英特尔在65nm工艺道路又有突破进展

英特尔(Intel)近期在国际电子元器件大会(IEDM)上展示了采用65nm工艺制造的两款微处理器的裸片,从而显示了英特尔在65nm工艺技术上又获得突破。英特尔逻辑技术开发组织高级院士MarkBohr表示:“两款微处理器,一颗是双核处理器,另一颗是单核MPU,两款裸片的推出,表明我们已开发出“65nm的产品原型”,非常顺利的越过了采用65nm工艺制造测试SRAM的阶段。英特尔的65nm工艺具有第二代单轴应变硅隧道,与90nm工艺相比,在PFET源极、漏极的选择性沉积SiGe层内锗原子的比例较高。此外,英特尔还用碳硅代替了90nm节点的氮硅作为蚀刻停止层,从而使…     

英特尔宣布大连厂技术升级至65nm

正在建设中的英特尔大连芯片厂将采用65nm制程技术,该技术较以前宣布的90nm技术更先进。在大连举行的第七届中国国际软件和信息服务交易会上,英特尔半导体（大连）有限公司总经理柯必杰宣布了这一消息。     

65 nm工艺及其设备

介绍了65nm工艺及其设备。它包括光刻工艺与193nmArf/浸入式光刻机、超浅结工艺与中电流/高电流离子注入机、铜互连工艺与PVD/ALD设备、CMP工艺与低应力CMP设备和清洗工艺与无损伤清洗设备等。     

英特尔Ф200mm变身Ф300mm厂

半导体巨擘英特尔（Intel）日前表示，该公司斥资20亿美元升级亚利桑那州Ф300mm厂Fab 12，即将正式启用，未来该厂将主力生产双核心和单核心处理器。值得一提的是，Fab 12不但为英特尔首座旧有Ф200mm厂转型Ф300mm厂的成功案例，也将是英特尔旗下第三座导入先进65nm工艺的晶圆厂。     

富士通10亿建芯片采用65nm工艺

日本富士通公司目前宣布，它将投资10.5亿美元在位于日本的制造联合体中建设一座新的芯片工厂，满足不断增长的需求。     

65nm工艺FPGA已趋成熟

更先进的工艺一直是半导体行业提高性能和降低功耗的一个基本手段，前提是巨大的工程和研发投入，因此只有业界巨头才有实力率先使用。     

65nm/45nm工艺及其相关技术

介绍了65nm/45nm工艺的研究成果、157nmF2stepper技术、高k绝缘层和低k绝缘层等技术。着重讨论了157nmF2stepper的F2激光器、透镜材料、光刻胶和掩模材料问题。     

90nm与65nm光刻工艺各有千秋

2003年下半年起英特尔等世界顶级IC公司陆续量产90nm芯片，比国际半导体技术蓝图ITRS2001／2003要求2004年实现90nm工艺的规划提前了一年。2005年底、2006年初世界半导体市场“霸主”英特尔量产65nm芯片，比ITRS2003要求2007年实现65nm工艺的规划整整提前了一年，两者如出一辙。光刻工艺是量产90／65nm芯片最重要、最关键的工艺之一，也是使用频率最高的工艺，如90／65nm铜互连需8层金属布线，那至少要进行15次光刻，因为金属互连层间还需绝缘层隔离。目前光刻工艺能量产的只有光学光刻技术，它是通过不断缩短曝光波长（λ）、增大数值孔径（NA）和降低工艺因子（k1）来提高其水平，从而达到不断缩小芯片的特征尺寸的目的，如从90nm——65nm。     

赛灵思推出65nm工艺新一代Virtex FPGA

在GIobalpress电子峰会上，赛灵思公司展示了其65nm工艺新一代Virtex FPGA系列中的首款器件。     

德州仪器计划采用65nm工艺

德州仪器日前宣布了65nm半导体制造工艺技术的详细信息，与90nm技术相比，采用该技术可将晶体管体积缩小一半，性能提高40％，不仅可将空闲晶体管的功耗降低100倍，而且可同时集成数亿个晶体管，以支持片上系统(SoC)的模拟与数字功能。目前，4MB SRAM内存测试阵列已经投入正常使用，计划于2005年第一季度推出采用新工艺技术构建的无线产品样品。     

英特尔宣布大连芯片厂（Fab68）将采用65nm制程技术

英特尔公司宣布,正在建设中的大连芯片厂（Fab68）将采用65nm制程技术,这座全新的300mm晶圆厂在2010年建成投产后,将生产制造先进的芯片组产品。英特尔大连芯片厂总经理柯必杰（Kirby Jefferson）在“第七届中国国际软件和信息服务交易会”上宣布了这一决定。     

意法半导体推出65nm工艺“可配置SoC”

意法合资的意法半导体（STMicroelectronics）推出了采用65nm工艺技术的“SPEAr Basic（SPEAR-09-B042）”。该产品是集成了逻辑块和ARM内核的可定制SoC“SPEAr（Structured Processor Enhanced Architecture）”。SPEAr配备有相当于结构化ASIC等的可配置逻辑块，由此可减少SoC的开发成本和开发时间。     

基于65 nm CMOS工艺的2阶温度补偿全CMOS电压基准源

采用65 nm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈区特性的全CMOS结构电压基准源.首先利用工作在亚阈值区NMOS管的栅源电压间的差值得到具有特定2阶温度特性的CTAT电压,该CTAT电压的2阶温度特性与PTAT电压2阶温度特性的弯曲方向相反.再通过电流镜技术实现CTAT电压和PTAT电压求和,最终得到具有2阶温度...     

英飞凌与TSMC携手开发汽车和芯片卡应用所需的65nm嵌入式闪存工艺

英飞凌科技与台湾积体电路制造股份有限公司共同宣布．双方将在研发和生产领域扩大合作，携手开发面向下一代汽车。芯片卡和安全应用的65nm嵌入式闪存（eFlash）制造工艺。根据该项协议，英飞凌与台积电将携手开发65nm工艺技术，用于生产符合汽车行业严格的质量要求及芯片卡和安全行业苛刻的安全要求的嵌入式闪存微控制器（MCU）。     

思源科技与联华电子提供65nm工艺设计套件支持客制芯片设计

电子设计自动化领导厂商思源科技与联华电子共同宣布,即日起将提供已通过晶圆专工验证的Laker工艺设计套件（PDK）予联华电子65nm工艺技术使用。这项由双方共同合作发展的PDK。是为了满足双方共同客户在特殊设计与尖端工艺上的需求。双方后续的合作将专注在提供一系列的Laker-UMCPDK上,使得设计团队能将不同产品以最快的时程上市。