硼对HAl77—2铝黄铜组织和腐蚀性能的影响

利用静态腐蚀、ＸＲＤ、ＩＣＰ和电化学测试等手段研究了加Ｂ、加Ａｓ、Ｂ的ＨＡｌ７７－２铝黄铜的组织和腐蚀行为。结果表明，Ｂ能提高ＨＡｌ７７－２铝黄铜耐蚀性，尤其是抗选择性腐蚀的能力；Ｂ和Ａｓ联合加入，几乎能完全抑制脱锌腐蚀；并给出了ＨＡｌ７７－２铝黄铜中Ｂ的最佳含量。     

硼对HAl77－2铝黄铜组织和腐蚀性能的影响

利用静态腐蚀、ＸＲＤ、ＩＣＰ和电化学测试等手段研究了加Ｂ、加Ａｓ、Ｂ的ＨＡｌ７７－２铝黄铜的组织和腐蚀行为结果表明，Ｂ能提高ＨＡｌ７７－２铝黄铜耐蚀性，尤其是抗选择性腐蚀的能力；Ｂ和Ａｓ联合加入，几乎能完全抑制脱锌腐蚀；并给出了ＨＡｌ７７－２铝黄铜中Ｂ的最佳含量     

MSnO3和MSn0.5Zr0.5O3（M=Sr,Ba）的水热合成

本文利用水热合成方法对ＭＳｎＯ３和ＭＳｎ０．５Ｚｒ０．５（Ｍ＝Ｓｒ，Ｂａ）的合成进行了研究，并采用ＸＲＤ、ＳＥ几ＩＣＰ等进行产物进行了表征，结果表明：在Ｍ（ＯＨ）２．ＳｎＯ２（呈ＳｎＯ２＋ＺｒＯ２）－ＫＯＨ体系中，当ＫＯＨ／Ｓｎ和ＫＯＨ（Ｓｎ＋Ｚｒ）≥３０时，２６０℃下晶化５－７天，可获得ＭＳｎＯ３和ＭＳｎ０．５Ｏ３纯相，在Ｍ（ＯＨ）３－（ＳｎＯ２＋ＺｒＯ３）－ＫＯＨ－Ｈ２Ｏ体系中，可通过控制介质     

等离子喷涂CoNiCrAlWBSi合金涂层的抗腐蚀性能研究

采用大气等离子喷涂法将ＣｏＮｉＣｒＡｌＷＢＳｉ合金镀覆ＧＨ８６４试片上，进行７５０℃，７５％Ｎａ２ＳＯ４＋２５％ＮａＣｌ熔盐腐蚀试验，并和其他涂层进行对比分析，结果表明，ＣｏＮｉＣｒＡｌＷＢＳｉ合金涂层具有较好的抗热腐蚀性能。     

MSnO_3和MSn_（0．5）Zr_（0．5）O_3（M＝Sr，Ba）的水热合

本文利用水热合成方法对ＭＳｎＯ３和ＭＳｎ（０．５）Ｚｒ（０．５）Ｏ３（Ｍ＝Ｓｒ，Ｂａ）的合成进行了研究，并采用ＸＲＤ、ＳＥＭ和ＩＣＰ等方法对产物进行了表征，结果表明：在Ｍ（ＯＨ）２－ＳｎＯ２（或ＳｎＯ２＋ＺｒＯ２）－ＫＯＨ体系中，当ＫＯＨ／Ｓｎ和ＫＯＨ／（Ｓｎ＋Ｚｒ）≥３０时，２６０℃下晶化５～７天，可获得ＭＳｎＯ３和ＭＳｎ（０．５）Ｚｒ（０．５）Ｏ３纯相，在Ｍ（ＯＨ）２－（ＳｎＯ２＋ＺｒＯ２）－ＫＯＨ－Ｈ２Ｏ体系中，可通过控制介质碱度来获得ＭＳｎＯ３＋ＭＺｒＯ３混合物和ＭＳｎ（０．５）Ｚｒ（０．５）Ｏ３，并根据合成规律初步探讨了反应过程．     

表面活性剂对镍的缓蚀作用

在ＨＣｌ（ａｑ）溶液中,测试了３种典型表面活性剂（ＣＴＡＢ、ＳＤＳ和Ｔｒｉｔｏｎ Ｘ－１００）对镍的缓蚀作用。结果表明,其缓蚀效率、腐蚀活化能的顺序是：ＣＴＡＢ〉Ｔｒｉｔｏｎ Ｘ－１００〉ＳＤＳ。丁醇对Ｎｉ在ＨＣｌ（ａｑ）溶液中的电化学腐蚀行为有影响,基电化学腐蚀速率的顺序为：ＨＣｌ（ａｑ）〉丁醇＋ＨＣｌ（ａｑ）〉表面活性剂＋丁醇＋ＨＣｌ（ａｑ）〉表面活性剂＋ＨＣｌ（ａｑ）〉表面活性剂＋丁醇＋ＨＣ     

