化学气相沉积制取钨

本文较详细地介绍了用化学气相沉积(CVD)方法制取钨制品,如钨管、W-Re合金管、毛细管、棒材等的设备与工艺,化学气相沉积涂层金属钨的用途及其在某些基体上的粘附情况。     

金属钨涂层制备工艺的研究进展

金属钨属于难熔金属,具有高的强度和硬度,同时具有良好的化学稳定性,不易受到腐蚀,但其昂贵的价格及难加工特性限制了其应用,因此,用金属钨作为涂层材料来改善基体材料的性能,引起了众多研究者的关注。该文综述纯金属钨涂层的几种重要制备方法,包括:熔盐电镀法,等离子喷涂法,爆炸喷涂法,气相沉积法等。等离子喷涂是钨涂层制备中最为成熟的1种方法,基体材料不受限制,涂层厚度容易控制。熔盐电镀法能够通过电化学反应从化合物中一步获得厚度均匀的金属钨涂层,并且可避免引入氧和碳等杂质。化学气相沉积法获得的钨涂层致密度高;物理气相沉积法可以在任意基材上获得钨涂层。同时介绍这些方法各自的技术特点和目前的研究现状,并对金属钨涂层的制备方法进行展望。     

日本着力研制大直径钨单晶新技术

<正> 金属钨常用作X射线管、真空沉积加热器、激光反射镜和其它高技术产品用的靶子材料。但是,多晶钨制品,因其晶界易于破裂,而影响制品的性能。单晶具有优异的延性和耐蚀性能,能大大改善钨制品的特性。但是,现有的单晶生产方法,如拉制法或悬浮熔炼法,所能生产的钨单晶最大直径仅约10毫米,满足不了生产所需单晶钨丝、钨薄板和钨管的     

钨和碳化钨纳米线的研究进展

新型纳米材料———钨和碳化钨纳米线,以其特殊的一维纳米结构、优异的物理和化学性能而具有重要的学术研究价值和实用意义。该文首先综述了钨和碳化钨纳米线的最新研究进展,介绍了其几种典型的制备方法,即化学气相沉积法、物理气相沉积法、诱导气相沉积法、化学蚀刻法、自催化法、介孔层状结构卷曲法,进而分析了其生长机理,探讨了其存在的问题,并展望了未来的研究趋势。指出:现有各种制备钨和碳化钨纳米线的方法仅限于基础研究和小批量生产应用,而寻找某种简便、经济、能规模生产的新型制备方法,包括现已初获成功的锥形钨及碳化钨纳米线制备法,仍将是今后很长一段时间内的研究重点。     

半导体用钨硅薄膜的制备技术及应用研究进展

钨硅薄膜具有电阻率低、热稳定性强及抗化学腐蚀性能优异等特点,是半导体集成电路重要的构成部分,主要作为栅极接触层、扩散阻挡层或者黏附层等来进行使用。本文归纳了半导体用钨硅薄膜的制备技术及应用方面的研究进展,首先分别对物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)制备钨硅薄膜的方法进行介绍,并分析了各种制备工艺的优缺点,并进一步对钨硅薄膜在半导体中的主要应用场景进行了介绍。最后分析了钨硅薄膜的未来发展前景,认为随着半导体产业的不断发展及钨硅薄膜应用的持续拓宽,钨硅薄膜的重要性将会进一步显现,钨硅薄膜的制备技术必将获得进一步的提升。     

本刊1990年总目次

文章题目 期 页 文章题卧 期页一、钨、铝及埂质合全 生产硬质合金用＊＊粉末的分级4”WC（。硬质合金断裂韧性的探讨 18 二、稀 土钨-氧化抗混合基底阴极的制备与应用 112 72子交换法在稀土分离中的地位 132钨废料电解回收工艺的研究 114 日本稀土磁体生产及其原料供应 135降底钨湿法冶炼过程碱耗的措施 120 a-氯代环烷酸对稀土苹取的研究21真空连续烧结炉在钢结硬质合金生产中的 提高离子型稀士矿金属回收率的途径 2 4应用 121 稀土对LD3lk形ifl台金机械性能和热用气相沉积法制取钨制品 153 膨胀性能的饼响3]6…     

无氧铜表面钨涂层制备及性能研究

采用化学气相沉积与热等静压相结合的方法在无氧铜表面制备了难熔金属钨涂层得到铜钨复合材料。研究了钨涂层及铜钨界面的微观组织结构,钨涂层微观组织为柱状晶组织,成分及厚度均匀,铜钨界面平整;采钎焊法评价了铜钨界面结合强度,测试过程中涂层均未剥落或损伤,表明铜钨涂层界面结合强度大于钎焊界面的结合强度;在氢气环境中对铜钨复合材料进行热循环,评价钨涂层的抗热震性能,970℃热循环5次后涂层未剥落,钨涂层抗热震性能良好。     

钨深加工制品的研制与开发

简要介绍了钨深加工制品的研制与开发情况,着重叙述了各种钨深加工制品的种类,规格以及应用领域。事实表明,钨深加工制品的生产已取得了很大进展,但仍需进一步扩大品种,提高质量。     

