怎样设计和验证TRL校准件及具体过程

TRL校准是一种非常精确的校准方式,尤其适用于网络分析仪的非同轴测量.本文详细探讨了有关TRL校准的整个环节,从设计TRL标准件的要求,到设计TRL校准件参数的确定,TRL校准件设计后的验证,以及TRL校准时的具体过程,最后到完成这次非同轴测量,希望能为大家以后进一步研究TRL校准提供相应的参考.     

一种用于大信号测试的矢量校准快速修正方法

大信号测试系统是评估GaN功率器件的非线性特性的重要手段,而精准的矢量校准是获得稳定可信测试数据的第一步。为了解决毫米波频段矢量校准易随时间增加而失效的难题,对不同的校准方法进行了讨论,并以直通-反射-匹配负载(TRM)校准方法为基础,对校准过程中的误差系数随时间变化的趋势进行了数据分析,提出了一种可以实时快速修正校准模型中误差系数的方法。采用这种方法,失效的校准状态可以在1 min内得到快速修正而恢复初始校准状态;矢量校准的时间稳定度与传统方法相比,可延长10倍以上。该方法有力地保证了大信号测试中数据的一致性,可广泛应用于器件建模和电路设计等领域。     

金属真空罐环境下微波测量的校准与实验

介绍了在金属真空罐特殊的实验环境下,微波矢量网络分析仪单端口校准和双端口校准的实现,具体描述了在现有的实验室仪器条件下如何用双端口TRM校准方法来消除系统误差。文中讨论了几种测量方案的可行性,给出了不同校准方法测量结果的比较,并利用校准后的系统测量了电磁波在等离子体中的传输特性。     

一种基于10项误差模型的二端口矢量网络分析仪校准方法

在三通道二端口矢量网络分析仪(Vector Network Analyzer,VNA)的校准过程中,引入长度未知的50欧姆传输线段作为校准件代替常见的短路-开路-匹配-直通(Short-Open- Load-Thru,SOLT)校准算法中的匹配校准件,减少了校准件数量且不需要已知校准件的全部特性,不仅降低了测试成本,同...     

矢量网络分析仪的校准方法

该文简单介绍矢量网络分析仪的工作原理,重点阐述误差修正原理以及与误差修正相关的校准件、校准方法和如何进行校准质量的评估。     

矢量网络分析仪校准方法研究

文章简单介绍了矢量网络分析仪的工作原理和误差修正原理．研究了矢量网络分析仪的校准方法及其适用范围,并探讨了实际校准过程中需要注意的一些问题。     

线性TSM和TRL校准方法中方程的选择

本文分析了校准方程的关系,提出对于互易的测试夹具,使用一个传输标准得到的四个线性方程可以同时用于校准计算.在这个关系的基础上,讨论了TSM(thru-short-match)和TRL(thru-reflect-line)方法中的方程选择.实验和分析表明不同的选择会导致不同精度的结果,校准精度可以通过利用已建立的关系和合适地选择方程得以提高.已建立的理论也可应用于TOM和LRL方法.     

MS4623B矢量网络分析仪校准时消除连接器附加相位的方法

介绍了在MS4623B矢量网络分析仪的校准过程中,如何从实际出发,消除掉连接器的附加相位,从而测试出两端口器件或设备的绝对相位。     

USB／UCB半自动检测与维护系统测量通道校准方法实现

文章研究了USB／UCB半自动化检测与维护系统的测试通道校准方法。该系统测量通道多,而且各自对应不同的RF频率和功率范围。利用矢量网络分析仪溯爨各个测试通道在其对应频段内的衰减,通过线性插值方法拟和其校准曲线。并在实际参数测试时测试结果进行动态补偿。最后以三阶交调测量时的误差修正为例验证了该测试通道校准方法确实可行。     

加速度计的一种校准方法

介绍了有关冲击摆 (单摆与复摆 )的计算方法、产生加速度的原理、加速度的调整与测量方法及其误差分析。冲击摆是在工厂条件下校准加速度计的一种装置。对于低于 50 0 0m/s2的冲击加速度 ,其稳定性和精确度都很好 ;若加速度波形为半正弦波 ,其综合测量误差优于5%。     

通过TRL校准提取管芯S参数的技术

介绍了一种基于TRL法的提取管芯S参数的方法.该方法从TRL校准出发,实际测量得到封装器件的S参数;管芯以外的参量(管壳及键和线)用等效电路表示,最后用微波仿真软件模拟得到管芯S参数.此方法在没有精确的测试夹具条件下,仍可以得到较理想的器件和管芯S参数.实验证明该方法简便、实用性强,可推广应用于不宜直接测量管芯S参数的器件.     