形变对Fe—30Mn—6Si基合金形状记忆效应的影响及其机理研究

本文用膨胀法比较了Ｆｅ－３０Ｍｎ－６Ｓｉ合金在拉伸应变下纵向（沿拉伸方向）和横向（垂直拉伸方向）恢复率的不同；研究了预应变对纵向恢复量，恢复率以及Ａｓ，Ａｆ的影响；还用一个大应变量下的样品在Ａｓ和Ａｆ范围内的不同区间进行了加热和冷却循环试验，得到了一些很有意义的信息。用正电子湮灭方法研究了Ｆｅ－３０Ｍｎ－６Ｓｉ，Ｆ３－３０Ｍｎ－６Ｓｉ－５Ｃｒ合金时效和非时效样品位伸预应变量对合金中的缺陷量，缺陷密     

A3钢在厌氧环境中的微生物腐蚀电化学特性研究

用交流阻抗法、动电位扫描法研究了Ａ３钢在无菌培养液和培养液加硫酸盐还原菌的厌氧体系中的腐蚀行为。实验结果表明：硫酸盐还原菌（简称ＳＲＢ）参与了Ａ３钢的电化学行为，在ＳＲＢ参与的腐蚀过程中，ＳＲＢ加速Ａ３钢的腐蚀，它对Ａ３钢的阳极极化过程影响很大，而对阴极过程影响很小。     

灰关联法分析三元复合驱体系对A3钢腐蚀的主要影响因素

采用灰关联分析法找三元复合驱（氢氧化钠－石油磺酸钠－部分水解聚丙烯酰胺）体系中的所有要素在可能存在的浓度范围内导致Ａ３钢发生电化学腐蚀的顺序。在含氢龙钠的溶液中,ＮａＯＨ对Ａ３钢腐蚀的影响最大,其次是ＨＣＯ３和Ｃａ＾２＋,再其次是部分水解聚丙酰胺（ＨＰＡＭ）和Ｃｌ＾－,影响最小的是石油磺酸钠（ＲＳ）。在不含ＮａＯＨ的溶液中,Ｃａ＾＋对Ａ３钢腐蚀的影响最显著,Ｃｌ、ＲＳ、ＳＯ４＾２－其次,,ＨＣＯ３     

30CrMnSiA钢的恒温相变超塑性

本文研究了７１０－８４０℃之间的３０ＣｒＭｎＳｉＡ钢的恒温超塑性。重点测试了在共析转变点Ａｃｌ点附近的超塑性指标。研究结果表明，３０ＣｒＭｎＳｉＡ钢具有恒温相变超塑性特性，在Ａｃｌ点温度附近材料延伸率有明显增长，流动应力最低。当初始应变速率为４．２×１０＾－４ｓ＾－１时，经预先调质处理的３０ＣｒＭｎＳｉＡ钢最大延伸率为６０８％，最低流动应力为５５ＭＰａ，与７１０－７４０℃温度区间内的研究结果相比延     

Toda的纤维化与Selick的滤子化

目的是给出 Ｔｏｄａ Ｈ 的纤维化 Ｓ２ｎ－ １ → Ω Ｊｐ － １（ Ｓ２ｎ） Ｔ Ω Ｓ２ｐ－ １ 的又一新构造。文中说明映射 Ｔ 可以自然地由 Ｊａｍ ｅ Ｈｏｐｆ 的不变量 Ｈ ｐ ：Ω Ｓ２ｎ＋ １ →Ω Ｓ２ｎｐ＋ １ 直接导出。所提出的构造使得 Ｔ 成为一个 Ｈ 映射,由此得到 Ｓｅｌｉｃｋ 的滤子空间 Ｆ２ｋ （ｎ） 在奇素数ｐ 处具有指数ｐ ｎ＋ ｋ－ １ 。     

电厂凝汽器不锈钢管的耐蚀性及选材试验

用电化学方法对电厂凝汽器工况条件下３０４、３１６Ｌ、３１７Ｌ不锈钢管的耐蚀性能作了对比研究，针对电厂用冷却水质进行了初步选材试验，并与ＨＳｎ７０－１Ａ黄铜管、ＢＦ３３０－１－１白铜管作了比较。结果表明：不锈钢管垢耐蚀性能比铜管好得多；不同品牌不锈钢的耐蚀性差异较大，应用时应根据水质工况合理选材，确定合适的不锈钢管材。     

钛合金的电化学特性和腐蚀行为

ＳＳＴ－８６１钛合金在含有Ｃｌ＾－Ｈ２ＳＯ４溶液中的电化学特性和腐蚀行为表明，Ｃｌ＾－１对钛合金一定的活性作用，使钛合金溶解电位降低，Ｃｌ＾－浓度越大，其活化作用越强，腐蚀速度工大，稳定的钝化膜和ＭｎＯ２层对钛合金角保护作用，使腐蚀速度小，Ｃｌ＾－对其特性的影响也较小。     

