半导体Q－粒子及其纳米相复合功能材料研究

半导体Ｑ－粒子及其纳米相精细复合功能材料的研究得到了越来越广泛的重视。本文结合作者几年来在这一领域所取得的结果，介绍半导体Ｑ－粒子的量子尺寸效应，单分散Ｑ－粒子和复合粒子的制备，Ｑ－粒子的有序组装及其纳米相复合功能材料制备的研究及其进展。     

纳米半导体材料及其纳米器件研究进展

(接上期第21页)4.2.2量子点激光器 应变自组装量子点材料与量子点激光器的研制已成为近年来国际研究热点.应用这种技术已制备出量子点激光器,波长覆盖了近红外和红光波段.1992年Ueno等人报道了单层InGaAs/A1GaAs量子点结构,实现了室温激射,阈值电流密度(Jth)为950A/cm2;1994年俄德联合小组首先研制成功InAs/GaAs量子点材料;1996年Alferov等人研制成功有源区为三层结构 (垂直耦合)的量子点激光器,Jth为680A/cm2;同年Ledentsov等人[24]又报道了10层垂直耦合InGaAs/GaAs量子点结构激光器,室温Jth为90A/cm2;1997年Ustinov等人又报道了Jth低达60A/cm2的量子点激光器,其结果已接近当前最好的量子阱激光器的性能1996年量子点激光器室温连续输出功率达1W,阈值电流密度为290A/cm2,1998年达1.5W;1999年InAlAs/InAs量子点激光器283K温度下最大连续输出功率(双面)高达3.5W.     

纳米半导体材料及其纳米器件研究进展

简单介绍纳米半导体材料的定义、性质及其在未来信息技术中的地位,分别讨论半导体纳米结构的制备方法与评价技术;对近年来纳米半导体材料和基于它的固态量子器件研制所取得的进展、存在的问题和发展的趋势作扼要的综述,最后,结合国情和我国在该领域的研究现状,提出发展我国纳米半导体材料的战略设想。     

一种新型半导体材料—纳米晶硅

一种新型半导体材料──纳米晶硅李建军，魏希文，万明芳（大连理工大学半导体研究室１１６０２３）一、引言继非晶硅、多晶硅、微晶硅之后，纳米晶硅是近几年发展起来的又一种新型半导体材料。纳米固体材料是一种既不同于晶态也不同于非晶态的第三类固体材料，由１～１５...     

纳米半导体材料及其纳米器件研究进展(续)

4 纳米器件研制进展和发展趋势人们预测到2012年硅FET的栅长可达到35nm 或许更小,这很可能是一个临界尺寸。这时不仅要遇到高电场下硅和二氧化硅的雪崩击穿、高集成度时的热耗散问题、体性质消失和掺杂不均匀带来的问题、电子隧穿出现薄氧化层的不平坦以及互联延迟等难以克服等困难,而且随集成度提高,价格迅速下降的规律也将不再成立;其次,开发小于100nm工艺技术所耗资金,也恐难以承受。     

半导体材料的化学功能—光催化技术与环境保护

半导体材料的光催化效应可将光能转化为化学，在环保化工和太阳能利用方面有巨大应用潜力。文章介绍光催化技术的基本原理，实施方法以及在环保领域内的应用前景。对光催化技术实用化过程中的几个重要问题进行了讨论。     

微波介电加热合成半导体CuS纳米粒子

在2％的硬脂酸的丁醇溶液中,以硝酸铜和硫代乙酰胺为源村料,通过微波介电加热合成了CuS半导体纳米粒子,并用XRD、TEM进行了表征。     

纳米半导体材料的制备技术

介绍了纳米半导体材料的定义、性质及其在未来信息技术中的地位,讨论了纳米半导体材料的制备方法。     

ZnS纳米粒子的水热法和溶剂热法制备

选用醋酸锌和硫代硫酸钠为原料,在“活性”水或甲苯中进行氧化－还原反应,制备了质量良好的ZnS纳米粒子。主要探讨在高温和高压的条件下以水或甲苯作为反应介质对ZnS粒子结构和形貌的影响。通过XRD、TEM、DSC等测试手段对ZnS粒子进行了分析。结果表明,所制备的ZnS纳米粒子粒径很小（约20nm),晶粒单一,属于立方晶系,分散性较好,结晶度、纯度较高,活性大,具有良好的应用前景;密闭高压体系有助于纳米粒子的分散和结晶度,产率的提高;与以去离子水作为反应介质相比,甲苯作为反应介质合成的ZnS纳米粒子纯度更高,分散性更好,但成本相应提高,此外,它在乙醇中的稳定性比在去离子水中的稳定性要好,粒子极性相对较低。     

