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《电子设计应用》2005,(1):60-60
英特尔(Intel)近期在国际电子元器件大会(IEDM)上展示了采用65nm工艺制造的两款微处理器的裸片,从而显示了英特尔在65nm工艺技术上又获得突破。英特尔逻辑技术开发组织高级院士MarkBohr表示:“两款微处理器,一颗是双核处理器,另一颗是单核MPU,两款裸片的推出,表明我们已开发出“65nm的产品原型”,非常顺利的越过了采用65nm工艺制造测试SRAM的阶段。英特尔的65nm工艺具有第二代单轴应变硅隧道,与90nm工艺相比,在PFET源极、漏极的选择性沉积SiGe层内锗原子的比例较高。此外,英特尔还用碳硅代替了90nm节点的氮硅作为蚀刻停止层,从而使… 相似文献
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《电子工业专用设备》2009,(6):57-57
正在建设中的英特尔大连芯片厂将采用65nm制程技术,该技术较以前宣布的90nm技术更先进。在大连举行的第七届中国国际软件和信息服务交易会上,英特尔半导体(大连)有限公司总经理柯必杰宣布了这一消息。 相似文献
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翁寿松 《电子工业专用设备》2006,36(2):18-20,48
介绍了65nm工艺及其设备。它包括光刻工艺与193nmArf/浸入式光刻机、超浅结工艺与中电流/高电流离子注入机、铜互连工艺与PVD/ALD设备、CMP工艺与低应力CMP设备和清洗工艺与无损伤清洗设备等。 相似文献
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《电子工业专用设备》2005,34(11):18-19
半导体巨擘英特尔(Intel)日前表示,该公司斥资20亿美元升级亚利桑那州Ф300mm厂Fab 12,即将正式启用,未来该厂将主力生产双核心和单核心处理器。值得一提的是,Fab 12不但为英特尔首座旧有Ф200mm厂转型Ф300mm厂的成功案例,也将是英特尔旗下第三座导入先进65nm工艺的晶圆厂。 相似文献
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65nm/45nm工艺及其相关技术 总被引:3,自引:1,他引:2
介绍了65nm/45nm工艺的研究成果、157nmF2stepper技术、高k绝缘层和低k绝缘层等技术。着重讨论了157nmF2stepper的F2激光器、透镜材料、光刻胶和掩模材料问题。 相似文献
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2003年下半年起英特尔等世界顶级IC公司陆续量产90nm芯片,比国际半导体技术蓝图ITRS2001/2003要求2004年实现90nm工艺的规划提前了一年。2005年底、2006年初世界半导体市场“霸主”英特尔量产65nm芯片,比ITRS2003要求2007年实现65nm工艺的规划整整提前了一年,两者如出一辙。光刻工艺是量产90/65nm芯片最重要、最关键的工艺之一,也是使用频率最高的工艺,如90/65nm铜互连需8层金属布线,那至少要进行15次光刻,因为金属互连层间还需绝缘层隔离。目前光刻工艺能量产的只有光学光刻技术,它是通过不断缩短曝光波长(λ)、增大数值孔径(NA)和降低工艺因子(k1)来提高其水平,从而达到不断缩小芯片的特征尺寸的目的,如从90nm——65nm。 相似文献
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