氘束轰击石墨化学腐蚀的实验进展

在ＳＭＦ－８００石墨第一壁化学腐蚀温度特性的实验研究基础上诸多进一步测试了Ｇ３石墨，ＳＭＦ－８００高纯石墨和硼化石墨，以及ＳｉＣ镀层等在３ｋｅＶ／１，３μＡ氘束轰击下化学腐蚀的温度特性。从中优选出Ｃ２Ｂ１０Ｈ１２－氦辉光放电法制取的ＳＭＦ－８００石墨硼化层，它具有最佳的抗化学腐蚀性能。其中ＣＤ４产额较ＳＭＦ－８００高纯石墨的降低一个量级以上，ＣＤ４产额峰值温度下移至６５０Ｋ附近。     

形变对Fe－30Mn－6Si基合金形状记忆效应的影响及其机理研究

本文用膨胀法比较了Ｆｅ－３０Ｍｎ－６Ｓｉ合金在拉伸应变下纵向（沿拉伸方向）和横向（垂直拉伸方向）恢复率的不同；研究了预应变对纵向恢复量，恢复率以及Ａ_ｓ，Ａ_ｆ的影响；还用一个大应变量下的样品在Ａ_ｓ和Ａ_ｆ范围内的不同温度区间进行了加热和冷却循环试验，得到了一些很有意义的信息。用正电子湮灭方法研究了Ｆｅ－３０ＭＤ－６Ｓｉ，Ｆｅ－３０Ｍｎ－６Ｓｉ－５Ｃｒ合金时效和非时效样品拉伸预应变量对合金中缺陷量，缺陷密度，γ→ε相变量等的影响。     

预非晶化离子注入对硅p^＋n结构性能的影响

用Ｓｉ＾＋／Ｂ、Ａｒ＾＋／Ｂ＾＋双注入结合快速退火技术制备出了较浅的ｐ＾＋ｎ结,用四探针法、扩展电阻法、背散射沟道谱、二次离子质谱等测试分析手段研究了Ｓｉ＾＋或Ａｒ＾＋预蜚 晶人离子注入的作用。结果表明,适当条件的Ｓｉ＾＋／Ｂ＾＋双注入制备 高硼原子电激活率的Ｐ＾＋薄层且电性能优良,残留二次缺陷少,ｐ＾＋ｎ结二极管反忖电流仅２．０ｎＡ／ｃｍ＾２（－１．４Ｖ）;而Ａｒ＾＋主虽然也能抑制硼原子注入沟道     

立方A^4＋M^5＋2O7型化合物与新型负热膨胀材料

概述了立方Ａ＾４＋Ｍ＾５＋２Ｏ７型化合物的结构特点，讨论了ＡＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ａ＝Ｚｒ或Ｈｆ；ｘ＝０．１～１．２）及其部分取代的Ａ＾４＋１－ｙＢ＾４＋ｙＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ｂ＝Ｔｉ，Ｃｅ，Ｔｈ，Ｕ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｇｅ或Ｓｉ；ｙ＝０．１～０．４）和Ａ＾４＋１－ｙＣ＾１＋ｙＤ＾３＋ｙＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ｃ为碱金属元素，Ｄ为稀土金属元素）材料的负热膨胀性能。     

缓蚀剂BMAT对不锈钢在5%盐酸中（含Fe^3＋）的缓蚀作用

用失重法及通过测定极化曲线，研究了５％ＨＣｌ中Ｆｅ＾３＋腐蚀的影响。结果表明，Ｆｅ＾３＋能改变不锈钢的阴极反应过程，当其含量超过１．５ｍｍｏｌ／Ｌ后，３１６Ｌ的腐蚀速度随着Ｆｅ＾３＋浓度的增大而增大。溶液中加入ＢＭＡＴ后，对Ｆｅ＾３＋的去有化过程有明显的抑制作用，且缓蚀剂的用量需根据Ｆｅ＾３＋的浓度来调整，ＢＭＡＴ的使用量为３ｍｍｏｌ／Ｌ时，酸洗液中Ｆｅ＾３＋的浓度应小于１．５ｍｍｏｌ／Ｌ。     

纳米ZrO2/(1-n)SiO2-nAl2O3介孔复合作的制备与光致发光

采用溶胶－凝胶法和超临界干燥技术制备了（１－ｎ）ＳｉＯ２－ｎＡｌ２Ｏ３（ｎ＝０、０．０１、０．１）混合气凝胶体系，并以此作为载体，成功地将纳米ＺｒＯ２粒子组装到（１－ｎ）ＳｉＯ２－ｎＡｌ２Ｏ３介孔体系中，而形成纳米ＺｒＯ２／（１－ｎ）ＳｉＯ２－ｎＡｌ２Ｏ３介孔复合材料。光致发光光谱研究表明，室温下以３１６ｎｍ（３．９２ｅＶ）波长激发时，纳米ＺｒＯ２粒子５４０ｎｍ（２．３０ｅＶ）荧光峰，在介孔复合体     

Ga－Al－As－Si系统中Si的两性掺杂行为的研究

对Ｓｉ在电液相外延Ｇａ－Ａｌ－Ａｓ－Ｓｉ系统中的两性掺杂行为进行了研究。提出了一种恒温生长Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡｓ：Ｓｉｐ－ｎ结的新方法，对这种ｐ－ｎ结的成因作了定性的解释，并对这种ｐ－ｎ结的电特性加以观察。