详细了解环氧塑封材料(EMC)的特性能够准确预测封装材料、结构、塑封工艺对塑封效果的影响。针对用于扇出型封装的EMC材料采用动态机械分析仪、差示扫描量热仪、流变仪测试其动态力学性能、固化动力学性能、流变学性能和热容,并建立可用于有限元分析的材料特性数学模型。结果表明,EMC在150℃等温固化60 min后具有最少残余固化;100℃环境下黏度随温度增加速率最快;时温等效原理可预测实验频率以外的力学行为。模型曲线与实验数据的拟合优度均大于0.982,材料表征模型满足准确性与适用性的要求。     

半导体塑封压机的自动化工艺技术应用

为了解决人工操作重复性劳动、提升产品品质和提高效率，通过设计塑封压机自动化工艺流程，设计自动化子单元设备解决产品关键环节工艺问题，实现了塑封压机封装整个工艺流程的自动化；完成了从引线框架上料到封装产品收集装入弹夹整个工序流程自动化；完全实现了塑封压机MGP模自动化生产的工艺流程。     

塑封集成电路离层对可靠性的影响及解决方法

塑封集成电路因其是非气密性封装,封装材料热膨胀系数的不同以及被粘接材料表面能低,是造成塑封电路离层或开裂的内部原因。通过选择特殊的封装材料（特别是框架材料）和工艺可以解决离层或开裂问题,大大提高塑封集成电路的稳定性和可靠性。水汽是造成塑封集成电路离层或开裂的外部原因,可以通过驱除和防潮措施来解决。要提升塑封集成电路可靠性,必须从技术和工艺上解决塑封电路离层或开裂问题。我们在这方面做了有益的尝试,取得了良好的效果,为拓展塑封集成电路的应用领域创造了条件。     

塑封器件的耐湿性问题

目前国外集成电路(IC)封装的主流是塑料封装,而且最常用的是环氧树脂低压递模法(transfer molding)的树脂封装.IC80%,分立器件90%以上,民用器件几乎100%采用塑料封装.其中环氧塑封占90%,硅酮塑封已退居次要地位.这种变化是由于管芯制造技术(钝化技术等)的进步和塑封材料可靠性的提高,日益扩大了塑封的适用范围.国外64KDRAM原来完全采用陶瓷封     

VLSI塑料封装失效分析与控制方法研究

塑封VLSI由于其固有的弱点,在应用过程中封装失效成为其重要的失效模式之一。通过大量的塑封VLSI失效分析实践,针对VLSI塑料封装失效,进行了快速定位技术的研究,总结出一套简化的失效分析程序。同时从引起塑封VLSI封装失效的根本原因入手,探讨了避免塑封VLSI封装失效的控制方法。     

表面安装塑封体吸湿性引起的开裂问题及其对策

随着SMT 封装技术的发展,表面安装型塑封体由于吸湿性引起的开裂问题越来越突出。本文主要对表面安装型塑封体(如SOP、PLCC、PQFP、PBGA 等)在回流焊时吸湿开裂机理以及相应对策等进行讨论分析。     

PBGA封装的热应力与湿热应力分析比较

塑封球栅平面阵列封装作为一种微电子封装结构形式得到了广泛的应用。本文采用有限元软件分析和计算了在潮湿环境下塑封球栅平面阵列封装的潮湿扩散分布，进而分别模拟计算了它的热应力与湿热应力，并且加以分析比较。     

塑料封装内涂料的选择

由于塑料封装不同于金属管壳封装,因此对内涂料的要求也不同。本文分析了塑料封装对内涂料的特殊要求;介绍了几种内涂料的性能及实验比较。结果表明,GN521胶是目前较为理想的一种半导体器件塑料封装内涂料。并探索了如何正确使用GN521胶于半导体器件的塑封工艺之中。最后,还介绍GN521胶在WB306型VHF/UHF硅电调谐变容管中使用,塑封成品率可达90％左右,可靠性高,稳定性好。     

IPC就无铅化制造设计主办研讨会

根据欧盟的相关指令，2006年7月起，包括电子组装在内的相关有害材料将被禁止。电子元件制造商要将产品销往全球，就必须改革制造工艺，包括电镀、原料、塑封等。印制电路板的表面封装因而比过去要求严格。由于可行的解决方案需要增强曝光能量，印制板的绝缘介质、塑料元件和一些相关的要素都必须重新评估。     