化学气相沉积钨制品的研究现状与发展趋势

化学气相沉积(Chemial vapor deposition,CVD)是制备高纯高致密钨零件及涂层的重要工艺。通过介绍采用CVD方法制备的纯钨材料的工艺与技术特点,并从CVD-W材料特性、产品种类,相关应用方向等方面阐述了CVD技术在钨材料制造中的发展情况,介绍了CVD-W在国防军工、核能、医疗等行业领域的应用,总结了CVD-W制备技术和材料的国内外现状,并指出了未来国内CVD技术在钨及难熔金属应用领域发展的总体方向。     

企业动态

外经贸部公布2002年度钨及钨制品、锑及锑制品出口企业名单国家外经贸部近日发出公告,公布了2002年度钨及钨制品、锑及锑制品20家出口企业名单。公告内容如下:     

W-C合金的化学气相沉积

一种由纯钨相和在基体上的W_2或W_3C相混合物组成的硬质细结晶非圆柱形W-C合金的沉积,是将钨的卤化物,易挥发的含氧和氢有机化合物及红的混合气体,在300～650℃和总压力1～1000托下用化学气相沉积法进行的。钨卤化物与有机化合物的比例为W/C=0.5～15(原子比),混合气体中的氢应高于将钨卤化物还原成W+W_2C、W+W_3C或W+W_2C+W_3C所需要的量。     

美国钨工业现状及我国的钨出口

本文简要地介绍了美国钨精矿、APT的生产和钨制品消费市场的现状及动向;分析了我国近年来钨精矿和初级钨制品的出口情况;指出了中美有序销售协议(OMA)对中国初级钨制品出口的限制;最后对我国钨产品出口结构提出了粗浅的看法。     

化学气相沉积法制取超微钨粉的研究

对制取超微钨粉的化学气相沉积(CVD)过程进行了热力学分析,并采用CVD技术,以扩大规模研究了超微钨粉的制取工艺。热力学分析表明,在1000-1500K的温度范围内,实际上进行的是五氯化钨和四氯化钨的氢还原。W-Cl-H体系的高温平衡气相主要是由WCl_4组成,温度对高温平衡气相组成的影响很小,实际上不大的氢气过量即能完成还原过程。研究了工艺过程的主要参数对超微钨粉质量的影响,并得出了最佳工艺条件。     

钨制品中钒的测定

介绍了用磷钨钒酸光度法测定钨制品中钒的实验方法,结果能满足钨制品生产的要求。     

钨制品的扫描电镜分析

介绍了扫描电镜的分析原理及其在APT、蓝钨、黄钨、紫钨、钨粉、碳化钨粉等钨制品的形貌、粒度分布分析上的应用,对钨制品的质量控制具有指导意义。     

无氧铜表面钨涂层制备及结合性能研究北大核心

采用化学气相沉积(CVD)工艺在无氧铜表面制备钨涂层,利用热等静压扩散连接工艺对铜钨复合界面进行热处理,得到铜钨复合材料。采用SEM、金相显微镜观察涂层及铜钨界面微观形貌,用胶粘和钎焊两种测试方法评价铜钨界面结合强度。结果表明,钨涂层显微组织为柱状晶,涂层厚度及界面均匀;结合强度测试过程中涂层均未剥落或损伤,表明钨铜界面结合强度大于胶粘界面和钎焊界面的结合强度。     

第五次钨生产与出口国代表会议在长沙召开

第五次钨生产国与出口国代表会议于1988年9月13～15日在中国长沙召开。对外经济贸易部部长沈觉人出席了开幕式并致开幕字。他指出:钨是中国重要的出口商品,中国政府十分重视钨精矿及钨制品的出口和加强对钨出口的控制。近年来,对钨出口已经采用许可证制度,并于1987年成立了“中国钨砂及钨制品出口商会”。另外,还指定中国     

钨坩埚的制备技术

钨坩埚是一类重要的钨深加工产品。文章针对钨坩埚的制备技术进行了整理研究,比较分析了等静压-烧结法、锻造加工法、化学气相沉积法、旋压成形法、等离子喷涂成形法、铆焊成形法等6种钨坩埚制备技术,详细阐述了各制备技术的特点,发现不同制备方法生产的钨坩埚产品性能差异较大。通过国内外钨坩埚参数比较,得出我国等静压-烧结法制备的钨坩埚技术已经达到国际领先水平;同时还对钨坩埚发展前景进行了展望,在保证质量和产能的前提下,在相关产业的带动下,中国有望成为全球钨坩埚生产和研究中心。     

中国钨加工业的现状与发展趋势

介绍了钨制品在国防与国民经济建设中的重要作用与地位,并以大量数据证明中国的硬质合金、钨基合金、钨丝、钨电器等领域的产能与产量已是世界产业大国,但在某些高性能与高附加值产品方面与国外先进水平相比尚有一定差距,并对中国钨制品的发展趋势进行了分析与讨论。     

碳化钨涂覆金刚石的新方法

<正> 日本冶金专家研究出一种在碳化钨表面涂覆金刚石的新方法,即采用微波等离子化学气相沉积法,将碳化钨在850～950℃温度下涂上金刚石。在涂覆金刚石以前,用H_2—O_2等离子将烧结的碳化钨表面脱碳半小时,此时碳化钨表面被脱碳形成富钨层。在金钢石沉积的起始阶段。将钨层重新碳化并形成