GaN HEMT器件微波噪声模型参数提取

介绍了两种可以用于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件建模的噪声模型,Pu-cel等效电路噪声模型和Pospieszalski温度噪声模型.基于Pucel等效电路噪声模型,介绍了利用器件本征噪声参数推导Pucel噪声模型参数的过程,并且给出了微波噪声模型参数的表达式.利用上述方法,针对200 μm栅宽的GaN HEMT器件,提取了噪声模型参数值,并且在ADS仿真软件平台上建立了GaN HEMT器件的Pucel等效电路噪声模型,仿真结果与实测结果在频率为4～18 GHz带宽内吻合较好,说明提出的噪声模型参数提取方法对于GaN HEMT器件噪声仿真的实用性和准确性.     

基于GaN HEMT的X波段连续波内匹配功率管设计

采用内匹配技术,使用两枚GaN HEMT 晶体管,在X 波段8.0~8.5 GHz 频段内,设计并实现了一种高可靠性、高功率附加效率的功率放大器。基于南京电子器件研究所提供的晶体管及负载牵引数据,并结合“L-C-L”匹配网络以及威尔金森功率分配/ 合成器,对晶体管的输入和输出阻抗进行了相应匹配,使得其端口阻抗均为50 Ω。最终通过两胞合成的方式实现了在目标频段内,栅电压-2.2 V、漏电压24 V,连续波工作状态下,所设计功率放大器输出功率高于20 W、功率增益大于10 dB、功率的附加效率大于49.7%。其中,在8.1~8.4 GHz,该功率放大器功率附加效率超过52%,优于我国现有相近频段内匹配功率放大器的功率附加效率,并通过实验验证了该设计方案的可靠性。     

矢量网络分析仪电子校准件设计与实现

为深入研究矢量网络分析仪校准技术,促进电子校准件低成本、通用化应用,基于通用的射频开关模块和开源的Arduino 控制模块搭建了电子校准件硬件系统;为适应电子校准件的非理想工作状态,基于分式变换特性推导了系统误差项的求解算法。最后利用E5071C 矢量网络分析仪和商用E4431B 电子校准件搭建对比测试系统,并选用移动通信滤波器作为测试对象,验证了所设计电子校准件硬件的正确性和误差修正算法的有效性。此研究成果可为电子校准件低成本、通用化应用提供参考。     

基于 PSO 算法的加速度计快速标定方法

为减少惯性测量组合标定对转台的依赖,降低标定对转台控制精度的要求,在分析传统加速度计模观测迭代标定方法的基础上,提出一种基于粒子群优化算法（PSO）的加速度计快速标定方法。首先,基于模观测思想设计构造目标优化函数,并将其作为 PSO 算法中的适应度函数,实现了标定方法与 PSO 算法的连接;其次,设计了基于最大化观测信息相对于待估计参数的敏感度函数的加速度计标定编排方案;最后,对所提方法与牛顿迭代标定方法进行了对比仿真。仿真实验结果表明,基于 PSO 算法的加速度计快速标定方法具有可行性、有效性,与传统牛顿迭代标定方法相比更具有优越性。     

多晶硅发射极晶体管（PET）Gummel－Poon模型

本文建立了能直接用于ＳＰＩＣＥ电路分析程序中的ＰＥＴ－ＧＰ模型。研究表明：可以采用两种方法来使用ＰＥＴ－ＧＰ模型。本文利用所研究器件的结构参数计算了ＰＥＴ－ＧＰ模型参数β＿Ｆ和特征频率ｆ＿Ｔ，ｆ＿Ｔ的计算和实验结果符合较好。β＿Ｆ的计算表明，所研究器件的多晶硅／硅界面复合较强，复合速度Ｓ＿ｐ达到１０￣６ｃｍ／ｓ。     

Si-diffused GaN for enhancement-mode GaN mosfet on si applications

Si diffusion into GaN was studied as a function of encapsulant type (SiO₂ or SiN_x) and diffusion temperature. Using a SiO₂ encapsulant, the Si diffusion exhibited an activation energy of 0.57 eV with a prefactor of 2.07×10⁻⁴ cm² sec⁻¹ in the temperature range 800–1,000°C. An enhancement-mode MgO/GaN-on-Si metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) was fabricated utilizing Si-diffused regions under the source and drain to provide an accumulated channel. The gate leakage through the undoped GaN was low enough for us to achieve good saturation behavior in the drain-current-voltage characteristics. The devices showed improved transconductance and drain current relative to previous devices with Si-implanted source/drain regions.