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超细BaTiO3和掺钇半导BaTiO3陶瓷的溶胶—凝胶法制备及其表征 总被引:14,自引:7,他引:7
采用溶胶-凝胶法制备了平均粒径小于30nm的超细BaTiO3和未见文献报道的掺钇超细BaTiO3,并用X-ray粉末衍射分析和化学分析对它们进行了表征;用TG-DTG-DTA和IR对“BaTiO3”干凝胶的热分解历程进行了研究;用一般陶瓷工艺制得了掺钇半导钛酸钡陶瓷并对其室温电阻率与钇含量以及烧结温度的关系进行了讨论。 相似文献
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本文采用空气氛化Fe(CO_3)_x(OH)_(2(1-x))悬浮液体系,控制体系的pH和掺入适量的钇元素,合成出纳米级铁黄γ-FeOOH微晶。由DTA-TG和XRD分析得出,由γ-FeOOH直接脱水得到的γ-Fe_2O_3样品,具有很好的热稳定性,其γ-α相变温度可达725℃,且粒径为纳米级,并具有很好的气敏灵敏度和选择性。600℃烧结的气敏元件,对液化石油气(LPG)的灵敏度S大于70;而在700℃下烧结的元件,对C_2H_2灵敏度S大于40;它们均对选定测试的气体CO、H_2、汽油(Petrol)。C_2H_2和LPG有很好的选择性。 相似文献
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以分析纯的乙酸钡和钛酸正四丁酯为前躯体溶液,冰乙酸为溶剂,乙酰丙酮为稳定剂,采用溶胶-凝胶法在硅基上制备了钛酸钡(BaTiO3)铁电薄膜.研究了BaTiO3铁电薄膜的光致发光性能.结果表明,室温下非晶态的BaTiO3铁电薄膜在蓝光激发下具有很强的光致发光现象.其中,经8h 673K退火处理的非晶BaTiO3铁电薄膜的光致发光性能最佳,当455nm光激发时,非晶薄膜在540~660nm内发出强烈的黄光,峰值波长为580~610nm,峰宽约30nm,发光强度随薄膜的厚度增加而增强.晶态BaTiO3铁电薄膜无任何发光现象. 相似文献
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熔融盐法制备BaTiO_3粉体及Rietveld全谱拟合物相表征 总被引:1,自引:0,他引:1
通过熔融盐法以BaC2O4、TiO2为前驱体,NaCl为熔盐制备了BaTiO3粉体。SEM分析所得样品为立方状颗粒,粒径为50~300nm。采用Rietveld全谱拟合法对其物相组成进行了分析,并通过变温XRD对BaTiO3相变进行了表征。Rietveld全谱拟合结果表明,该方法制备的BaTiO3粉体在室温下是一种四方、立方混合相,质量分数分别为73.9%、26.1%。精修结果的数值判据分别为:加权剩余方差因子Rwp=5.93%、剩余方差因子Rp=4.78%、拟合优值S(Goodnessoffit)=1.53。变温XRD研究表明所制备的BaTiO3粉体具有四方到立方相的相变。 相似文献
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BaTiO3基材料PTCR理论进展 总被引:1,自引:0,他引:1
着重介绍了PTCRBaTiO3材料中的界面析出模型。界面析出模型能比例满意的解释BaTiO3材料中的PTCR效应,但是它是对以往模型的继承和发展。为了更深刻地理解界面析出模型,本文用了分析对比的方法,对各种模型进行了比较。 相似文献
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柠檬酸盐法低温合成BaTiO3微粉的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
通过柠檬酸的铬合作用,配制稳定的柠檬酸钡钛溶液,进行制备BaTiO3微粉的研究,提出了一套简便、适合于实验室的新的BaTiO3微粉制备技术与方法,初步揭示了柠檬酸钡钛的热分解历程。通过这一方法,可以在600℃的合成温度下获得细颗粒、分散性好、纯净的BaTiO3微粉。 相似文献
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原料颗粒度对BaTiO_3陶瓷晶粒大小及PTC效应的影响 总被引:8,自引:0,他引:8
通过研究原料颗粒度对 BaTiO_3 PTC 陶瓷晶粒大小的影响,提出并讨论了 BaCO_3和 TiO_2的固相反应模型。在生成 BaTiO_3的固相反应中,首先在 BaCO_3和 TiO_2颗粒之间生成少量 BaTiO_(?),隔离了 BaCO_(?)和 TiO_2的接触,从而阻止反应进行,但离子的扩散可使反应继续进行。在扩散过程中,Ba~(2+)的扩散为主,Ti~(4+)的扩散被抑制而可忽略。根据模型,生成的 BaTiO_3颗粒大小主要由 TiO_2原料的颗粒度决定,与 BaCO_3关系较小。所以 BaTiO_3陶瓷的晶粒大小及其 PTC 效应受 BaCO_3颗粒度的影响较小;在生产中为控制陶瓷晶粒大小,选择 TiO_2原料颗粒度是十分重要的,而 BaCO_3则次之。 相似文献
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研究了 BaTiO_3基陶瓷电容器材料掺杂稀土元素对介电常数,热稳定性和介电损耗的影响。分别在 Ba-TiO_3ZnNb_2O_6中加入稀土氧化物 CeO_2、Sm_2O_3、Dy_2O_3等,测量了它们的介电常数和介电损耗及其与温度的关系(ε~T、tanδ~T),比较了三种稀土氧化物对陶瓷材料介电性质的影响,得到了一些有益的结果。 相似文献
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LaAlO3/BaTiO3超晶格薄膜的生长及结构分析 总被引:1,自引:0,他引:1
采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向的SrTiO3 单晶基片上成功外延生长了LaAlO3/Ba TiO3 超晶格薄膜。在超晶格薄膜生长过程中,采用高能电子衍射技术(RHEED)对LaAlO3/BaTiO3 超晶格薄膜的生长过程以及平面晶格变化进行了分析。通过对超晶格薄膜中各层RHEED衍射条纹的分析计算发现超晶格薄膜存在一个临界厚度,其值约为 17nm,当超晶格薄膜的厚度小于该临界厚度时,晶格畸变在逐渐增加,当厚度超过该临界厚度时,晶格畸变因弛豫现象的产生而逐渐减小。超晶格薄膜中不同层的RHEED衍射条纹的差别说明了由于不同应力的作用使超晶格薄膜中LAO层和BTO层表面粗糙度不同。 相似文献