TO系列塑料封装离层探讨

文章研究了TO系列塑料封装功率器件产品产生离层的原因。同时,研究了TO系列塑料封装功率器件产品在上芯、压焊、塑封工序中的原材料、塑封模具、工艺参数等对离层的影响,并通过SAT图片,对影响离层的因素进行了论证,提出了如何预防或减轻TO系列塑料封装产品离层的产生。实验结果表明:塑封工艺参数的合理选择、塑封模具结构的合理选用、塑封料优选对TO系列塑料封装离层有较好的改善作用,并且在塑封生产线上易于实现。文章在这些方面做了相关尝试,取得了较好的效果。     

塑封双极型功率晶体管的失效与案例分析

由于其自身的结构与封装形式,塑封双极型功率管存在很多可靠性问题.介绍了塑封双极型功率晶体管可靠性问题及失效机理,包括封装缺陷、粘结失效以及由于温度变化而引起的热应力失效和由于吸入潮气而导致的腐蚀失效.通过剖析一晶体管的失效机理,给出了对此类晶体管失效分析的方法和思路.讨论了晶体管存在异物、芯片粘结失效和热应力失效等失效模式.     

塑封IC的防潮与烘干

既然塑封IC是非密闭的，必然受潮湿的侵害而最终导致损害和失效。塑封材料能吸收足够的水分，而在高温下如：热风再流或波峰焊的情况下导致潮湿敏感元件的开裂，因为封装的开裂声是可以听得见的，所以这种现象称为爆米花现象。对于在电路板上的封装元件来说都要经过高温和过快的温升，这一热载荷将导致爆米花现象的发生。特别是再流过程使封装受热，如：红外加热、热风焊、汽相焊。     

功率器件自动控温定位塑封系统的设计

为了满足功率器件不同封装形式可靠性和稳定性的需求,对功率器件封装的塑封系统进行研究。设计塑封压机集成接口和PLC温度控制电路,实现功率器件塑封压机温度控制;研发光电传感器、接近传感器以及螺旋测试头集合形成的塑封模具定位传感结构,结合PLC定位电路设计,实现了功率器件塑封模具定位。对关键的PLC和触摸屏组合控制系统进行了探索,系统已投入实际应用,效果良好。     

JQX-72F小型大功率电磁继电器

JQX-72F继电器具有体积小、耐压高、切换能力强、安装方便、塑封型封装型式等特点。介绍该产品的原理、结构、技术性能参数。     

晶体管塑封缺陷分析及对策

晶体管塑封缺陷分析及对策成都国营９７０厂王礼贤（成都６１００５１）引言晶体管的封装形式有：塑（料）封（装）金属封装，陶瓷封装……等。其中塑封为大量采用。塑封晶体管的塑封──切筋工序对模具及操作工艺技术要求很高，此工序又是成品前的最后工序之一，若出了质...     

我国半导体封装业面临的形势和思考

半导体封装形态已由常规的SIP（单列直插式封装）到DIP（塑封双列直插式封装）等低价封装形式向小型化的SOP、PLCC、QFP、PGA方向发展，再向SSOP、TSOP、QFN、TQFP、WBBGA、MCM发展、再向CSP、WLCSP、PKG、3D、QFN／SON、SiP-BGA、3D-SiP等发展。也就是说：半导体IC、TR产品的封装形式向轻、薄、短、小发展，引线脚由低脚数的DIP、SO等逐渐转向UBGA及FC-CSP等CSP类型封装、     

飞思卡尔推出坚固耐用的塑封型功率放大器——用于无线基础设施器件的传统塑封,首次在业界应用于严酷的工业环境

正2014年6月3日讯:飞思卡尔半导体日前推出专为坚固耐用型应用而设计的首款塑封器件,继续保持在射频功率技术领域的长期领导地位。新款MR-FE6VP5150N/GN和MRFE6VP5300N/GN功率放大器是业界首个驻波比大于65∶1的额定器件,采用模塑封装。飞思卡尔高级副总裁兼射频部总经理Paul Hart表示:"飞思卡尔已为蜂窝市场的宏蜂窝基站部署了数百万的塑封射频功率晶体管。我们正将我们的射频功率放大器封装专长扩展到工业应用中。我们的塑封产品组合具有最佳耐