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采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数等与器件参数(腔长和端面反射率)之间的依赖关系。为改善VCSELs阈值特性和优化器件结构提供了理论依据。 相似文献
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采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数等与器件参数(腔长和端面反射率)之间的依赖关系。为改善VCSELs阈值特性和优化器件结构提供了理论依据。 相似文献
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美国Photonics Spectra杂志2007年7月号报道了Princeton Optronics Inc.的VCSELs(垂直腔面发射激光器)在输出功率方面的重大突破,展现了用作固体激光器泵浦源的光明前景。目前,一个VCSEL的二维阵列,连续输出超过230W,功率密度1kW/cm^2(芯片面积0.22cm^2);准连续输出达100W,室温工作,脉宽100μs,占空比0.3%,功率密度3.5kW/cm^2。 相似文献
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本文基于自旋反转模型,理论研究了椭圆偏振光注入下垂直腔面发射激光器(VCSELs)的偏振开关特性。研究结果表明:在X偏振模占主导的VCSELs中,采用椭圆偏振光注入时,随着注入偏转角度θ的增大,VCSELs发生偏振开关所需的最小注入系数(ηin min)值将呈现减小的趋势;当注入偏转角度θ值固定时,随着注入光与VCSELs中心频率之间的频率失谐量从负值变化到正值,ηin min值总体呈现出先减小后增大的趋势,而ηin min的极小值出现在了注入光的频率靠近VCSELs的Y偏振模频率的附近。因此,改变注入偏转角度及注入频率失谐量均可以实现对VCSELs的偏振开关的有效调控。 相似文献
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理论分析了980nm高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的器件特性与其分布布拉格反射镜(DBR)反射率的依赖关系,并计算了具有不同有源区直径的VCSEL的输出特性.分析了具有不同有源区直径的VCSEL在不同DBR反射率条件下的连续输出特性曲线,发现DBR反射率的改变会对有源区直径不同的VCSEL产生不同程度的影响.为了验证理论分析的结果,进行了器件测试实验.实验结果表明,有源区直径为500μm的VCSEL,当其N-DBR反射率分别为99.7%及99.2%时,在连续注入电流为6A时,其输出功率分别为2.01W和2.09W;而有源区直径为200μm的VCSEL,当N-DBR反射率为99.7%及99.2%时,连续注入电流为3A时,其输出功率分别为0.64W及1.12W.器件测试结果有效验证了理论分析的结论. 相似文献
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QU Hong-wei GUO Xia DONG Li-min DENG Jun LIAN Peng ZHOU De-shu SHEN Guang-Di 《半导体光子学与技术》2005,11(2):81-84
Threshold current characteristics of intracavity-contacted oxide-confined vertical-cavity surface-emitting laser had been investigated in detail. Threshold current characteristics not only were depended on the size of oxide-aperture, but also were also strongly affected by the mismatch of its lasing mode and gain peak. For the same degree detuning of the gain peak and lasing mode at room temperature, the threshold current was approximately proportional to the square of the oxide-aperture diameter of above 5μm. For the same oxide-aperture device, the larger the detuning degree of the lasing mode shifted to the shorter wavelength of the gain peak at room temperature was, the lower the minimum threshold current was. The wavelengths of the lasing mode and gain peak were ±N×10nm detuning at 300K, The temperature of the minimum threshold current was changed to be about ±N×40K(N real number). The calculated results were consistent with the experimental ones. 相似文献
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用 Schwarz-Christoffel变换法计算了质量迁移InGaAsP BH激光器中的结电压分布;分析了迁移层和有源层侧向厚度,上限制层空穴浓度和有源层注入电流对迁移层同质结漏电流的影响;并提出以过渡模式为界,区分A类和B类模式,从理论上比较全面地分析了五层对称平板波导的模式行为;指出降低阈值电流和保证单基横模工作这两方面对迁移层厚度有相反的要求,从而存在一定意义下的最佳迁移层厚度. 相似文献
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郭远东 《电子产品可靠性与环境试验》2012,(1):14-17
介绍了评估照明设备电磁场(EMF)的最新标准EN 62493:2010,同时,引出"感应电流密度"这一概念,并论述了感应电流密度的测试原理、测试方法和测试要求。 相似文献