复合氧化物纳米粒子三维自组装的HREM研究

纳米晶以其不同于原子和大块材料的物理、化学性质而受到广泛关注,相关研究极其活跃。颗粒均匀、粒径小于10nm的纳米粒子被称为量子点(QDs)。高极化激发态在光电子领域具有潜在的应用价值。如果将纳米晶组装成具有规则外形和有序排列的中孔材料[1],则可能对微电子、光电子和催化技术等产生深远的影响。因此,纳米晶的制备和组装具有重要的物理意义和广泛的应用前景。目前,已将TiO2、Fe2O3、CdSe、CdS、Ag2S、Au、Ag、Pt等纳米晶进行了组装,但对纳米晶的粒径和分布有严格的限制,即尺度小于10nm,粒径平均偏差小于5%。比较有代表性的纳米…     

稀土掺杂半导体纳米发光材料研究取得新进展

稀土离子和半导体纳米晶(或量子点)本身都是很好的发光材料,二者的有效结合能否生出新型高效发光或激光器件一直是国内外学者关注的科学问题。与绝缘体纳米晶相比,半导体纳米晶的激子玻尔半径要大得多,因此量子限域效应对掺杂半导体纳米晶发光性能的影响变得很显著,从而有可能通过尺寸调     

半导体材料研究的新进展

首先对作为现代信息社会的核心和基础的半导体材料在国民经济建设、社会可持续发展以及国家安全中的战略地位和作用进行了分析,进而介绍几种重要半导体材料如,硅材料、GaAs和InP单晶材料、半导体超晶格和量子阱材料、一维量子线、零维量子点半导体微结构材料、宽带隙半导体材料、光学微腔和光子晶体材料、量子比特构造和量子计算机用材料等目前达到的水平和器件应用概况及其发展趋势作了概述.最后,提出了发展我国半导体材料的建议.本文未涉及II-VI族宽禁带与II-VI族窄禁带红外半导体材料、高效太阳电池材料Cu(In,Ga)Se.CuIn(Se,S)等以及发展迅速的有机半导体材料等.     

Ⅲ—V族磁半导体材料的研究与发展

Mn、Fe等过渡金属元素的Ⅲ-V族磁半导体（DMS）材料和铁磁/半导体异质结材料由于具备半导体和磁性材料的综合特性，可望广泛应用于未来的磁（自旋）电子器件，从而使传统的电子工业面临一场新的技术革命。本文将对上述研究领域进行评述。     

纳米半导体材料的评价技术

简要地介绍了纳米半导体材料表面形貌、位错缺陷的观测手段与方法以及研究量子点的发光行为和光学性质的手段与方法。     

半导体/介质纳米颗粒镶嵌材料的超快激光光谱学

报道了近年来半导体 /介质纳米颗粒镶嵌材料中超快过程的激光光谱学的主要测量方法和技术、探测结果、机理分析和我们的一些见解。     

纳米硫化铜的超声波化学合成及其表征

以硝酸铜[Cu(NO3)2]、硫代乙酰胺(TAA)为原料,用超声波化学法制备了硫化铜纳米粒子。该材料适用于发光二极管、光催化剂和电化学电池。用正交实验法对合成条件进行了优化,其优化反应条件是:超声波频率为20 kHz,沉淀剂为三乙胺,反应时间为70 min。并用红外光谱仪(IR)、X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)对产品进行了表征。CuS纳米粒子尺寸为172 nm。     

半导体纳米结构的光学性质及其应用

1 SiGe/Si基纳米结构对含有Ge和SiGe纳米岛（量子点）的硅基纳米结构的兴趣日益增长，可用它们新近发现的光敏性质和光发射性质来解释，特别是固溶体SiGe是制造中红外(3~5.5 μm)和远红外(8~13μm)区探测器有前途的材料。改变SiGe的成分、厚度和掺杂程度，可以控制亚带内和亚带间红外吸收带的位置和强度（В. С. Аврутин,俄科院微电子学与超纯物质工艺问题研究所）。1992年以前形成这种结构的主要方法是最小尺寸受限制的光刻法。在Si-Ge异质系统块状体中自发形成的纳米岛的整合效应可得到极限尺寸(10~100 nm)的量子点，并导致…     

纳米集成电路用硅基半导体材料

随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡，对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗硅(SiGe)等主要硅基半导体材料的研究进展，讨论了这些材料应用于纳米集成电路和微电子、光电子器件的经济技术前景。